碳化硅
2016年開始進(jìn)行碳化硅的研發(fā)，19年開始量產(chǎn)6寸外延，21年中標(biāo)國家工信部碳化硅外延產(chǎn)業(yè)化項目。產(chǎn)品通過車規(guī)級驗證，已向國內(nèi)多家車規(guī)級功率器件廠家批量供貨,已應(yīng)用在多家主要新能源車主驅(qū)模塊和電源上
產(chǎn)品介紹:
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有一系列優(yōu)良的物理化學(xué)特性，碳化硅器件相對于硅器件的優(yōu)勢如下:
耐高溫：碳化硅的禁帶寬度和熱導(dǎo)率均為硅的 3 倍左右（Si 1.12eV SiC 3.23eV），理論上碳化硅器件能在超 600℃的環(huán)境下工作，硅器件的極限工作環(huán)境局限在175℃
耐高壓：碳化硅的擊穿電場強(qiáng)度是硅的10倍左右，極大地提高了器件的耐壓特性
低損耗: 碳化硅擁有約2倍于硅的飽和電子漂移速率與極低的導(dǎo)通電阻，能夠降低能量損耗，如相同規(guī)格的碳 化硅基MOSFET 較硅基IGBT 的總能量損耗可降低70%
主要應(yīng)用領(lǐng)域：
新能源汽車（主驅(qū)芯片和OBC）、光伏逆變、充電樁、軌道交通、儲能、智能電網(wǎng)、大數(shù)據(jù)工控電源等領(lǐng)域，其中車用占70%