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FDN371N与VB1210参数对比报告
N沟道功率MOSFET参数对比分析报告 一、产品概述 FDN371N：安森美（onsemi，原Fairchild）N沟道20V功率MOSFET，采用PowerTrench®工艺优化，专为电源管理应用设计。具有低栅极电荷和快速开关速度。封装：SuperSOT™-3。适用于负载开关、电池保护及电源管理。 VB1210：VBsemi N沟道20V第三代沟槽（Trench Gen III）功率MOSFET，低导通电阻，100% RG及UIS测试，符合RoHS及无卤标准。封装：SOT-23。适用于各类低压高效开关应用。 二、绝对最大额定值对比 参数 符号 FDN371N VB1210 单位 漏-源电压 VDSS 20 20 V 栅-源电压 VGSS ±12 ±12 V 连续漏极电流 (Tc=25°C) ID 2.5 9 (封装限制) A 脉冲漏极电流 IDM 10 36 A 最大功率耗散 (Tc=25°C) PD 0.5 3.5 W 沟道/结温 Tch/TJ 150 150 °C 存储温度范围 Tstg -55 ~ +150 -55 ~ +150 °C 雪崩能量（单脉冲） EAS - 11.25 (L=0.1mH) mJ 雪崩电流 IAR - 15 A 分析：VB1210 在电流能力方面优势显著，连续电流和脉冲电流额定值（9A/36A）远高于FDN371N（2.5A/10A），最大功率耗散能力也更强（3.5W vs 0.5W）。此外，VB1210 明确了雪崩能量和电流规格，在应对感性负载冲击时可靠性更有保障。两款器件耐压等级相同。 三、电特性参数对比 3.1 导通特性 参数 符号 FDN371N VB1210 单位 漏-源击穿电压 V(BR)DSS 20 (最小) 20 (最小) V 栅极阈值电压 VGS(th) 0.5 ~ 1.5 0.5 ~ 2.0 V 导通电阻 (VGS=4.5V) RDS(on) 60 (最大) @2.3A 0.012 (典型) @7A Ω 导通电阻 (VGS=10V) RDS(on) 未提供 0.011 (典型) @10A Ω 正向跨导 gfs 16 (典型) @2.5A 26 (典型) @10A S 分析：VB1210 的核心优势在于极低的导通电阻，在相近驱动电压下，其RDS(on)（约12mΩ）远低于FDN371N（60mΩ），这意味着在相同电流下，VB1210的通态损耗会低得多，效率更高。其跨导也更高，表明栅极控制能力更强。 3.2 动态特性 参数 符号 FDN371N VB1210 单位 输入电容 Ciss 815 850 pF 输出电容 Coss 197 305 pF 反向传输电容 Crss 106 120 pF 总栅极电荷 Qg 10.7 (最大) 23 (最大) nC 栅-源电荷 Qgs 1.5 (典型) 2.2 (典型) nC 栅-漏（米勒）电荷 Qgd 2 (典型) 2.1 (典型) nC 分析：FDN371N 在栅极电荷相关参数上全面占优，总栅极电荷（10.7nC）显著低于VB1210（23nC），意味着其栅极驱动损耗更低，驱动电路设计更简单。两款器件的电容参数处于同一量级。 3.3 开关时间 参数 符号 FDN371N VB1210 单位 开通延迟时间 td(on) 14 (最大) @VGS=4.5V 30 (最大) @VGEN=4.5V ns 上升时间 tr 18 (最大) @VGS=4.5V 22 (最大) @VGEN=4.5V ns 关断延迟时间 td(off) 31 (最大) @VGS=4.5V 30 (最大) @VGEN=4.5V ns 下降时间 tf 11 (最大) @VGS=4.5V 16 (最大) @VGEN=4.5V ns 分析：根据数据手册测试条件下的参数，FDN371N 的整体开关速度略快于VB1210，尤其是在开通和上升阶段。这与其较低的栅极电荷特性相符。但需注意二者测试电流条件不同。 四、体二极管特性 参数 符号 FDN371N VB1210 单位 二极管正向压降 VSD 1.2 (最大) @0.42A 1.2 (最大) @3A V 连续源-漏电流 IS 0.42 12 A 脉冲源-漏电流 ISM 未提供 36 A 反向恢复时间 trr 未提供 28 (最大) ns 反向恢复电荷 Qrr 未提供 9 (最大) nC 分析：VB1210 的体二极管电流能力极为强大，连续电流高达12A，远超FDN371N的0.42A，这使其在同步整流等需要体二极管续流的应用中优势明显。同时，其提供了完整的反向恢复参数，便于高频应用中的损耗评估。 五、热特性 参数 符号 FDN371N VB1210 单位 结-壳热阻 RθJC 75 3.6 (典型) / 4.5 (最大) °C/W 结-环境热阻 RθJA 250 29 (典型) / 36 (最大) °C/W 分析：VB1210 的热特性非常优异，其结-壳热阻（典型3.6°C/W）远低于FDN371N（75°C/W）。这不仅是其能够承受更高功率耗散（3.5W）的关键，也意味着在相同功耗下，VB1210的芯片结温更低，可靠性更高，对散热的要求也更宽松。 六、总结与选型建议 FDN371N 优势 VB1210 优势 ◆ 更低的栅极电荷（10.7nC），驱动损耗低、设计简单 ◆ 开关速度略快（尤其开通） ◆ SuperSOT™-3封装可能在某些板卡布局中更薄 ◆ 极低的导通电阻（12mΩ典型），通态损耗极小 ◆ 强大的电流能力（连续9A/脉冲36A） ◆ 优异的热性能（RθJC低至3.6°C/W） ◆ 强健的体二极管（连续12A） ◆ 明确的雪崩能量保证 ◆ 第三代沟槽技术，性能先进 选型建议 选择 FDN371N：当应用对栅极驱动功耗极为敏感（如电池供电设备），且所需负载电流较小（如2A左右），同时开关频率较高，需要较低的栅极电荷来降低驱动损耗和提升开关速度时。 选择 VB1210：当应用追求高效率（低导通损耗），需要较大的电流输出能力，或工作环境对散热有挑战（得益于其极佳的热阻），以及需要体二极管进行大电流续流的场合（如同步整流）。其更高的功率密度和全面的可靠性测试（UIS, Rg）使其成为对性能和可靠性有要求的现代低压、大电流开关应用的优选。 备注：本报告基于 FDN371N（onsemi）和 VB1210（VBsemi）官方数据手册内容生成。所有参数值均来源于原厂数据手册，设计选型请务必以所选型号的最新官方文档为准。测试条件不同可能影响参数直接可比性，请仔细阅读原文档。
微碧
微碧半导体 . 4小时前 308
1-2kW户外电源MOS管选型要点：导通电阻、耐压值如何权衡？
在1-2kW便携储能电源的设计中，功率MOS管的选型直接决定了整机的效率、温升与长期可靠性。然而，一个常见的误区是依据单一参数进行选择，忽略了参数间的相互制约及其在实际工作条件下的变化。 针对复杂严苛的工况，合科泰量身打造高低压MOS管黄金组合，精准攻克储能设备发热严重、电压不稳、高压浪涌、工况崩盘等各类行业痛点，为整机长效稳定续航全方位保驾护航。 合科泰优势：高低压黄金组合，精准解决储能工况难题 针对1-2kW户外电源全场景工况，合科泰推出HKTD20N06 + HSCF20M65F高低压专属MOS管组合，针对性解决行业痛点，兼顾高性能与高性价比，完美适配市面主流整机架构。 HKTD20N06｜低压整流&快充性价比标杆 该型号适配1-2kW户外电源低压侧工况，聚焦多路PD快充、电池充放电保护等核心环节，导通内阻极低，开关损耗优异。同时搭配优质封装散热结构，适配整机密集PCB布局，在保障设备稳定运行的前提下，大幅压缩量产成本，是走量型的最优选择。 HSCF20M65F｜高压全桥逆变通用主力款 该型号适配户外电源严苛的全桥逆变、光伏整流工况。高耐压设计预留充足安全裕量，重点优化抗尖峰、抗雪崩冲击，可有效化解高频逆变、光伏并网过程中的电压震荡、瞬时浪涌、开关异响等难题。兼顾低导通损耗与优质开关特性，能提升整机运行稳定性与量产良品率。 精准选型建议：适配不同机型，拒绝性能浪费与短板 性价比走量机型：优选HKTD20N06 主打基础露营应急、常规快充、单向光伏逆变机型，成本可控、供货稳定、性能够用，下沉市场利器。 中高端品质机型：首选HSCF20M65F 主打高压光伏输入、全桥逆变、户外复杂工况机型，抗浪涌、抗尖峰，品质升级，助力整机打造差异化优势，拉高产品溢价与口碑。 结语：国产器件崛起，接住储能百亿红利 如今的户外储能赛道，早已告别单纯的价格内卷，进入核心器件、供应链稳定性、产品品质的综合竞争时代。对于元器件渠道商、整机厂商、产业投资者而言，储能功率MOS管赛道刚需明确、增量确定性拉满，是2026年户外产业链中不容错过的百亿级蓝海赛道。
户外储能
厂商投稿 . 4小时前 322
纳祥科技NX7026：ARC+HDMI 输入音频分离器芯片，支持5.1/7.1 多声道
音频分离芯片的核心任务，是从复杂的信号中精准提取音频成分，同时最大限度抑制噪声与干扰，其性能直接决定了音频设备的音质上限。 今天要介绍的是纳祥科技NX7026——一款集 HDMI 输入与 ARC 回传于一体的音频分离器芯片，能够轻松实现音频分离，满足各类影音应用需求。 （一）NX7026是什么 NX7026 是一款用于 HDMI 输入和 HDMI ARC 音频分离器高性能专用芯片，它具有高速通讯24 bit处理器，能处理高工作频率，支持外部 HDMI 4K/60Hz 全高清输入。 NX7026 芯片内置 HDCP 引擎，提供了经济高效的解决方案，简化了模块设计，降低了产品成本； 它的工作电压范围为 3.3V~5.0V，并提供了 Sleep/Stop 低功耗工作模式，可满足多种不同的低功耗应用需求。 （二）为什么选择NX7026 NX7026具备几个让人无法拒绝的优势： ①信号输入与音频分离 支持外部 DVD HDMI 1080P/60Hz 及电脑 HDMI 4K/60Hz 信号输入；并通过 HDMI ARC 接口连接智能电视（带ARC端口），实现同步显示与音频分离功能。 ②音频回传功能 NX7026 可从显示设备（如 DVD/智能电视/电脑/PS4/PS5/LCD 显示屏）回传音频至功放或音响系统，无需额外音频线缆，简化家庭影音系统连接。 ③全数字化传输 全数字化传输确保高品质音频信号，避免模拟传输的音质损失，有效减少信号干扰与衰减。 ④高带宽支持 NX7026 支持多声道音频，如 5.1/7.1 声道和杜比全景声，大幅提升音质体验。 ⑤国产芯片优势 国产芯片的研发始终以本土需求为核心，具备天然的适配优势。其品质稳定，价格较进口方案更低，供货更有保障。 （三）NX7026主要特性 再来看看NX7026的芯片特性： ① HDMI同步显示和音频分离 ② ARC回传 ③ 耳机/音响输出，音量与电视同步（可选择） ④ 光纤/同轴输出 ⑤ 支持 192KHZ 音频采样率 ⑥ 符合 HDMI 1.4b 规范 ⑦ 最高支持 HDMI 4K@60Hz 的视频分辨率 ⑧ 支持热插拔检测 ⑨ ARC 开关 ⑩ 3.3V～5V 电源输入 ⑪ 2KV 的 ESD 保护 ⑫ 工作温度范围：0°C 至+85°C ⑬ LQFP48 封装 （四）NX7026应用领域 NX7026 凭借高性能、低功耗和全数字化传输等优势，广泛应用于家庭影院、高级音响设备、企业会议室、手持设备、游戏及 GPS 平台、PC 外设和工业控制等领域。 无论是打造沉浸式影音体验，还是构建专业音频系统，NX7026 都能以高性价比解决方案满足多样化需求，是 HDMI 音频分离与回传场景下的理想选择。
ARC
深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 5小时前 1 315
YXC YSN8111超低功耗RTC芯片：智能穿戴长续航与小型化优选方案
