Análisis y caracterización de Bragg Gratings integradas en tecnología Silicon-on-Insulator

• José A. Praena ^[1] ; Alejandro Carballar ^[1]
  1. [1] Universidad de Sevilla

     Universidad de Sevilla

     Sevilla, España

     
• Localización: Conectando la academia y la industria: Libro de actas OPTOEL 2023 / coord. por Alejandro Carballar Rincón, María del Rosario Fernández Ruiz, 2024
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Analysis and characterization of Integrated Bragg Gratings based on Silicon-on-Insulator technology
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• Resumen
  • español

    En este trabajo se presenta un modelo de análisis y caracterización de redes de difracción de Bragg integradas (IBG - Integrated Bragg gratings), desarrolladas en tecnología SOI (Silicon-on-Insulator), basado en el método del índice de refracción efectivo y matrices de transferencia en medios multicapa. A partir del modelado y simulación, se caracterizan IBG con distintas geometrías en función de tres parámetros: forma de la perturbación (cuadradao senoidal), anchura de la perturbación y longitud de la IBG. Los resultados de simulación se comparan con medidas experimentales de caracterización tomadas sobre un conjunto deIBG fabricadas en SOI. Los resultados avalan la bondad del modelo, así como permiten establecer los límites de validez del mismo.

  • English

    A model for analysis and characterization of integrated Bragg gratings (IBG - Integrated Bragg gratings), developed in SOI (Silicon-on-Insulator) technology based on the effectiverefractive index method and transfer matrix in multilayer media, is presented. IBG are characterized with different geometries, based on three parameters: the corrugation width, the length of the waveguide and the corrugation shape (rectangular or sinusoidal). Simulation results are compared with experimental characterization measurements taken on a set of IBGs manufactured on SOI. The results show the goodness of the model, as well as allow establishing the limits of its validity.