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SE80N6D

 Surface-Mount Standard Rectifier
VISHAY

VS3522AA4

 Package : DFN2x2x0.5-6L;Type : PMOS;BVDSS[V] : -30.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

VS7N65BF

 Package : TO-220F;Type : NMOS;BVDSS[V] : 650.00;BVGS[V] : 30.00;
VGSEMI

KRG072

 Design : Leaded Disc; Voltage : 72 Vdc; Ihold (A) : 0.05-5;
THINKING

VS3646ACM

 Package : SOT23;Type : NMOS;BVDSS[V] : 30.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

YS2218Q

 Configuration : Dual; MOSFET Type : N+N; ESD : No; VDS V : 20; VGS V : ±10; Vth (Min) V : 0.3; Vth
YEASHIN

VS8402ATH

 Package : TO-220AB;Type : NMOS;BVDSS[V] : 80.00;BVGS[V] : 25.00;
VGSEMI

INA745A-Q1

 具有内部分流电阻器的符合 AEC-Q100标准的 40V、25A、16 位高精度电流、电压、功率监测器
TI

SL32B-A

 VRRM V : 20; IO(Max) A : 3; IFSM A : 100; VF @ IF (Max) V : 0.38; VF @ IF A : 3; IR@VR(Max) uA : 1000; IR@VR V : 20; Package : SMB/DO-214AA; AEC-Q Qualified : YES;
YEASHIN

SS310

 VRRM V : 100; IO(Max) A : 3; IFSM A : 80; VF @ IF (Max) V : 0.85; VF @ IF A : 3; IR@VR(Max) uA : 500; IR@VR V : 100; Package : SMA/DO-214AC; AEC-Q Qualified : NO;
YEASHIN

SK10100D

 VRRM V : 100; IO(Max) A : 10; IFSM A : 150; VF @ IF (Max) V : 0.85; VF @ IF A : 10; IR@VR(Max) uA : 200; IR@VR V : 100; Package : TO-252AA; AEC-Q Qualified : NO;
YEASHIN

YSE2319ZW

 Configuration : Single; MOSFET Type : P; ESD : Yes; VDS V : -20; VGS V : ±8; Vth (Min) V : -0.3; V
YEASHIN

TP4KE

 Package : DO-41; Peak Pulse Power Dissipation (W) : 400 W; Reverse Standoff Voltage (V) : 5.8V-467V;
THINKING

VSF012N12MS-G

 Package : TO-220F;Type : NMOS;BVDSS[V] : 120.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

AM263P2-Q1

 支持实时控制和可扩展存储器且频率高达 400MHz 的汽车级双核 Arm® Cortex®-R5F MCU
TI
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