YXC扬兴科技推出的YSN8111超低功耗实时时钟（Real-Time Clock, RTC）芯片，以250nA典型功耗和3.2mm×2.5mm（SMD 3225）超小封装，直接解决智能手表、运动手环及真无线立体声（True Wireless Stereo, TWS）耳机等智能穿戴设备面临的续航与空间瓶颈。该内置晶振RTC集成了主备电自动切换功能，确保设备在复杂环境下的时间基准连续性与健康数据准确性。 1、智能穿戴RTC设计面临的三大核心挑战 1.1 续航受限与RTC待机功耗瓶颈 智能穿戴设备受物理体积限制，通常仅搭载几十至几百毫安时（mAh）电池。在设备息屏休眠期间，RTC仍需持续维持走时与定时监测。若RTC静态功耗过高，将持续消耗有限电量，直接缩短整机续航并降低用户体验。 1.2 空间受限与分离式RTC方案的集成难题 穿戴设备印制电路板（Printed Circuit Board, PCB）集成度极高，需同时容纳传感器、无线通信及电源管理等器件。传统RTC芯片+外置晶振的分离式方案会占用额外PCB面积。外置晶振在运动出汗、高湿等环境下还存在受潮漏电风险，易导致停振或走时偏差。 1.3 掉电守时困难与时间基准丢失风险 穿戴设备在低电量、断电或更换电池时，必须保证时间连续，以确保计步、心率、睡眠等健康数据的准确关联。若RTC无法维持或恢复时间，历史数据将因时间错位失去参考价值。这要求RTC具备超低守时电压及后备电源自动切换能力。 2、YXC YSN8111：兼顾低功耗、高集成与可靠性的RTC方案 针对智能穿戴设备续航短、空间受限及掉电守时等需求，YXC扬兴科技推出YSN8111超低功耗内置晶振RTC。该芯片集250nA超低功耗、3225超小封装、内置32.768kHz晶体及主备电自动切换于一体，提供高效的时间管理方案。 2.1 YSN8111关键技术参数 据YXC技术规格数据显示，YSN8111的核心参数如下： 工作电压：1.6V ~ 5.5V 守时电压：1.2V ~ 5.5V 工作温度：-40℃ ~ +85℃ 封装尺寸：3.2mm × 2.5mm × 0.9mm（SMD 3225） 常温精度：±11.5ppm / ±23ppm @ 25℃ 典型功耗：250nA 集成特性：内置32.768kHz晶体，无需外接晶振及匹配电容 功能特性：日历、定时器、闹钟、时间更新中断、主备电自动切换 通信接口：集成电路总线（Inter-Integrated Circuit, I²C） 2.2 YSN8111核心优势解析 （1）250nA超低功耗，延长设备续航 YSN8111典型工作电流仅为250nA，在设备深度休眠状态下几乎不增加电池负担。以300mAh智能手表为例，RTC全年耗电约2.2mAh，不足电池容量的1%，有效降低整机待机功耗。 （2）内置晶体与3225封装，提升集成度与可靠性 YSN8111内置32.768kHz晶体，无需外接晶振及匹配电容，大幅减少PCB占用，为传感器、无线通信及电源管理器件释放布局空间。全密封内置设计避免了外置晶振因受潮导致的停振或走时异常，提升了设备在运动出汗、户外高湿等复杂环境下的长期可靠性。 （3）超低守时电压与主备电切换，确保时间连续 YSN8111支持1.2V至5.5V宽范围守时电压，在电池电量接近耗尽时仍可持续保持走时，避免日历数据丢失。内置主备电自动切换电路，当主电源异常时自动切换至VBAT供电，确保计时不中断。配合定时器及中断功能，可实现微控制单元（Microcontroller Unit, MCU）低功耗唤醒，保障健康数据的时间连续性。设备更换电池或重新上电时无需重新校时，避免时间错位造成的数据断层。 3、智能穿戴RTC市场趋势与YSN8111应用价值 智能穿戴设备正向更长续航、更高集成和更丰富功能演进。RTC已从单纯提供时间基准的基础器件，转变为影响整机功耗、空间利用率和数据可靠性的关键组件。YXC扬兴科技YSN8111凭借250nA超低功耗、高集成内置晶振设计及稳定守时能力，为智能手表、运动手环、TWS耳机等穿戴设备提供了可靠的实时时钟硬件支撑。 4、YSN8111 常见技术问题解答（FAQ） 4.1 智能穿戴设备为什么需要超低功耗RTC？ 智能穿戴设备电池容量通常仅为几十至几百毫安时。RTC在设备息屏休眠期间需持续维持走时，若静态功耗过高会持续消耗电量。YSN8111的250nA典型功耗可使全年耗电控制在2.2mAh以内，有效保障整机长续航。 4.2 YSN8111内置晶振设计相比传统外置晶振有何优势？ 传统RTC+外置晶振方案占用额外PCB空间，且外置晶振在出汗、高湿环境下易受潮漏电导致停振。YSN8111采用全密封内置32.768kHz晶体设计，无需外接晶振及匹配电容，既缩小了封装体积（3225），又提升了复杂环境下的长期可靠性。 4.3 YSN8111如何保证设备掉电时的时间连续性？ YSN8111支持1.2V至5.5V宽范围守时电压，并内置主备电自动切换电路。当主电源异常或电池电量耗尽时，芯片可自动切换至VBAT后备电源供电，确保计时不中断，避免更换电池或重新上电后出现时间错位和数据断层。
RTC时钟芯片,rtc,智能穿戴设备
扬兴科技 . 5小时前 364
瑞萨电子推出的第三代MRDIMM将DDR5内存性能提升至16,000MT/s，赋能下一代AI与HPC应用
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布，推出其第三代（Gen3）DDR5多路复用双列直插内存模块（MRDIMM）芯片组解决方案，可实现高达16,000兆次传输/秒（MT/s）速率的服务器级MRDIMM。该系列解决方案专为应对人工智能（AI）数据中心、云基础设施及加速计算工作负载等场景中，日益增长的内存带宽需求而设计。 瑞萨将于2026年8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的FMS 2026（存储与内存未来大会）上展示第三代MRDIMM内存接口组件（展位号#807），包括支持下一代MRDIMM性能的第三代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD，RRG5013x）和多路复用数据缓冲器（MDB，RRG5103x）。 随着AI模型规模持续扩大、计算工作负载的数据密集度不断攀升，系统架构师在确保与现有服务器平台兼容的同时，面临着提供更高内存带宽的严峻挑战。瑞萨第三代MRDIMM解决方案在沿用现有DDR5基础设施的基础上，较第二代方案可实现25%的内存带宽提升。这意味着服务器平台无需进行颠覆性的架构变更，即可释放更强的性能。 瑞萨持续提供经现场验证且可量产的MRDIMM平台，涵盖MRCD、MDB、电源管理IC（PMIC）、串行存在检测（SPD）集线器及温度传感器。这一平台化策略使客户能够在跨代升级中灵活扩展MRDIMM性能，同时保持设计的连续性并加速产品部署。 第三代MRDIMM基于成熟的第二代产品架构，在扩展性能的同时保留了标准DIMM的外形尺寸和系统兼容性。此外，第三代产品还增强了系统的可视性与稳健性，包括设备均衡自训练模式（DESTM）的质量指示状态，该功能使用户能够微调时序和接收端均衡训练，从而最大化裕量。 除性能提升外，瑞萨第三代MRDIMM解决方案在设计时充分考虑了系统级能效，旨在帮助客户在日益增长的带宽需求与系统层面的散热设计及功耗限制之间取得平衡。详细的功耗对比数据将在随附的产品文档中提供。 Amit Goel, Corporate Vice President, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering, AMD表示：“AMD长期以来一直致力于支持开放且基于标准的技术，这些技术推动了数据中心的创新，并随着AI和HPC工作负载的不断演进而提供了更高的灵活性。MRDIMM和瑞萨芯片组等下一代内存形态的创新，对于助力行业实现更高带宽、更高效率以及持续的平台可扩展性至关重要。” Sameer Kuppahalli, Vice President and General Manager, Memory Interface Division at Renesas表示：“AI训练和推理工作负载正在从根本上重塑数据中心基础设施的系统内存需求，为满足这些工作负载对内存容量及吞吐量的巨大需求，瑞萨始终走在行业前沿，推出了第三代MRDIMM芯片组组件。我们的客户正采用瑞萨完整的芯片组组件，持续突破内存吞吐量和容量的边界。” 瑞萨正与领先的CPU及平台合作伙伴紧密协作，推动第三代MRDIMM在未来服务器平台中的应用落地，进一步巩固MRDIMM作为下一代AI与云基础设施可扩展内存架构的地位。 供货信息 瑞萨第三代MRDIMM MRCD（RRG5013x）和MDB（RRG5103x）现已开始向包括主要DRAM供应商在内的特定客户提供样品，预计将于2027年下半年实现量产供货。
瑞萨电子 . 5小时前 273
东芝开始量产面向单电机控制应用、搭载Arm® Cortex® M4内核的小型微控制器
－专用硬件和安全功能助力加速下一代家电及工业设备的开发－ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，已开始量产TXZ+™族入门级M4L组小型微控制器。该系列产品搭载带浮点运算单元（FPU）的Arm® Cortex® M4内核，面向下一代家电、消费类产品及工业设备。 在家电、消费类产品和工业设备领域，对节能、小型化设计、物联网连接能力以及更佳可维护性的需求正在增长。因此，电机控制微控制器不仅需要实现高精度控制，还需要增加有助于提升开发效率和系统可靠性的功能。 东芝的新产品是专为单电机控制应用而设计的小型微控制器，在单芯片上集成了专用电机控制硬件[1]、安全功能以及功能安全措施。通过将电机控制处理交由专用硬件执行，可降低CPU负载，实现高效且高精度的电机控制。 该系列微控制器采用带FPU的Arm® Cortex® M4内核，工作频率最高可达80MHz。其支持2.7V至5.5V的供电电压范围，兼容现有3V和5V系统，同时为新设计提供高度灵活性。产品提供44至64引脚的四种小型封装，并有两种不同的存储器配置，可根据应用需求进行选择。集成精度为±1%[2]的高速振荡器以及用于电机紧急停机的过流检测比较器，可减少外部元件并有助于缩小电路板面积。此外，低功耗STOP2模式支持电池供电应用。 256KB容量的产品[3]采用双区（dual-bank）闪存架构，包含两个128KB的存储区块，可在执行一个程序的同时重写另一区域。这种设计确保了在不中断系统运行的情况下进行程序更新，并便于实现固件无线更新（OTA）。128KB容量的产品[4]内置64KB数据闪存，用于支持日志数据存储和配置信息管理。 在安全方面，该系列微控制器集成芯片保护（CPRO）、安全访问存储器（SAM）和不可重写闪存保护（NRFP）。这些功能有助于防止未经授权的访问、控制存储器访问并保护关键区域，从而提升包括物联网设备在内的广泛应用中的系统可靠性。 该系列微控制器还集成通用通信接口，例如通用异步收发器（UART）、串行外设接口（SPI）、I2C通信接口[5]以及用于外部存储器连接的串行存储器接口（SMIF）。功能安全措施包括针对闪存、RAM、模数转换器和时钟系统的异常检测。东芝还提供符合家用电器功能安全标准UL 60730 Class B的认证软件，帮助客户简化认证流程。 东芝通过产品文档、示例软件以及用于外设控制的驱动软件，为评估与开发工作提供支持。公司还将携手Arm®生态系统合作伙伴推出评估板和各种开发环境，从而为客户提供从初期导入到最终量产的全程支持。 东芝将继续扩充面向电机控制应用优化的微控制器产品线，并加强开发支持，助力客户加快产品开发。 应用： 下一代家电和消费类设备，包括智能家电及具备物联网功能的设备 工业设备和工厂自动化系统 办公及商用设备 特性： 带FPU的Arm® Cortex® M4内核：最高工作频率80MHz 专用电机控制硬件 安全功能 运行期间可进行固件更新（仅限256KB代码闪存产品，双区闪存） 面向功能安全的自诊断功能 供电电压范围：2.7V至5.5V 内部存储器 代码闪存：128KB、256KB 数据闪存：64KB（仅限128KB代码闪存产品） RAM：32KB VE RAM：4KB 四种44引脚至64引脚的小型封装（LQFP/VQFN） 主要规格： 注： [1] 高级矢量引擎2（A-VE2）：通过硬件高速执行矢量控制运算。 高级可编程电机控制电路2（A-PMD2）：控制PWM输出和电机驱动运行。 高级编码器输入电路2（A-ENC2）：检测编码器信号并获取旋转位置和速度。 [2] ±1%精度的条件： 供电电压：2.7V至5.5V，温度：−40°C至105°C。 [3] TMPM4L4FYAUG，TMPM4L2FYADUG，TMPM4L2FYAQG，TMPM4L1FYAUG [4] TMPM4L4FWAUG，TMPM4L2FWADUG，TMPM4L2FWAQG，TMPM4L1FWAUG [5] 集成电路间通信(I2C)：一种用于IC之间短距离、低速通信的串行通信标准。 [6] 器件型号中的“FY”表示256KB代码闪存，“FW”表示128KB。 [7] 仅限128KB代码闪存产品[4]。 如需了解有关M4L组的更多信息，请访问以下网址： M4L组 https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/microcontrollers/txz4eplus-series/m4l-group.html 如需了解有关东芝微控制器的更多信息，请访问以下网址： 微控制器 https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/microcontrollers.html *Arm和Cortex是Arm Limited（或其子公司）在美国和／或其他地区的注册商标。 *Arm和Cortex是Arm Limited（或其子公司）在美国和／或其他国家或地区的注册商标。 *TXZ+™是东芝电子元件及存储株式会社的商标。 *本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。 *本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
