2N3055

El 2N3055 es un transistor NPN de potencia diseñado para aplicaciones de propósito general. Fue introducido en la década de 1960 por la firma estadounidense RCA usando el proceso hometaxial para transistores de potencia, que luego pasó a una base epitaxial en la década de 1970.^[1] Su numeración sigue el estándar JEDEC.^[2] Es un transistor de potencia muy utilizado en una gran variedad de aplicaciones.^[3]^[4]^[5]

Especificaciones

Las características exactas del transistor dependen del fabricante, aunque las características típicas del dispositivo pueden ser las siguientes:

Fabricante	V_cbe	I_c	P_D	h_fe	f_T
ON-Semiconductor^[6]	60V	15A	115W	20-70	2.5 MHz

El encapsulado de este transistor es del estilo TO-3.

El MJ2955 es un transistor complementario al 2N3055.^[7]

Referencias

↑ Ellis, J.N.; Osadchy, V.S.; Zarlink Semiconductor (noviembre de 2001). «The 2N3055: a case history». IEEE Transactions on Electron Devices 48 (11): 2477-2484. doi:10.1109/16.960371.
↑ S M Dhir (1999), Electronic Components and Materials, Tata McGraw-Hill Education, ISBN 978-0-07-463082-2 .
↑ P. Horowitz and W. Hill (2001). The art of electronics (2nd edición). Cambridge University Press. p. 321. ISBN 978-0-521-37095-0. «the ever-popular 2N3055».
↑ Gordon McComb (2001). The robot builder's bonanza (2nd edición). McGraw-Hill Professional. p. 261. ISBN 978-0-07-136296-2. «For high-power jobs, the NPN transistor that's almost universally used is the 2N3055».
↑ Rudolf F. Graf and William Sheets (2001). Build your own low-power transmitters: projects for the electronics experimenter. Newnes. p. 14. ISBN 978-0-7506-7244-3. «The 2N2222, 2N2905, and 2N3055 devices, for example, which date back to the 1960s but have been improved, are still useful in new designs and are still popular for experimenters.»
↑ «2N3055(NPN), MJ2955(PNP): Complementary Silicon Power Transistors (6th revision)». On Semiconductor. Semiconductor Components Industries, LLC. diciembre de 2005. Consultado el 25 de marzo de 2011.
↑ El transistor 2N3055 .

Datos: Q2734114
Multimedia: 2N3055 / Q2734114

[ieee48_11_2477-1] Ellis, J.N.; Osadchy, V.S.; Zarlink Semiconductor (noviembre de 2001). «The 2N3055: a case history». IEEE Transactions on Electron Devices 48 (11): 2477-2484. doi:10.1109/16.960371.

[2] S M Dhir (1999), Electronic Components and Materials, Tata McGraw-Hill Education, ISBN 978-0-07-463082-2 .

[3] P. Horowitz and W. Hill (2001). The art of electronics (2nd edición). Cambridge University Press. p. 321. ISBN 978-0-521-37095-0. «the ever-popular 2N3055».

[4] Gordon McComb (2001). The robot builder's bonanza (2nd edición). McGraw-Hill Professional. p. 261. ISBN 978-0-07-136296-2. «For high-power jobs, the NPN transistor that's almost universally used is the 2N3055».

[5] Rudolf F. Graf and William Sheets (2001). Build your own low-power transmitters: projects for the electronics experimenter. Newnes. p. 14. ISBN 978-0-7506-7244-3. «The 2N2222, 2N2905, and 2N3055 devices, for example, which date back to the 1960s but have been improved, are still useful in new designs and are still popular for experimenters.»

[6] «2N3055(NPN), MJ2955(PNP): Complementary Silicon Power Transistors (6th revision)». On Semiconductor. Semiconductor Components Industries, LLC. diciembre de 2005. Consultado el 25 de marzo de 2011.

[7] El transistor 2N3055 .

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]