东芝 . 5小时前 203
成像与计算深度融合，飞凌微推出新一代车载视觉处理SoC M2
技术先进的智能视觉处理芯片厂商飞凌微电子（Flyingchip®，思特威子公司，以下简称“飞凌微”)近日宣布，正式推出新一代高性能车载视觉处理SoC——M2。该芯片专为L2级辅助驾驶及舱内智能感知应用设计，采用台积电（TSMC）FinFET工艺，搭载自研FlyingMatrix™ NPU和FlyingSight™ AI-ISP，两者从底层架构上深度协同，在复杂多变的行车光照条件下为车载视觉系统提供高质量图像输入与实时AI推理。此外，M2内置四核Arm® Cortex®-A53处理器和双核Arm® Cortex®-R52+锁步安全岛，符合AEC-Q100 Grade 2车规标准和ASIL-B/D功能安全等级，可全面覆盖前视一体机、流媒体及电子后视镜、DMS/OMS（驾驶员/乘员监控系统）、高清环视系统及行泊一体等主流车载视觉应用场景，提供高能效、低延迟、安全可靠的系统级方案。 算力灵活分配，释放NPU极致能效 飞凌微M2搭载自研FlyingMatrix™ NPU，稠密算力可达10 TOPS，典型功耗低于3W。NPU内置丰富的视觉处理硬件加速算子与CV加速引擎，原生支持Transformer系列算子，兼容INT4/INT8/INT16混合精度，并具备4K@60fps H.264/H.265视频编解码能力，为图像检测、目标分类、像素级分割等视觉算法提供硬件级加速。由于不同场景下的负载差异极大，固定算力分配方式在应对动态负载时，始终存在性能与功耗的权衡困境，因此，算力灵活分配成为能效释放最大化的关键。M2支持CPU与NPU各核心独立上下电，可根据负载动态调整功耗；并通过配置独立的高性能OCMEM（片上存储器）从根源上减少无效数据搬运，有效突破“内存墙”和“功耗墙”引发的性能瓶颈，确保算力资源始终服务于当前最亟须处理的任务。M2还可针对不同AI模型需求灵活部署，在不牺牲推理精度的前提下提升芯片利用率，从容应对车载场景中海量数据吞吐与高密度矩阵运算。 AI-ISP与高速接口协同，打造卓越车载成像 传统ISP在处理暗光、逆光、高动态范围等复杂光线场景时，往往难以兼顾图像细节与算法识别精度。M2集成自研FlyingSight™ AI-ISP，与NPU深度融合，将AI算法引入图像处理流水线的每一级节点，在极端光线场景下进行自适应优化，输出低噪声、高动态范围、色彩准确的图像。此外，M2配备4路MIPI-RX、2路MIPI-TX、千兆以太网、CAN、SDIO、eMMC等丰富接口，支持HDR高动态处理，以及RGGB、RGB-IR、Mono等多种色彩滤波阵列，配合M2最高8路输入和最大16MP@60fps图像处理能力，高效支撑前视、环视、舱内等多路摄像头同时工作，为车载视觉系统提供高质量的图像输入与快速响应能力。 车规级设计，全方位硬核保障 飞凌微M2从硬件安全、功能安全以及车规级设计等多个维度出发，为智能汽车提供更加安全可靠的计算平台。硬件安全方面，M2设有独立的AO（Always-On）子系统，在极低功耗场景下持续运行，其内置的HSM（硬件安全模块）支持加解密、数字签名验证、随机数生成以及安全启动，有效保障系统运行安全。功能安全方面，M2采用双域安全架构，集成双核锁步Arm® Cortex®-R52+安全岛，支持AUTOSAR CP生态系统，配套ECC纠错、MBIST存储器自测试、总线超时检测、错误中断及外部错误报告，帮助车载系统实现更完善的故障检测与安全响应。车规级设计方面，M2符合AEC-Q100 Grade 2车规标准和ISO 26262 ASIL-B/D功能安全等级，充分满足车载视觉应用对可靠性、功能安全与信息安全的严苛要求。 AI SoC+Sensor一体化方案，加速智慧汽车产业升级 得益于思特威在图像传感器领域深厚的技术积累以及视觉处理底层硬件的同源性，飞凌微M2能够灵活复用其经过市场验证的图像处理核心技术与硬件设计理念，从而构筑成熟且高效的计算架构。这不仅赋予了M2卓越的视觉信号处理性能，更使其在处理能力上与思特威全系车规级CIS天然适配，形成了从感知到计算的端到端技术协同优势。 基于这一独特优势，飞凌微通过AI SoC与Sensor的一体化系统级方案，打通从图像采集、预处理到AI推理的完整链路。相比传统组合方案，这种系统级整合简化了硬件选型设计与系统调试的复杂度，降低了BOM成本和开发门槛。此外，硬件之间的预验证与深度适配也大幅缩短了产品验证与测试周期，加速了高性能车载视觉方案从设计到量产的落地进程，为产业升级提供了强劲动力。 AI视觉处理SoC A2，机器人及工业视觉应用拓展 基于相同的自研FlyingMatrix™ NPU和FlyingSight™ AI-ISP两大核心技术平台，飞凌微同步推出面向机器人、工业视觉等领域的AI视觉处理SoC A2，展现了其在更广泛智能视觉领域中的应用潜力：NPU内置高效计算架构，能够灵活运行图像分割、动态避障、V-SLAM定位等复杂AI算法；AI-ISP则在强光、昏暗等复杂光线条件下，为环境感知、三维重建、物体识别等自主决策任务提供像素级实时图像优化。此外，A2支持最多四路摄像头同时直连接入，并配备1080p@90fps DPU（双目视觉深度加速引擎），为移动类机器人、工业RGBD相机等场景提供精确的空间感知能力和实时安全控制。 思特威副总裁兼飞凌微首席执行官邵科表示：“汽车产业当前处于‘数智化’转向‘普惠化’的重要阶段，轻量级端侧AI芯片正成为产业发展的重要载体。作为思特威旗下全资子公司品牌，飞凌微此次推出的M2系列车载视觉处理SoC立足于此，依托自研FlyingMatrix™ NPU和FlyingSight™ AI-ISP两大核心技术的深度融合，具备低功耗、高能效、高可靠的优势，并通过AI SoC+Sensor一体化的商业模式，为客户提供极具竞争优势的端侧视觉AI系统级方案，致力于让每一次针对环境感知的决策响应都更精准、更稳定、更及时，为智慧汽车产业构筑坚实的技术基石。”
思特威 . 5小时前 189
Vishay TSOP15300系列红外接收器支持所有主流遥控代码
这些器件通过减少元件数量达到节省空间的目的，可简化通用遥控器的设计，同时支持30 kHz至68 kHz的调制频率范围 日前，威世科技Vishay Intertechnology宣布，推出用于支持红外遥控应用的全新红外（IR）接收器模块系列。Vishay TSOP15300系列器件支持30 kHz至68 kHz的宽调制频率接受范围，能够接收和解调市场上所有主流遥控代码，构成单组件通用型遥控解决方案。 标准红外接收器通常调谐到一个中心频率，这不仅限制了兼容性，并且需要配置多个器件才能覆盖不同的代码集合。此次发布的接收器的调制频率范围宽，不仅克服了这一限制，而且减少了元件数量，从而降低了系统成本，节省了电路板空间。 TSOP15300系列接收器专为电视、音响系统、游戏机、条形音箱、机顶盒（STB）、视频投影仪等消费电子产品设计，能够有效抵御来自常见信号源的纹波噪声和干扰，例如节能灯和LCD液晶电视中的红外辐射，以及板载Wi-Fi天线产生的射频辐射。如果与50 mA 发射器配合使用，该系列器件可提供高达18米的可靠传输距离。 为了简化设计，每款接收器均在4引脚Heimdall封装内集成了光电探测器、前置放大器电路和红外滤波器。在解码时，解调后的输出信号可直接连接到微处理器。TSOP15300系列器件针对短脉冲编码进行了优化，支持2.0 V至5.5 V的宽供电电压范围，典型供电电流为0.35 mA，在45 kHz时最大辐照度为0.2 mW/m2。该系列产品符合RoHS标准，无卤素，并符合Vishay绿色标准。 新款红外发射器模块现可提供样品并已实现量产，供货周期为6周。
Vishay . 5小时前 189
MWC26上海 | 德明利以全栈自研存储支撑AI+数据通信落地
2026年6月24日-26日，第十三届MWC26于上海新国际博览中心举办，展会以“众智启新（TheIQEra）”为主题，聚焦“连接+AI”深度融合的核心趋势。德明利携全栈存储方案亮相，为多元场景下的数据高效流转与稳定运行提供支撑，助力产业数智化升级与新质生产力发展。 “连接+存储+AI” 随着AI应用从云端向边缘与终端延伸，连接、算力、存储与终端正在形成更紧密的协同关系，连接让数据交互持续增加，存储让数据在流动过程中实现稳定承载、可靠留存与快速调用。围绕云、边、端多元应用需求，德明利展示全栈式移动AI能力。 一、终端与端侧AI：高速低功耗本地适配 QLC嵌入式方案，兼顾容量扩展与成本优化 德明利现场提供UFS、LPDDR及eMMC多元嵌入式存储产品，同步展示QLC UFS与QLC eMMC方案。其中，QLC UFS 2.2容量覆盖128GB至512GB，可适配平板及大容量智能终端；QLC eMMC容量覆盖128GB至512GB，依托QLC高密度介质、自研LDPC及智能磨损均衡等固件优化，提升持续读写稳定性，适配智能家居、平板等轻量化AIoT设备。 消费级高性能存储方案：适配AI PC等多元终端 面向AI PC、电竞主机及高性能笔记本等消费电子场景，德明利展示PCIe 5.0 SSD及DDR4、DDR5内存产品，其中PCIe 5.0 SSD提供DRAM与DRAM-less版本，适配不同终端的性能、容量与成本需求。 二、企业级AI算力与数据中心存储方案：支撑高并发数据处理 面向服务器、云计算及数据库等高负载场景，德明利提供企业级PCIe SSD、SATA SSD及DDR5 RDIMM存储方案，支持海量模型并发读写。 高速闪存与高可靠内存组合，适配算力集群连续运行 企业级SSD PCIe SSD TE5133系列：系列搭载PCIe 5.0接口与NVMe 1.4协议，依托国产化主控与自主固件，集成掉电保护、原子写、多流调度、Trim及安全擦除等企业级特性 SATA SSD TS3160系列：容量覆盖240GB至3.84TB，顺序读写速度最高可达540/510MB/s，随机读写性能最高达99K/45K IOPS，可适配服务器系统盘、数据存储等应用，兼顾不同平台的兼容性与部署效率。 企业级DDR内存模组 DDR5 RDIMM内存系列：相关产品系列最高速率达6400MT/s，结合On-die ECC与ECC颗粒双重保障，结合纠错机制及信号抗干扰设计，适配算力集群的数据缓存与实时处理需求。 三、工业级智联网络通信存储方案：保障长期稳定运行 面向交换机、路由器、网关设备等全天候在线场景，德明利依托核心自研工业级存储技术，深度适配通信场景对高带宽、低延迟及高写入耐久等严苛要求，提供工业宽温级SSD、DDR系列方案。 宽温内存+耐久SSD，适配复杂通信工况 工业级DDR PNM4300系列：产品覆盖DDR4/DDR5 ECC U-DIMM、SO-DIMM等多种规格，容量可提供8GB-32GB，产品支持宽温运行和LDPC纠错机制，提升复杂部署环境下的运行可靠性。 工业级mSATA NS1300系列：产品采用8GB-32GB pSLC方案，支持宽温运行，并集成LDPC纠错、PLP掉电保护等机制，适配基站日志、系统盘及边缘设备持续写入等任务，为通信设备长期在线运行提供存储支撑。 四、全栈自研协同：定制开发与智造交付实力 针对通信设备在接口、容量、温域及持续写入等方面的差异化需求，德明利可依托主控、固件与模组协同能力开展产品适配与可靠性验证；同时依托福田与光明两大制造基地，形成覆盖规模化制造、测试验证及量产交付的能力体系，为通信及多元智能设备从项目验证到规模化部署提供支持。 连接让数据高效流动，存储让数据稳定承载。德明利持续完善全栈AI+存储能力，为通信提供更高可靠存储。
MWC
TWSC . 5小时前 182
德明利首颗企业级eSSD主控Hima3361正式发布，双模设计适配数据中心多元存储需求
TWSC . 5小时前 161
企业 | 瑞萨电子计划关闭一所6英寸晶圆工厂
近日，瑞萨电子宣布，计划在未来两到三年内逐步关闭位于日本群马县高崎的工厂，并将该工厂逐步转型为研发基地。这意味着，这座承担了多年模拟芯片和功率器件生产任务的工厂，将结束晶圆制造的历史。 对于整个半导体行业来说，这不仅是一家工厂的关闭，更是一个时代的缩影——6英寸晶圆厂正在加速退出历史舞台。 瑞萨高崎工厂，为何选择关闭？ 根据瑞萨电子公布的信息，高崎工厂未来不会立即停产，而是采用循序渐进的方式，在未来2至3年内逐步结束生产。 与此同时，公司计划保留部分设施，并进一步加强研发投入，让高崎基地更多承担技术开发和产品研发职能，而非晶圆制造。 瑞萨给出的原因也十分明确： 半导体产业结构已经发生变化，6英寸晶圆生产线越来越难以满足市场需求。 近年来，无论是汽车电子、工业控制，还是AI、电源管理芯片，客户越来越希望获得更高产能、更低成本、更稳定供应的产品。而这些目标，仅依靠老旧的6英寸产线已经越来越难实现。 因此，与其继续投入大量资金维护老工厂，不如把资源集中到更先进、更高效率的生产平台。 为什么6英寸晶圆厂越来越难生存？ 过去二十多年，6英寸晶圆曾经是全球模拟芯片、功率器件、MCU的重要生产平台。 但随着制造技术不断升级，它的短板越来越明显。 首先，是生产效率。 同样一片晶圆，12英寸晶圆的面积约为6英寸晶圆的四倍，在相同工艺下能够切割出更多芯片，大幅降低单位成本。 其次，是设备老化。 大量6英寸产线建设于上世纪九十年代甚至更早，设备维护成本越来越高，不少关键设备已经停产，备件越来越难采购。 另外，新建生产线几乎都围绕8英寸、12英寸展开，越来越少有设备厂商继续开发6英寸生产设备，整个产业链都在向更大的晶圆尺寸迁移。 对于企业而言，继续维护老旧产线，投入产出比已经越来越低。 瑞萨并不是第一家 事实上，近年来关闭6英寸晶圆厂已经成为行业共同趋势。 不少国际IDM厂商陆续停止6英寸产线投资，将资源集中到8英寸和12英寸工厂。 包括模拟芯片、功率半导体、MCU等领域，多家企业都在推进产能升级，一些老旧工厂选择停产、出售或改造成研发中心。 与此同时，全球晶圆代工厂也越来越少接受新的6英寸扩产项目。 即便仍保留部分6英寸生产能力，大多数也主要服务生命周期较长、市场规模有限的成熟产品，而不会再作为未来扩产重点。 可以说，整个产业已经形成共识：新增投资基本流向12英寸，6英寸更多进入存量运营阶段。 芯片制造，全面迈向12英寸时代 如今，无论是逻辑芯片、存储芯片，还是越来越多的模拟器件，都在向12英寸平台迁移。 对于制造企业来说，12英寸意味着： 更高的产能； 更低的单位制造成本； 更好的自动化水平； 更稳定的产品一致性； 更强的长期竞争力。 近年来，全球各大晶圆厂新建项目几乎清一色采用12英寸生产线。 从中国大陆到日本、韩国，再到欧洲和美国，新投资项目基本围绕12英寸展开，资本、设备、人才也不断向这一方向集中。 对于未来十年的半导体产业而言，12英寸已经成为主流，而6英寸则逐渐退居幕后。 一家工厂关闭，一个时代落幕 瑞萨高崎工厂的逐步关停，看似只是企业的一次产能调整，实际上反映的是整个半导体制造体系的升级。 过去，6英寸晶圆厂支撑了模拟芯片、MCU、功率器件等产业的发展，也见证了日本半导体制造的黄金时代。 如今，在成本、效率和技术升级的共同推动下，这些老牌工厂正在陆续完成自己的历史使命。 未来，我们仍然会看到部分6英寸产线继续服务特定市场，但它们更多承担的是补充和延续作用，而不是行业发展的主力。 随着越来越多企业把资源投入12英寸生产平台，全球晶圆制造的重心也正在进一步向更先进、更高效率的方向迈进。 瑞萨此次计划关闭高崎工厂，或许只是开始。未来几年，随着产业升级持续推进，6英寸晶圆厂退出历史舞台的案例，必然还会继续出现。
瑞萨
九如芯闻 . 21小时前 560
方案 | SafeNovo®：车载电源系统功能安全系统方案
在智能驾驶向高阶演进的过程中，高压直流转换器（DC-DC）作为车载电源系统的核心组成部分，承担着将动力电池高压直流电转换为低压稳定电压的关键功能，持续为激光雷达、域控制器及电子门把手等低压负载供电，其输出电压的稳定性与可靠性直接决定上述设备能否正常工作。DC-DC 处于新能源汽车高压电气架构的关键节点，除完成电压变换外，还须集成过压、欠压保护及诊断功能。 本文将围绕车载电源系统的低压安全目标，阐述其功能安全方案的设计思路与实现路径。 车载电源的功能安全要求 车载充电机（OBC）负责将外部交流电转换为高压直流电，为动力电池充电，并在 V2L/V2V/V2G 等场景下实现反向逆变；DC-DC 转换器则将电池高压直流电转换为低压为整车低压网络供电，并在整车上电时通过低压电池对高压电容进行反向预充（上高压）。两者在高压电气架构中共享高压直流母线接口，且在功率拓扑、开关器件及磁性元件上存在复用空间，这为集成化设计提供了技术基础。 基于上述特性，OBC 与 DC-DC 转换器的集成化已成为行业主流设计。此类“二合一”乃至“多合一”方案通过共享结构壳体、冷却流道及控制电路，或在功率拓扑层面进一步复用开关器件或磁性元件，有效提升了功率密度，降低了整机重量。集成后的电源系统需同时满足充电高压安全、热安全与低压供电安全等多重目标。尽管现行国标尚未要求低压系统按功能安全流程开发，但高阶智驾与线控底盘等应用的渗透率不断提升，行业实践已对其提出更严苛的要求。 整车安全目标的导出，须基于危害分析与风险评估（HARA），分析故障行为对人员的影响，通过标准化流程评定风险等级，进而推导出整车层面的安全目标。 图一 SAE J2980 风险评估过程示例 以车载电源系统的低压安全为例，若 DC-DC 低压侧输出过压，可能对下游低压负载造成直接且不可逆的损害。典型受影响的关键负载包括域控制器、激光雷达、摄像头等智能驾驶感知与决策单元，ABS/ESP 等线控制动执行模块，电动转向助力系统（EPS）控制器，以及行车大灯、制动灯等照明系统。一旦发生过压，上述负载可能在瞬间被击穿或烧毁，进而引发 ADAS 感知与决策功能完全丧失、转向与制动助力异常退出、全车灯光失效、车门锁止系统失控等连锁高危场景。依据 SAE J2980 给出的风险评估方法，可结合故障行为对人身安全影响的严重度、暴露概率与可控性三个维度，对上述场景进行危害分析与等级评定。 图二 低压安全目标推导示例 基于上述危害分析，国内外主流车企已形成技术共识：低压网络功能安全水平实质上构成了整车安全能力的上限。因此，DC-DC 须集成低压过压与欠压的检测及保护功能，一旦检测到相关事件，系统须在故障容错时间间隔（FTTI）内主动进入安全状态，以最大限度阻断故障对后端敏感负载的冲击。 在安全等级分配上，过压检测与关断功能通常按最高等级 ASIL D 进行开发。而在欠压工况下，由于整车低压蓄电池具备一定的储能容量，能在 DC-DC 输出跌落时短期维持关键负载供电，事故可控性相对较高，因此一般遵循 ASIL B 的要求予以实现。 根据上述安全目标，可进一步导出 DC-DC 输出过欠压分级保护的功能安全需求（本文中阈值相关参数仅为示例，具体定义应按主机厂要求）： 1. 过压保护 需依据过压幅值定义分层响应策略： 第一级阈值（16V~17V）：要求系统在百毫秒级完成检测与关断。该设计允许短时轻度过压不被误触发，以提升系统在负载动态及纹波扰动下的鲁棒性。 第二级阈值（21V及以上）：要求系统在微秒级快速响应并立即关断输出，以防止敏感低压负载瞬间击穿。 2. 欠压保护 同样采用分级策略，并根据故障严重程度施加额外的隔离措施： 第一级阈值（低于9V）：系统通过毫秒级检测进行故障报告。 第二级阈值（7V及以下）：低压蓄电池能量可能反向倒灌进入 DC-DC 输出端，需由硬件电路实现反向过流检测并立即触发保护。 强制隔离要求：与过压保护仅关断输出不同，欠压保护还要求 DC-DC 在停止工作的同时，主动断开与低压蓄电池之间的电气连接，以防止输出端口内部短路时反灌回路无法被安全切断。 未来随着整车低压网络向48V演进，过压与欠压的保护阈值及故障容错时间间隔（FTTI）窗口需重新标定，但分层保护的基本逻辑保持不变。该策略同样可应用于双 DC-DC 冗余供电架构中：当某一路 DC-DC 出现异常过压时，可在规定的时间窗口内关闭故障通道，并由另一路无故障通道持续供电，从而实现故障隔离与功能维持。这种双 DC-DC 冗余设计（例如两路独立的 DC-DC 分别供电或互为备份）在智驾、线控底盘控制器等高安全等级系统中已较为常见，可有效防止单点过压故障导致系统掉电。 低压过压保护功能安全方案 在当前的 OBC/DC-DC 控制架构中，主要存在几种不同的架构方案。一种方案采用单颗高性能 MCU 完成全部控制。另一种方案采用 DSP+MCU 的芯片架构：DSP 仅专注于 OBC、DC-DC 的功率算法控制，低压功能及系统相关控制则由 MCU 实现。在功能划分上，还有一种实践是将与交流桩、直流桩、充电插座、充电盖板的复杂交互功能全部集成到 BMS 或 VCU 中，此时 OBC/DC-DC 只需用 DSP 进行功率算法控制，无需 MCU。 上述不同的控制架构在芯片选型及功能集成度上差异显著，这直接决定了 DC-DC 两级过压保护（如第一级慢速保护与第二级硬件快速保护）在实现 ASIL D 系统功能安全时需要采取截然不同的分解与冗余策略。下文将分别围绕上述不同的架构方案，逐一探讨如何通过安全功能设计满足 DC-DC 两级过压保护的 ASIL D 要求。 架构一：单颗高性能 MCU 该架构升级功能安全的核心逻辑是追求每一个核心器件的“功能安全”，即 DC-DC 系统的 MCU、PMIC/SBC 等核心器件本身需要具备对应的 ASIL 等级。OBC 的控制功能视 MCU 资源而定，可以和 DC-DC 控制共用 MCU，或单独用 DSP 进行控制。 图三 单颗高性能 MCU 功能安全升级措施 通过单颗 ASIL D MCU 实现电压监控功能，部分关键安全机制如下： 冗余电压采样 低压电压采样故障在 DC-DC 系统中构成典型的单点失效：一旦采样值偏低，控制环路会误判输出电压不足而持续升压，导致实际电压过冲，同时依赖该采样值的过压保护功能也会随之失效。为消除这一单点风险，需设置两路独立的低压电压采样通道（图四.a），其中一路供应用层软件实现控制功能，监控层软件则同时接入这两路采样信号，执行电压采样合理性校验，从而有效诊断并覆盖该单点故障。 控制与冗余关断 应用层软件专注于功率算法；监控层软件则作为独立安全通道，利用独立的采样与判断逻辑持续监测第一级慢速过压。一旦识别到故障，监控层直接控制安全状态输出信号（图四.b）。在此基础上，引入硬件过压比较器作为第二级快速过压检测，当输出电压超过硬件设定阈值时，比较器直接通过纯硬件链路触发关断，从而以极低延迟（微秒级）响应过压事件（图四.c），与第一级过压保护形成时间域上的分层覆盖，满足对故障容错时间间隔的要求。 关键供电和基础设施安全 关键电源轨（采样参考供电、MCU 主核供电）及硬件比较器电路需由 ASIL D 等级的 PMIC/SBC 供电保障。该 PMIC/SBC 与 MCU 需建立相互看门狗机制，并对各自内部状态进行持续监控，同时通过上电自检确认硬件关断路径完好。任一监控项异常，均触发独立的故障关断路径使系统进入安全状态（图四.d），避免因关键供电、芯片或安全机制失效导致安全目标被违背。 关断路径 故障汇总使能硬件单元（基于或门逻辑），集中汇聚 MCU 监控层软件触发的安全状态、MCU/PMIC 硬件监控层触发的安全状态以及硬件故障相关的安全状态，并直接控制驱动芯片的使能端执行关断（图四.e）。任意一路信号有效，即触发硬件关断。 图四 架构一 功能安全系统框图 架构二：DSP+MCU 组合架构 该架构将功率控制、低压功能与功能安全进行了解耦拆分：两颗 DSP 芯片仅专注于功率算法控制，另由一颗独立的功能安全 MCU 承担低压功能管理、故障检测及安全状态使能。 图五 DSP+MCU 组合功能安全升级措施 与架构一相比，该方案将监控相关功能全部移植到 MCU 中。监控功能的安全等级可依据 DC-DC DSP 是否为功能安全芯片进行灵活分解：图六所示方案中，DC-DC DSP 自身仅执行基本看门狗等监控，达到 ASIL A(D) 等级；而核心监控功能则按照 ASIL C(D) 开发： 冗余电压采样（图六.a）； MCU 监控层检测第一级慢速过压，两路合理性故障过压触发安全状态（图六.b）； 硬件第二级快速过压检测触发安全状态（图六.c）； 硬件监控层触发安全状态（图六.d）； 安全状态汇总触发驱动芯片关闭（图六.e）； 与单 MCU 架构的唯一区别在于，该方案将功率相关的 PWM 控制放入了 DC-DC DSP。 图六 架构二 功能安全系统框图 架构三：纯 DSP 组合 升级方案一 当 OBC/DC-DC 的低压相关功能均集成到整车其他控制器的时候，对于 OBC/DC-DC 来说就仅需执行功率控制，这个时候功能安全实现也就转移到了 DSP 中。 图七 纯 DSP 组合功能安全升级措施一 在该双 DSP 冗余架构下，DC-DC 输出级的“检测—判断—执行”安全功能被分解至两颗 DSP，并通过 PMIC/SBC 及外围电路满足相应安全等级，以 DSP 冗余实现系统级高功能安全。关键安全机制细化为以下四个层面： 冗余电压采样 DC-DC 输出电压两路采样信号同时接入 DC-DC DSP 与 OBC DSP，第一路采样仅需提供给 DC-DC DSP 用于功率算法控制，另外两颗 DSP 监控层软件均采样两路进行合理性校验（图八.a）。 控制与冗余关断 正常工作时，由 DC-DC DSP 负责实现输出功率算法控制。与此同时，DC-DC DSP 与 OBC DSP 均具备独立检测第一级慢速过压的能力，并各自控制一路安全状态输出信号。任一 DSP 识别到过压，会通过监控层软件触发关断（图八.b/c），即使 DC-DC DSP 发生失效，冗余 DSP 仍能可靠地使系统进入安全状态。同时第二级快速过压检测和前述架构保持一致（图八.d）。 关键供电与基础设施安全 两颗 DSP 的关键电源轨（包括采样参考供电、主核供电等）、硬件比较器电路均由满足 ASIL D 等级的 PMIC/SBC 提供。该 PMIC/SBC 与 DSP 需建立看门狗机制，并对各自内部状态进行持续监控。DC-DC DSP 也应具备上电自检功能检查硬件关断路径是否正常。任何监控机制检测到异常，都需触发安全状态输出（图八.e）。 关断路径 所有安全状态信号包括：两颗 DSP 监控层软件触发的故障、PMIC/SBC、两颗 DSP 硬件监控层触发的故障以及硬件过压比较器信号，统一汇入一个基于或门逻辑的故障汇总硬件单元，该单元直接控制驱动芯片的使能端执行关断（图八.f）。 图八 架构三 功能安全系统框图一 升级方案二 鉴于基于 DSP 的功能安全监控软件开发存在一定难度（需构建严格的软件分区隔离、双通道交叉比较、程序流检测与窗口看门狗等复杂冗余机制），且对该软件监控自身的鲁棒性（如发生共因失效或软件本身缺陷时可能无法可靠关断）存在顾虑，下述方案完全摒弃 DSP 内部自带的安全机制，转而通过增加独立外部硬件电路来实现第一级电压监控，从而简化系统安全架构的设计。 图九 纯 DSP 组合功能安全升级措施二 与架构三的升级方案一相比，该方案将第一级过压检测移植到硬件比较器进行实现。图十所示方案中，DC-DC DSP 自身仅执行基本看门狗等监控，达到 ASIL A(D) 等级；两级的过压检测均由硬件实现： 控制用电压采样（图十.a）； 硬件检测用电压采样（图十.b）； 硬件第一级慢速过压检测触发安全状态（图十.c）； 硬件第二级快速过压检测触发安全状态（图十.d）； 硬件监控层触发安全状态（图十.e）； 安全状态汇总触发驱动芯片关闭（图十.f）； 图十 架构三 功能安全系统框图二 该方案有三个局限性： 硬件冗余关断与自检 硬件过压慢速保护提供冗余关断路径，必须通过关断路径自检覆盖潜伏失效；该保护路径的自检可能显著延长上电时间，需在安全覆盖与启动性能间取得平衡。 硬件过压滤波的响应 硬件 RC 滤波下，触发时间随过压幅值增大而缩短，无法实现软件的延时一致性；若采用该方案则滤波参数须与客户共同定义并达成一致，避免因响应差异导致鲁棒性问题。 图十一 硬件滤波时间示例 欠压保护功能安全实现 欠压保护采用冗余硬件实现难度较大，部分 DC-DC 要求不带小电池启动，一般由软件实现故障检测。 在电源系统升级的实际落地中，升级方案一采用系统集成与开发简化的设计思路：通过复用现有 MCU 资源实现高功能安全要求，无需额外使用高安全等级的 MCU，从而降低 BOM 成本和开发投入。该方案将软件及系统架构的改动限制在可控范围内，显著缩短开发周期。此外，该设计支持 OBC 系统后续平滑升级功能安全等级，具备良好的架构扩展性。 低压欠压保护功能安全方案 在基于上述架构的前提下，第一级欠压故障的检测方法与过压基本一致，但欠压无法采用硬件比较器进行快速检测。第二级欠压故障因 DC-DC 输出端口与小电池之间的压差较大，可利用低压侧反向过流检测实现快速判断。在故障响应中，为避免内部短路导致能量反灌，除停止 DC-DC 功率输出外，还需断开 DC-DC 输出端口与小电池的连接，这就要求在 DC-DC 输出端口配置一个安全开关。同时，DC-DC 还可利用该安全开关断开与闭合前后的电压变化，来判别故障属于 DC-DC 内部还是外部，进而采取不同的关断措施。 图十二 欠压检测功能安全系统框图 联系我们 电源系统的功能安全实现必须与主控芯片方案深度协同，可通过灵活的功能安全架构设计（例如单芯片软件冗余、双芯片冗余监控或外部硬件独立监控等）来达成不同等级的安全目标。本文针对不同主控芯片架构下的功能安全实现方案进行了初步探讨，实际方案落地需在安全性能、开发成本、系统复杂度与验证投入之间取得平衡，且在具体的系统实现中，还需在安全管理、安全分析、详细设计等层面遵循功能安全标准流程，方能全面满足功能安全。 在智能驾驶向高阶演进的过程中，车载电源系统如何从故障安全模式转向故障预防、预测及容忍，同时满足系统级可用性要求，已成为核心挑战。纳芯微将携手客户，从实际应用出发，推动全链路的功能安全方案的落地，提供灵活、高效且可靠的全方位支持。 纳芯微SafeNovo®产品组合覆盖驱动、电源管理、传感器、信号链和实时控制MCU，功能安全产品品类仍在持续拓展中，已发布的产品矩阵包括： 隔离式栅极驱动NSI6911F 多通道LED驱动NSL219xx 轮速传感器NSM41xx系列 车载摄像头PMIC NSR90332XX-Q1 阳光雨量传感器芯片NSUC183x 超声雷达探头芯片NSUC1800 实时控制MCU/DSP NS800RT3/5/A7系列
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纳芯微电子 . 22小时前 490
方案 | SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规范 在“FMS 2026”展示面向AI的存储解决方案
联盟成立6个月后发布HBF首个标准规范，谷歌与Tenstorrent参与，生态体系进一步扩大 SK海力士副社长金千成、姜郁成于峰会开幕日发表主题演讲，提出基于“分层内存”的下一代AI基础设施解决方案 与谷歌DeepMind、闪迪举行圆桌论坛，围绕“借助HBF突破内存墙”展开探讨 展台首次公开第十代375层4D NAND闪存，其性能功耗比提升2.5倍“通过HBF拓展内存与存储边界，助力构建提高系统整体效率的新架构” 韩国首尔，2026年8月4日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）4日宣布，公司联手闪迪（Sandisk）共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的首个标准规范。 SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规范 此次发布正值当地时间8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉会展中心举办的“闪存峰会(Flash Memory Summit) 2026”（以下简称“FMS 2026”）开幕。公司计划在峰会期间发表主题演讲并参与圆桌论坛，介绍HBF作为破解AI时代内存瓶颈的关键技术。 HBF是介于HBM和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。在AI推理普及、数据处理需求激增的背景下，其高带宽与可扩展容量特性优势备受瞩目。 此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。 值得关注的是，HBF与处理器之间采用行业标准UCIe*互联，为HBF与GPU、CPU等不同类型的处理器灵活连接奠定了基础。 *UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）：一种用于不同半导体芯粒之间高速互联的开放式标准接口规范 此外，该规范涵盖互联接口与电气特性、HBF Die堆叠工艺的可靠性与封装指南，以及数据读写软件使用指南等内容。 该规范由全球最大的开放式数据中心技术合作组织OCP（Open Compute Project）正式发布，成为行业通用开放标准，而非企业私有标准。 以此为契机，公司计划加快HBF在AI存储市场的规模化落地，并加速构建生态体系。目前，HBF联盟已汇聚谷歌与Tenstorrent。未来，公司将继续依托开放合作，不断扩大生态体系，同时提升技术成熟度与市场接受度。 FMS 2026开幕首日（当地时间8月4日），SK海力士解决方案开发担当副社长金千成与下一代产品规划担当副社长姜郁成联合发表演讲，主题为“代理式人工智能时代下，基于阶层型存储器的高效AI基础设施构建（Orchestrating Efficient AI Infrastructure through Tiered Memory in the Era of Agentic AI）”。 随着代理式AI*快速商业化，待处理数据规模激增，对处理速度和效率的要求也不断提高。在此背景下，单一存储器产品已难以满足需求，因此需要采用“分层内存（Tiered Memory）”架构，整合特性互补的多种存储器并协同优化。两位演讲者将重点阐述基于分层内存的下一代架构的必要性及发展方向。 *代理式AI：能够在脱离人工干预的情况下，自主设定目标、制定计划并执行任务的高级人工智能系统 当地时间8月6日，SK海力士Solution AT担当副社长林義哲、谷歌DeepMind研究员Xiaoyu Ma、闪迪副社长Rajeev Nagabhirava将展开圆桌讨论。这场汇聚全球内存、存储与AI领域三大企业代表的论坛，主题为“借助HBF突破内存墙（Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash）”。三位嘉宾将聚焦AI基础设施中存储器结构的变革，重点探讨HBF的作用与未来潜力。 与此同时，SK海力士将在FMS 2026设立展台，展示战略合作专区、下一代存储技术及Tech Session等内容。 FMS 2026 SK海力士展台鸟瞰图 尤其值得注意的是，本次展会公司将首次公开目前开发进展顺利的第十代（V10）375层4D NAND闪存晶圆和产品。较上一代，其性能功耗比提升2.5倍，特别适用于对性能与能效要求极高的AI基础设施环境，例如数据中心。公司计划于明年初启动基于此NAND闪存的高性能、大容量企业级固态硬盘（eSSD）量产，进一步巩固其在AI时代NAND闪存市场的领先地位。 此外，公司还将展示面向移动终端、PC、汽车和机器人等多个领域的系列产品，全面呈现SK海力士引领AI时代的存储器技术优势以及客户合作成果。 金千成副社长表示：“AI应用的快速普及，正推动整个数据处理架构迎来重构的关键期。通过HBF，公司将突破内存与存储的边界，助力构建提升系统整体效率的新架构。”
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SK海力士 . 22小时前 742
产品 | 圣邦微电子推出车规级、4V至60V输入，600mA输出、非同步降压转换器SGM61606-ADJQ
圣邦微电子推出SGM61606-ADJQ，一款车规级、4V至60V输入，600mA输出、非同步降压转换器。该器件可应用于汽车分布式动力系统、车身电子和照明系统、信息娱乐系统和仪表盘和高级驾驶辅助系统（ADAS）。 SGM61606-ADJQ是一款非同步降压转换器，器件通过AEC-Q100测试。其输入电压范围为4V至60V，输出电流能力高达600mA，可轻松适配各类由非稳压电源供电的汽车应用场景。 该器件采用2.1MHz的固定开关频率，有助于实现紧凑型的电源方案。轻载条件下，电路自动进入脉冲频率调制（PFM）模式以提升轻载效率。静态电流典型值低至33μA，关断电流典型值仅1.2μA，适合电池供电等对功耗敏感的应用。 SGM61606-ADJQ内部集成了软启动与环路补偿功能，最大占空比达97%，可有效简化外围设计，缩短开发周期。 保护机制方面，器件内置精确使能、逐周期限流保护、带自动恢复的过热关断以及输出过压保护功能，保障系统安全运行。 器件采用符合环保理念的TSOT-23-6绿色封装。 图1 SGM61606-ADJQ功能框图 图2 SGM61606-ADJQ封装引脚图
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圣邦微电子 . 22小时前 504
企业 | SK集团宣布以约109亿元人民币出售全球第三大12英寸晶圆厂
8月3日消息，SK集团宣布以约2.3万亿韩元（约109亿元人民币）的价格，将其持有的SK siltron 70.6%股权出售给斗山集团。 SK siltron是全球第三大12英寸硅晶圆供应商，1983年成立，2017年加入SK集团。 晶圆是芯片制造的基板，所有芯片生产步骤都在晶圆表面完成，是半导体产业的核心材料，由于晶圆制造需要精密技术和严格的质量控制，这个行业门槛很高，全球市场高度集中，前5大厂商占据90%以上份额。 SK siltron2025年营收2万亿韩元（约94.4亿元人民币），营业利润4000亿韩元（约18.88亿元人民币）。 对于此次出售，SK方面表示是为了筹集资金以增强财务稳健性并确保未来的增长动力，剩余29.4%股份由SK集团会长崔泰源持有，预计斗山集团也会收购这些股份。 斗山集团近年来持续布局半导体产业链，斗山集团旗下已有CCL（铜箔层压板，AI加速器关键材料）业务，以及斗山泰思纳（韩国领先的晶圆测试公司）。 此次收购SK siltron后，斗山集团将形成从晶圆制造、基板材料到后端测试的完整半导体价值链，能够为三星电子、SK海力士等客户提供一站式服务。 斗山集团预计SK siltron晶圆业务年均增长率将超过7%，目标2031年营收达到3万亿韩元（约141.6亿元人民币）。
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国际电子商情 . 22小时前 455
技术 | 从12V 到 48V系统，汽车连接器为什么更难设计？
过去几十年，12V系统一直是乘用车低压供电的基础。车灯、雨刮、电动车窗、座椅、音响、风扇、水泵以及各类电子控制单元，大多围绕12V平台设计。然而，随着新能源汽车的蓬勃发展，汽车电动化、智能化程度不断提升，整车中的电气负载正在快速增加。业界也一直有企业在推动汽车低压系统从12V往48V转变。 可以看到，市面上已经有部分量产车型开始采用48V低压系统。据芯查查了解，目前汽车48V系统主要有三种形态，分别是早期、中度和深度三种架构。早期架构主要在传统12V系统之外增加部分48V负载；中度架构将更多热管理、电机和大功率执行器迁移至48V；深度架构则进一步扩大48V配电范围，并与区域控制器深度结合。 那么汽车低压系统升级到48V系统后，给汽车行业带来了哪些好处，对连接器产品有哪些新的要求呢？ 48V系统给汽车产业带来的好处 随着汽车电动化和智能化的演进，汽车整车电子电气架构正在由分布式ECU向域控制、中央计算和区域控制架构演进，电源与信号需要在更紧凑的空间内完成高密度传输。 传统线束架构在设计复杂度、数据管理和减重方面正面临越来越大的压力，而区域架构通过集中电子功能、减少线束复杂度，可以帮助整车降低重量，提升效率，并增强平台的扩展能力。 在功率不变的情况下，根据公式P=UI，当供电电压由12V提高至48V时，理论电流可以降低至原来的1/4。由于导线及连接器上的电阻损耗与电流平方成正比，即P损耗=I²R，在其他条件相同的情况下，电流降低有助于显著减少线束发热，并为减小线径、降低铜材使用量创造条件。 因此，48V架构带来的价值并不只是“能够带动更大功率的负载”，更重要的是在功率、效率、重量、材料和成本之间建立新的平衡。 图片来源：molex，下同 48V系统带来的连接器设计挑战 前面提到的是提升到48V系统之后所带来的好处，但其实对长期围绕12V设计的连接器而言，电压提升也带来了不少挑战。 首先是电弧风险。无论12V还是48V，连接器在带电插拔时都可能产生电弧。但随着系统电压提高，电弧更难快速熄灭，其持续时间、能量和对端子及塑胶材料造成损伤的风险也会增加。 因此，48V连接器通常需要从材料和结构两方面提高安全裕量。例如采用具有良好阻燃性能的塑胶材料，配置端子二次锁和连接器二次锁，并根据应用需求考虑中压互锁结构。系统设计层面还应尽量避免带电插拔和热插拔。 二个挑战是爬电距离与电气间隙。电气间隙，是两个带电部件之间，或者带电部件与可导电部件之间的最短空间距离；爬电距离，则是沿绝缘材料表面测量的最短距离。 这两个参数决定了连接器在电压冲击、潮湿、污染和高海拔等环境下，是否可能出现击穿、表面放电或者异常导通。 爬电距离的确定需要综合考虑额定电压、污染等级和绝缘材料的相比电痕化指数，即CTI；电气间隙则需要考虑冲击耐受电压、电场类型、污染等级以及海拔修正系数。密封连接器与非密封连接器的使用环境不同，对应的污染等级和距离要求也会有所区别。 一般来说，在额定电压63V、冲击耐受电压500V、最高海拔5000米的设定下，密封应用和非密封应用所需的爬电距离、电气间隙并不相同。对于多种端子混合排列的连接器，还需要逐一评估不同Pin之间的最短路径，而不能只看连接器整体的额定电压。 第三个挑战，是12V与48V混合供电。在域控制器、热管理控制器和车身控制器中，一个连接器内可能同时存在12V信号回路、48V功率回路以及通信线路。如果端子排布不合理，不同电压回路之间的爬电距离可能不足，还可能增加电磁干扰和错误装配的风险。 对部分现有连接器而言，可通过隔Pin、空Pin或者限制特定端子传输48V的方式满足要求。但这会降低连接器的有效端子利用率。因此，面向48V重新优化塑胶结构和端子布局，往往比直接沿用传统产品更有价值。 而且汽车连接器必须面对振动、高低温、潮湿、烟雾、灰尘，以及复杂天气等工作环境，因此可靠性不仅取决于额定电压，还取决于材料、机械结构、密封、端子保持力和长期接触稳定性。 目前，与汽车连接器产品相关的行业标准主要有IEC 60664-1中的绝缘配合要求，以及USCAR-2、USCAR-12等汽车连接器标准。其中，IEC 60664-1主要为爬电距离、电气间隙、污染等级、绝缘材料和冲击电压评估提供基础；USCAR-2侧重汽车电气连接器的性能验证；USCAR-12则更多涉及连接器设计层面的要求。 满足行业标准只是基本要求，连接器厂商Molex为了提高设计效率，建立了一套自己的连接器设计规范，并通过软件对三维结构中的爬电距离和电气间隙进行自动分析。在复杂结构中，软件可以搜索潜在的最短路径，并结合极限尺寸进行校核，减少依赖人工测量带来的时间成本和误差。 同时，为了满足市场对汽车48V系统的连接器需求，Molex推出了一系列的连接器解决方案，例如MX150、MXP120、stAK50h、stac64和MX-DaSH等系列产品。 MX150 Mid-Voltage：从成熟平台平滑升级 面向汽车48V应用，Molex推出了MX150 Mid-Voltage中压版本。根据Molex官方资料，该产品可支持最高60V电压，提供4至20位配置，最大电流可达22A，并采用汽车中压系统推荐的淡蓝色外观。产品通过优化塑胶结构增加爬电距离，同时延续传统MX150系列的外形设计，有利于客户在现有平台基础上进行升级。 对整车厂和线束供应商而言，“与成熟平台保持相近的机械接口”具有实际价值。它可以降低线束平台重新开发的复杂度，减少装配工艺、工具和供应链体系的大幅调整。 MX150 Mid-Voltage可应用于散热风扇、电动座椅、电加热、电机、电动支撑杆以及灯具和线束转接等场景。Molex展示的案例还包括该系列在Tesla Cybertruck多个车身位置中的应用，包括域控制器、冷凝风扇、尾灯、尾门、电动支撑杆和线束转接等。 这也说明，48V系统的应用范围正在从单一大功率设备，逐步延伸至车身控制和区域配电体系。 从单一连接器到整车互连产品组合 由于不同48V负载的功率、电流和安装环境差异较大，一款连接器不可能覆盖整车所有应用。因此，Molex围绕48V构建了多层次产品组合。 在水泵、电机、风扇等密封应用中，可根据电流和端子数量选择MX150、MXP120等产品；在热管理和底盘控制器中，可采用CMC/CMX等混合型连接器；面向车身控制器、区域控制器和座舱控制器，则可以结合stAK50h、stac64和MX-DaSH等产品进行功率与信号混合连接。 图：Molex48V应用场景的连接器产品规划（来源：Molex） Molex的区域架构产品组合也涵盖MX-DaSH、Compactus、CMC/CMX、Mini50、stac64和stAK50h等系列，强调通过模块化、小型化及混合连接方案降低线束复杂度，并支持高密度、高可靠性的系统集成。 其中，MX-DaSH不仅是一款连接器，更是一套面向区域控制和域控制应用的平台化产品体系，可以覆盖线对板、板端压接以及多种功率和信号端子组合。对于需要在有限空间内集成功率、低速信号和高速数据的控制器，这类混合连接平台有助于减少接口数量，提升系统集成度。 对于部分传统产品，Molex也完成了48V适用性评估。例如，部分系列可直接满足48V要求，部分小尺寸端子则需要采用隔Pin方式使用。通过对现有产品进行系统梳理，客户可以根据项目周期、成本目标和空间限制，在专用48V新品与成熟量产产品之间进行选择。 结语 汽车48V架构仍在快速演进，不同整车厂选择的电压轨、配电方式和控制器架构并不完全一致。有些车型会保留12V主系统，仅将少量大功率负载迁移至48V；有些车型会采用12V与48V双电压平台；还有一些车型可能逐步走向深度48V架构。不管怎么说，从12V向48V演进，不会在一夜之间完成。 但随着电动执行器数量增加、区域架构落地以及整车对减重和效率提出更高要求，48V正在从混合动力系统中的辅助电压，逐渐发展为下一代汽车低压配电体系的重要组成部分。 连接器虽然体积不大，却决定着电能和信号能否在整车复杂环境中稳定传输。电压从12V提高至48V之后，连接器需要面对新的电弧风险、绝缘距离要求和混合供电挑战，其设计逻辑也必须随之升级。 凭借MX150 Mid-Voltage，以及MXP120、CMC/CMX、stAK50h、stac64和MX-DaSH等产品组合，Molex正在构建覆盖负载端、线束端和控制器端的48V互连方案。
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芯查查资讯 . 23小时前 588
国产TCXO温补振荡器选型指南：扬兴科技2016~7050方案解析
在通信模组､GNSS定位､智能穿戴､工业控制以及物联网设备中，TCXO（温度补偿晶体振荡器）已经成为保证系统稳定运行的重要时钟器件｡长期以来,日系等国际品牌凭借成熟的产品体系,占据着全球TCXO市场的重要份额｡ 然而,随着国产时钟器件技术不断成熟以及全球供应链格局的变化,越来越多终端厂商开始重新审视TCXO的选型标准——除了性能之外，交付能力、供应链稳定性、本地技术支持等因素，正成为影响项目成功的重要指标。 ● 26MHz只是一个缩影，TCXO应用远不止于此 26MHz是目前无线通信领域最经典的参考频率之一，被广泛应用于： · GNSS定位模块 · Wi-Fi/Bluetooth无线模块 · LTE/5G通信设备 · IoT无线终端 · 智能穿戴产品 · 工业无线控制系统 以YXC扬兴科技YSO510TP系列2016尺寸26MHz产品为例，其主要性能包括： · 2016超小尺寸封装 · 标称频率：26MHz · 工作电压：1.8V～3.3V · 常温频差：±1.5ppm · 温度稳定度最高:±0.5ppm · 工作温度:-40℃~85℃ · ClippedSine输出 · 最大工作电流1.5mA · 26MHz@1kHz典型相位噪声-126dBc/Hz 对于无线通信设备而言,这些指标能够满足主流应用对于频率稳定性､低功耗及可靠性的要求｡ 不过，26MHz只是YSO510TP系列中的一个典型规格｡扬兴科技已覆盖1612、2016、2520、3225､5032､7050等多种封装尺寸的TCXO产品布局，可满足从可穿戴设备到工业通信设备的不同设计需求｡ ● 国产TCXO与国际品牌还有差距吗？ 这是许多研发工程师都会提出的问题｡如果放在十年前，进口品牌几乎是唯一选择｡但今天，从产品性能来看，国产TCXO已经能够覆盖绝大多数主流应用需求｡ 对比项目 扬兴科技YSO510TP E***同级产品 K**同级产品 封装尺寸 2016 2016 2016 工作电压 1.8~3.3V 约1.7～3.63V 1.8~3.3V 工作电压 1.8~3.3V 约1.7～3.63V 1.8~3.3V 常温精度 ±1.5ppm ±1.0～±2.5ppm(不同型号) ±1.5ppm左右 温度稳定度 最高±0.5ppm 可提供±0.5ppm 可提供±0.5ppm 工作温度 -30℃~85℃ -40℃~85℃(不同型号) -40℃~85℃ 功耗 最大1.5mA 同等级产品约1~2mA 同等级产品约1~2mA 输出方式 ClippedSine CMOS/ClippedSine CMOS/ClippedSine 相位噪声 26MHz@1kHz 典型-126dBc/Hz 同等级产品表现接近 同等级产品表现接近 以2016尺寸26MHz产品为例，与日系品牌同等级产品进行对比，可以看到国产产品已经具备较强竞争力｡ 可以看到，在研发人员最关注的频率稳定度、功耗、电压范围及封装规格等关键指标上，国产TCXO已 经能够与国际品牌保持同一技术水平，为国产替代提供了可靠基础。 · 工程师真正关注的,不只是参数 在实际项目中，一颗TCXO能否顺利导入,往往不仅取决于参数,还取决于整个供应链的配合能力｡近年来，越来越多客户将目光投向国产品牌，原因主要体现在以下几个方面: ① 本土供应链更加稳定 在国际物流波动､交付周期延长的背景下，本土制造能够有效缩短采购周期，提高供货确定性｡ ② 响应速度更快 从样品申请､技术咨询到失效分析，本地FAE团队能够快速响应，减少研发等待时间，加快项目推进｡ ③ 支持灵活定制 针对不同应用需求,可提供频率､电压､封装､输出方式等多种定制方案,更好地满足客户的个性化设计需求｡ ④ 综合成本更具优势 在满足性能要求的前提下,国产方案能够帮助客户优化整体采购成本,同时降低库存和供应链风险｡ · 从单一产品到完整平台,打造国产时钟解决方案 相比单一型号，扬兴科技更注重产品｡YSO510TP系列覆盖多种封装尺寸和频率规格,可满足消费电子､通信设备､工业控制､车载电子及物联网终端等多样化应用需求｡ 同时,扬兴科技还构建了涵盖TCXO、VCTCXO、差分晶振、OCXO及其他频率控制器件的产品体系，为客户提供从普通时钟到高精度时钟的一站式解决方案。 总结 对于今天的研发团队来说，TCXO的选型标准已经从“有没有”转向“是否更适合”。 性能是基础，供应链决定交付，本地化服务提升研发效率，而长期稳定供货能力则关系到产品生命周期。随着国产时钟技术持续进步，越来越多项目开始选择国产TCXO，不仅因为产品性能不断接近国际主流水平，更因为本土供应链能够为客户提供更加稳定、高效、灵活的支持。 对于正在寻找日美欧系同类替代方案的工程师而言，国产TCXO正成为优选方案。
温补晶振,高精度,TCXO
扬兴科技 . 昨天 476
光模块产业链全景拆解：上游"卡脖子"、中游"拼封装"、下游"AI 驱动"，一文看懂价值迁移
贞光科技是一家以科技创新为驱动力的综合性产业集团，是国内知名电子元器件产品授权分销商及应用解决方案供应商，拥有专业的技术支持团队和完善的营销网络，深耕汽车电子与工业领域。在光模块领域代理了思瑞浦、大普通信、纳微、三星电机、国巨、泰科等国内外知名品牌，为客户提供电子元器件产品及电子元器件应用解决方案和现场技术支持等多纬度服务。 01/ 产业链全景图 02/ 光模块是什么？ 如果将全球数据通信网络比作一座昼夜不停运转的超级港口，那么光模块就是码头上的"集装箱吊装系统"——它负责在两种完全不同的运输形态之间完成精准切换，是整个港口吞吐能力的决定性环节。 具体而言，光模块承担两项核心使命：在发送侧，它如同高精密的"编码压缩站"，将服务器或交换机产生的电信号，经由激光器芯片转化为光脉冲信号，再通过光纤这条"光速高速公路"进行超低损耗、超高带宽的远距离投递；在接收侧，光电探测器则扮演"解码还原站"的角色，将抵达的光脉冲信号精确还原为电信号，供后端设备读取与运算。 作为横跨电子学与光子学的关键接口器件，光模块已经演变为当代信息基础设施中，支撑海量数据高效流转的底层刚需组件。 如下图所示，随着CPO（共封装光学）技术持续演进，中间环节的额外损耗（粗略对应红框区域）被不断压缩，光模块的整体性能天花板也在持续抬升： 光模块分类 光模块的分类体系需要从多个技术坐标轴加以理解：封装形态、传输速率、光纤模式、工作波长等维度持续迭代升级，共同驱动着数据中心与电信运营商网络的带宽跃迁与容量扩展。 以当前最主流的热插拔式封装为例，市场上主要存在以下几代产品形态，传输带宽逐代跃升： 03/ 全产业链价值拆解 光芯片堪称光模块的"动力内核"。经过精密加工并与无源光学组件配合后，会被组装为两大功能单元：承担发光任务的光发射组件（TOSA）和承担收光任务的光接收组件（ROSA）。这两大单元再与电芯片、印刷电路板（PCB）、金属外壳等辅助部件进行系统集成，最终形成一颗完整可交付的光模块产品。 光器件是光模块内部的核心子系统，依据是否需要外部供电，可划分为两大类别： 无源器件无需通电即可工作，专注于光信号的物理连接、功率分配与波长合分，功能上等同于光路中的"管廊与闸阀"； 有源器件则必须依赖电能驱动，其核心职能是完成电信号与光信号之间的双向转换，是整条信息链路中真正的"能量转换引擎"。 从价值分布来看，当前产业链的利润重心高度集中于上游核心芯片与中游精密封装两大环节。 光器件在光模块总成本中的占比超过70%，是决定产品性能与制造成本的关键变量。其中，TOSA/ROSA两大组件贡献了光器件内部80%以上的价值量，其核心来源于激光器芯片、探测器芯片等光芯片以及高精度光学结构件。 随着传输速率从100G向400G、800G乃至1.6T攀升，产业链价值加速向芯片端聚拢：光芯片在高速模块中的成本占比已快速攀升至50%以上，成为绝对的价值锚点；电芯片的价值占比稳定在15%—20%区间；而高速PCB、金属壳体、散热模组等结构支撑件的价值份额则被进一步摊薄。 整体产业格局呈现"上游芯片定义性能边界、中游封装决定可靠性上限"的双核驱动态势，竞争的本质在于：谁掌握了关键芯片的自主设计能力，谁具备将芯片性能通过精密封装充分释放的工艺实力。 04/ 上游产业链——核心部件 光模块核心构成图如下： 04-1、光芯片 光芯片是光模块完成"电→光"与"光→电"双向转换的底层物理载体，按功能可划分为激光器芯片（发射端）和探测器芯片（接收端）两大品类。 在发射端，激光器芯片存在两条主流技术路线：边发射型以FP、DFB、EML为代表，具备调制带宽大、输出稳定性强的特点；面发射型以VCSEL为代表，拥有制造成本低、阵列集成度高的优势。 在接收端，探测器芯片分为PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管两种架构，其中APD凭借内部增益机制拥有更高的接收灵敏度，更适合长距离、弱信号场景。 从衬底材料体系来看，光芯片主要依托磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）两大化合物半导体平台：InP凭借优异的高频响应特性、出色的温度稳定性和极低的噪声系数，成为边发射激光器及高性能探测器的首选材料，广泛应用于电信骨干网和数据中心中长距互联场景；GaAs则主要服务于VCSEL芯片制造，依托成本低廉、晶圆良率高、易于大规模阵列集成的优势，在数据中心短距互联、3D结构光识别及消费电子传感等场景中占据主导地位。 市场规模 2024年，中国光通信芯片市场规模约为151亿元，同比增长约10%；预计到2025年，市场规模将进一步扩大至约160亿元。 全球光芯片竞争格局呈现美日双寡头主导、中国结构性突围的态势。Lumentum、Coherent（原II-VI）及三菱电机等美日龙头，凭借数十年的技术积淀，围绕25G及以上速率DFB、EML芯片构建了深厚的专利与工艺壁垒，牢牢把控高端市场定价权。 中国光芯片产业正处于从"中低端自主可控"向"高端定点突破"的关键跃迁期：2.5G、10G等中低速率产品已全面实现国产化替代；25G DFB芯片领域，源杰科技、武汉敏芯等企业已完成规模化量产，成功打入5G前传与数据中心供应链。但在决定产业终极话语权的100G EML芯片、高端APD芯片等核心环节，国产化率仍不足5%，是本土厂商集中力量攻坚的"卡脖子"高地。 04-2、电芯片 电芯片承担着驱动、控制、放大与处理电信号的核心职能，是保障光芯片与主机系统之间高效通信的"信号调度中枢"。按功能定位可划分为驱动芯片（Driver）、跨阻放大器（TIA）和数字信号处理器（DSP）三大类，其中发射端的驱动芯片负责将电信号转换为驱动激光器发光的电流信号。 全球光模块电芯片市场呈现高度寡头化格局，美国企业牢牢掌控高端领域。博通（Broadcom）、迈威尔（Marvell）几乎垄断了400G/800G及以上速率DSP芯片的供应，德州仪器（TI）在模拟与时序类芯片领域同样占据强势地位，导致全球光模块产业链对美国电芯片技术形成深度路径依赖。 中国电芯片产业基础相对薄弱，虽然在驱动器、TIA等模拟前端芯片上取得了阶段性进展，但产品主要覆盖中低速率区间，与国际领先水平存在代际差距。据ICC数据，按收入价值统计，在25G速率及以上的光通信电芯片领域，中国厂商仅占全球市场约7%。尤其在DSP芯片领域，目前国内尚无成熟的大规模商用产品，成为产业链自主可控的最突出瓶颈。 电芯片国产化进程明显滞后于光芯片，根本原因在于其技术壁垒更高、生态锁定效应更强。高速电芯片设计需要在超宽带链路仿真、超大规模模拟/混合信号电路设计等方面达到极其苛刻的指标要求，且必须适配海外主导的系统架构与接口协议，客户切换成本极高。叠加研发周期漫长、先进制程工艺依赖度高、客户端验证体系严苛等复合因素，导致国产替代推进节奏显著慢于光芯片环节。 04-3、无源组件 光模块中的无源组件是构建稳定、低损耗光传输通路的"光路基础设施"，按功能属性可归纳为三大类别： 一是连接与导引类，包括光纤跳线、光纤连接器等，负责搭建光路通道并实现光信号的高效传输； 二是信号调控类，包括光隔离器、窄带滤光片、波分复用器等，用于精确控制光信号的传输方向、波长选择与路径分配； 三是结构与辅助类，包括陶瓷插芯、金属外壳、透镜组件等，为光路提供亚微米级定位精度、机械防护及热管理支撑。 竞争格局 全球光模块无源组件市场呈现清晰的"技术分层"竞争格局：日本厂商凭借在精密光学加工领域的深厚积累，持续垄断超高精度、超高可靠性的高端市场；中国厂商则依托完整的产业链配套与显著的成本效率优势，已成为中低端无源组件的全球主力供应商，完成了从"进口替代"到"全球输出"的角色转换。 中国无源组件产业链配套完备，天孚通信、太辰光、光迅科技等上市公司在各自细分赛道建立了差异化竞争优势。但在超高精度无源光学芯片及部分特种光学材料领域，国内企业与国际顶尖水平仍存在一定差距，行业整体正从规模驱动向高端技术突破方向转型升级。 05/ 中游产业链——封装 05-1、光器件封装： 光器件封装是将上游光芯片与关键无源光学组件进行亚微米级高精度集成，构建出具备完整电光/光电转换功能的核心子系统，是光模块制造链条中的基础性关键环节，主要产出TOSA（光发射组件）和ROSA（光接收组件）两类核心器件。 两者对封装工艺的过程稳定性、光纤-芯片对准精度及器件间阻抗匹配度要求极为苛刻，是决定光模块最终性能上限的核心工艺节点。 行业现状 全球光器件封装环节与上游光芯片供应深度耦合，高端市场长期由Coherent、Lumentum等具备"芯片+器件"垂直一体化能力的国际巨头主导，同时也存在一批专注于TOSA/ROSA封装的独立专业供应商。 中国企业在该领域已建立起突出的全球竞争力，成为光模块产业不可或缺的核心器件供应方： 光迅科技依托从芯片设计到模块组装的全链条垂直整合体系，在TOSA/ROSA的产能规模与工艺成熟度方面处于国内第一梯队； 中际旭创、海信宽带等头部模块制造商，为强化供应链韧性并优化成本结构，普遍布局了面向自用的中高端器件封装产线； 在TO-CAN等面向接入网的中低速器件封装领域，中国已建成全球规模最大的产业集群，产业配套齐全、规模效应显著。 05-2、光模块封装： 光模块封装是光模块生产流程的终端环节，将TOSA、ROSA、电芯片、PCB等全部零部件集成装配进标准化外壳，形成可直接插入交换机或服务器使用的成品光模块。 其核心职能涵盖光信号收发、电气供电、智能控制及主机通信接口的完整实现，对高速信号完整性设计、热管理效率和精密制造工艺提出了极高要求：高速链路需确保眼图张开度满足规范，热量需通过高效散热路径及时导出以保障模块在全温度范围内稳定运行，自动化与精密工艺则是保证大批量生产一致性与高良率的制造基石。 全球光模块封装市场已从早期的美、日、中多极竞争格局，演变为当前的"中美双雄"态势。近年来，中国企业凭借"中国制造"在效率、成本与交付速度上的综合优势快速崛起，已占据全球光模块封装市场的半数以上份额，成为行业的主导性力量。其核心竞争优势如下： 中国企业已在全球光模块制造与封装环节确立了主导地位。据LightCounting数据，2024年全球前十大光模块供应商中，中国厂商强势占据七席。 中际旭创：在400G/800G/1.6T等数据中心高速光模块领域技术领先、全球份额居首，是谷歌、微软、亚马逊、Meta等超大规模云厂商的核心供应商。 光迅科技：产品线横跨电信与数据中心两大市场，是国内少数具备全球品牌影响力的综合型光通信企业。 新易盛：作为近年成长最为迅猛的数据中心光模块厂商，在高速率产品技术实力上表现突出，海外头部客户拓展持续加速。 华工正源、海信宽带：在无线通信和接入网市场保持稳固地位，同时积极向数据中心高速产品延伸，持续巩固综合竞争力。 05-3、CPO光模块规模： 在数据中心扩容、5G深度部署及云计算持续渗透的多重推动下，光模块市场保持强劲增长势头，AI算力需求已成为最核心的增量驱动引擎。 全球市场：2020年规模约112亿美元，2024年攀升至178亿美元，年复合增长率约12.3%；预计2025年将达到235亿美元，数通市场与超高速产品构成增长主力。LightCounting进一步预测，2024-2029年全球光模块市场将以约22%的年复合增长率扩张，2029年有望突破370亿美元。 中国市场：在政策扶持与本土技术突破的双重驱动下增速领先全球，2022年规模489亿元，2023年增至约540亿元，2024年达606亿元，2025年有望接近700亿元。 英伟达在2026年GTC大会上明确披露，计划在Feynman架构一代（预计2028年）通过CPO版本的NVLink互连技术，将8个Kyber机架内的1152颗GPU整合为一个超大互联域。叠加SerDes速率持续升级，3.2T时代CPO有望成为AI算力集群的主流互联方案。 05-4、国内领先企业如下： 05/ 下游产业链——数据中心 我国数据中心交换机在整体交换机市场中的占比呈持续上升趋势。IDC数据显示，数据中心交换机占比从2021年的44.4%预计升至2026年的51.7%；市场规模由2022年的31.8亿美元增长至2026年预计48.1亿美元，2020-2026年年均复合增速约10.6%。值得注意的是，随着AI算力需求爆发，2025年全球数据中心以太网交换机市场增速已达53.5%，远超此前预测。 与此同时，数据中心网络架构持续迭代升级，带宽从10G起步快速向400G/800G演进，5G与AI推动数据流量呈指数级增长，带动网络设备全面更新换代，以解决数据迁移效率、带宽瓶颈与资源利用率等核心问题。 在AI算力基础设施的完整架构中，光模块是保障算力高效生产、灵活调度与规模化交付的核心连接环节。 算力生产端：万卡级GPU集群的协同训练，需要高速光模块实现节点间无损、低时延互联，光互联的带宽与可靠性直接决定整体算力产出效率。 算力调度端：大模型推理与实时应用响应，需要光模块提供从云端到边缘的全链路低时延、高可靠光连接，保障算力的即时可用性与服务响应速度。 算力服务端：跨地域的算力资源协同与弹性共享，需要大容量骨干光网提供底层传输保障，光模块是构建这张"算力高速公路网"的核心砖石。 注：以上信息综合自行业信息整理。
光模块
贞光科技 . 昨天 553
3D打印喷头MOS管选型指南：响应速度、封装尺寸、发热损耗三大指标如何取舍？
一、行业行情 当下消费级FDM 3D打印行业快速普及，家用桌面机、教育机型、小型工作室设备出货量持续增长，行业整体朝着小型化、高精度、高稳定性方向升级。随着用户对模型表面细腻度、成品良品率要求越来越高，传统通用MOS管控温精度不足的问题彻底暴露。喷头作为整机温控最严苛的核心部位，专用功率器件替代通用器件，已经成为行业标配升级趋势。 二、行业核心痛点 绝大多数3D打印机瑕疵，根源都来自喷头加热控温不稳定。很多整机厂为节省成本，沿用通用普通MOS管做喷头加热开关，导致一系列常态化问题。 打印外观瑕疵多 通用MOS管响应速度慢、控温滞后，无法及时适配喷头加热的动态需求，耗材熔化时状态不稳定，极易出现拉丝、横向层纹、边角毛边，甚至间歇堵头、断丝报废的情况。 设备稳定性差、售后率高 喷头属于高频启停加热工况，通用MOS管长期反复工作容易积热、老化，设备越用温控越不准，后期瑕疵持续加重，严重时MOS管过热烧毁、直接损坏喷头主板。 整机设计受限 通用MOS体积偏大，不适合新款迷你、小巧型打印机PCB布局，导致设备无法做小型化、轻量化迭代，产品竞争力不足。 三、产品优势：精准适配全场景 合科泰针对喷头加热专属工况，推出两款专用MOS管精准匹配常规功率需求，兼容性强、适配全机型，同时可对标进口器件、性价比更高，支持整机批量降本。 HKTQ30N03 —— 小巧不占地 这款型号小封装的特点，完美适配狭小喷头电路，方便厂家做小型化、精致化机身设计。控温反应特别灵敏，喷头需要补温时快速开启加热，温度达标后及时关停。全程让耗材融化状态保持一致，让普通家用设备也能打出高精度、高光滑度的模型。 HKTD50N03 —— 耐高温抗老化 这款型号最大优势就是长时间工作几乎不积热，连续高频启停加热性能不衰减，喷头温度全程稳稳锁定。不管是高速快速打印，还是超大模型长时间成型，从头到尾打印品质一致，不会越打瑕疵越多，大幅降低商用设备故障率和售后成本。 四、选型指南：拒绝盲目选型，精准匹配不踩坑 喷头MOS选型不能盲目看电流参数，核心看控温反应速度、发热控制和封装大小。 迷你家用机、教育小型机 直接选用 HKTQ30N03，适合机身空间紧张、追求小巧外观精致、控温细腻、性价比高。 大尺寸、高速FDM打印机型 直接选用HKTD50N03，适合工作室批量打印、长期连续工作低热稳定、抗老化、耐用性强。 五、结语：硬件升级，才是品质升级的关键 3D打印品质的核心在于喷头加热控温的稳定性，合科泰两款喷头专用MOS，分别覆盖家用精细打印与商用长效稳定打印两大场景，从硬件根源解决拉丝、层纹、堵头、温控漂移等行业痛点，助力整机厂商提升设备品质、降低售后故障率，是现阶段FDM打印机喷头控温升级的优选方案。
半导体
厂商投稿 . 昨天 413
市场 | 全线调涨30%，MLCC提价风暴，愈演愈烈！
MLCC 大家都以为AI狂潮只属于GPU和大模型，却没想到一颗微米级的电容正把产业链搅得天翻地覆。 单机柜消耗44万颗高阶MLCC、三星电机利润暴增超100%、日韩巨头全线提价30%，行业呈现“即便接受涨价，交付周期也难以保障”的状态。 当全球云端巨头开始按“年”抢锁产能，这场由“电子工业之米”引发的提价风暴，正愈演愈烈。 日韩龙头接力提价，全系调涨最高30% 据韩国《朝鲜日报》近期供应链消息，日系、韩系MLCC头部厂商已正式向下游代理商及渠道合作伙伴发出书面涨价通知，开启下半年大范围价格上调。 三星电机：通知显示，自2026年8月1日起，旗下全系列MLCC产品出货价格统一在现行基础上上调30%。本次调价覆盖消费电子、工控、汽车以及AI服务器全品类料号，且没有设置任何规格豁免条款。业内人士透露，三星电机在通知中未过多阐述成本压力，仅提及当前订单交付压力较大，将优先保障长期协议客户的产能供给。 太阳诱电：紧随其后向全球经销商下发调价函，确定自2026年9月1日起执行MLCC新出货价。官方函件直言，近期钛酸钡粉体、镍粉、稀土辅料等原材料价格急剧上涨，企业依靠内部工艺优化与降本已难以消化，不得已启动终端调价。 此次两家厂商接力涨价，并非行业孤立动作。回溯2026年上半年，本轮涨价早已形成连锁效应： 日本村田制作所：早在3月底便率先针对AI服务器与高阶车规MLCC上调15%~35%的价格，拉开本轮涨价序幕； 太阳诱电：曾于4月进行过一轮阶段性调价，当时高容车规产品涨幅达10%~30%，消费级规格上调6%~13%； 中国台湾厂商国巨与华新科：国巨于7月1日启动全品类电容涨价，产业链人士反映，整体涨幅约50%；华新科同步上调消费类MLCC价格5%~15%。 据《上海证券报》与《每日经济新闻》对深圳华强北电子元器件商户的实地走访，多位代理商及贸易商反馈，经原厂多轮调价后，现货市场0402、0603常规小容值MLCC报价波动剧烈，热门紧缺型号频现“单日报价失效、两周内大幅跳涨”，部分高容AI专用规格现货涨幅尤为突出。 三星电机利润翻倍，AI长协锁定产能 原厂调价的底气，直接体现在三星电机刚刚发布的2026年第二季度合并财报当中。 财报披露，三星电机二季度合并营收3.4572万亿韩元（同比增24.2%，环比增7.7%）；营业利润达4404亿韩元（同比暴增106.7%，环比上涨57.0%），盈利表现大幅超出行业预期。其中，元器件事业部本季营收1.6494万亿韩元（同比大增29%），AI数据中心服务器元器件与车载被动元件出货量是核心推动力。 更值得注意的是，MLCC市场的传统采购模式正由“季度询价、小批量现货”向“1年期以上长约锁量锁价”快速转型： 长协客户扩容：三星电机的财报显示，截至7月末，三星电机AI MLCC长期供货协议（LTA）合作客户已扩容至10余家，涵盖全球多家超大规模云服务商（Hyperscalers）与头部半导体设计企业。 专项大单频现：仅7月单月，三星电机就对外披露两笔大额AI服务器MLCC专项长协（6月30日敲定4500亿韩元、7月23日签署2951亿韩元，交付周期均锁定至2027年全年）。年内公开的算力MLCC长协总额已近7500亿韩元（约5.1亿美元）。 从硬件消耗来看，单台AI机柜MLCC使用量可达44万颗，是常规通用服务器的8至10倍、智能手机的30倍以上。更严峻的是，高阶AI规格要求介质薄膜厚度控制在1微米以内，生产工艺极度复杂，单条产线产能仅为普通MLCC的1/10，且良品率偏低。日韩龙头将有限产能优先倾斜给长协大客户，或将造成流通市场可外售货源大幅收缩。 成本高企与产能排挤的双重“挤压” 上游原材料成本实打实上行 太阳诱电将原材料涨价放在调价理由首位，并非企业托词，上游核心物料近一年价格持续走高，已经对海外MLCC制造企业形成刚性成本压力： 钛酸钡陶瓷粉体：作为MLCC核心介质材料（高阶产品中成本占比达35%~45%），AI所需的120纳米级高纯超细粉体主要由日企垄断，叠加稀土改性助剂管控，采购价格大幅攀升； 超细镍粉与辅材：印尼镍矿出口管控推高全球镍价，直接抬升MLCC内部电极成本。此外，离型膜、玻璃粉、封装树脂等辅材同步上涨，导致企业内部降本空间触顶。 高阶产能被AI长协订单锁定 目前村田、三星电机、太阳诱电三家日韩巨头在全球MLCC高阶市场上占据主导地位。 在高阶MLCC新产线建设周期长达18~24个月的情况下，受限于漫长的扩产周期约束，厂商短期内无法快速新增有效产能，只能通过内部排产结构调整，压缩消费级与低端工控产品产能投放。 业内人士分析认为，这直接导致高阶AI规格交期拉长至4~6个月，而中端通用型号因产能投放减少，形成供需同步趋紧的局面。代理商频频遭遇原厂订单无法足额排产、分批交货的情况，渠道端的恐慌性补库进一步放大了涨价效应。 日韩出货创五年新高，现货飙涨二至三倍 据TrendForce集邦咨询最新调查，受谷歌TPU、亚马逊AWS Trainium等自研ASIC算力平台的强劲拉货推动，今年6月村田（1400亿颗）、三星电机（980亿颗）与太阳诱电（400亿颗）的单月出货量，同步冲上了近五年来的历史新高。 不过，这股庞大的出货潮，并没有惠及整个电子产业，反而引发了一场“产能排挤”。 为了优先保障云端巨头的算力订单，日韩原厂正加速将原本用于消费电子的X5R产能，批量调配转向AI专用的X6S/X7R等高阶规格。这一调配直接击中了通用市场的供需要害——1μF至22μF的消费级中高容MLCC产能供给瞬间收紧，主流料号在渠道端的库存水位被迅速推低至30天的警戒线以下。 供给端的陡然趋紧，迅速在中游市场引发连锁反应。 尽管终端消费电子整体需求依然偏温和，但中游渠道早已陷入抢货的焦灼状态。代理商顺势调高出货报价，现货市场上部分紧缺型号的价格甚至被直接炒到了原本的2到3倍；而无法获得日韩原厂优先保障的中小型客户，急单则开始疯狂向中国台湾与中国大陆厂商外溢，进而拉动了整个产业链的跟涨情绪。 这一系列连锁反应，造就了当前MLCC市场特殊的结构性行情：终端消费电子需求并未全面回暖，渠道现货价格却因AI算力订单挤占产能出现大幅上行。 整体来看，日韩原厂以30%的提价幅度打响了下半年被动元件调价的第一枪。在算力需求持续虹吸高阶产能的格局下，MLCC市场的供需重组仍将持续。对于硬件制造业而言，供应链的成本压力和交付考验，才刚刚开始。
MLCC
全球半导体观察 . 昨天 1400
企业 | 传恩智浦将收购安霸
据报道，恩智浦半导体公司正在洽谈收购另一家汽车芯片供应商安霸公司。 《金融时报》今日援引消息人士的话称，其他业内公司也可能参与竞购。报道并未透露其他细节，尤其是安霸公司（Ambarella）的预期售价。在收购传闻引发股价上涨16%之前，该公司市值约为32.5亿美元。任何收购报价都可能使其估值更高。 总部位于荷兰的恩智浦半导体（NXP）是全球最大的汽车芯片供应商之一。其处理器广泛应用于车载信息娱乐系统、自动驾驶系统以及其他各种汽车零部件。恩智浦半导体还活跃于包括数据中心市场在内的多个其他领域。其芯片用于诸如为服务器分配电力和管理冷却液流量等任务。 总部位于加州圣克拉拉的安霸公司与恩智浦在许多领域展开竞争，尤其是在汽车行业。该公司生产的芯片使汽车制造商能够在车辆中安装人工智能软件。 安霸（Ambarella）于今年1月发布了其最新的车载芯片CV7。CV7集成了四核中央处理器、图像信号处理器和视频编码器。图像信号处理器能够增强来自车辆传感器采集的视频信号，包括消除误差、提升亮度以及进行其他图像编辑。而CV7的视频编码器则将视频压缩成更节省内存的格式，以便更轻松地通过网络传输。 该芯片还配备了人工智能加速器。据安霸公司称，该模块基于定制架构，其能效比同类产品高出五倍。这项技术使 CV7 能够运行基于 Transformer 的语言模型。 汽车制造商可以利用这款芯片为其车辆的ADAS（高级驾驶辅助系统）提供动力。此类模块提供有限的自动驾驶功能，例如自动泊车和车道居中保持。 安霸公司提供的CV7芯片还搭配了一款名为CV3-AD685的更先进的处理器。它能够为车辆配备L4级自动驾驶功能，即在大多数情况下无需驾驶员干预即可运行。该芯片包含一个名为“安全岛”的强化处理模块，该模块经过优化，可运行主机车辆最敏感的代码。 许多自动驾驶汽车会利用雷达测量数据来增强摄像头拍摄的视频。雷达传感器的工作原理是发射无线电波并测量附近物体对其的反射情况。每个反射的无线电波都会成为点云中的一个点，点云就是车辆周围环境的三维地图。 CV3-AD685 配备了一套名为 Oculii 的雷达算法。据安霸公司称，该软件能够根据车辆雷达的工作环境调整其产生的无线电波。这既减少了收集雷达数据所需的天线数量，又提高了地图分辨率。 安霸公司的技术有望帮助恩智浦半导体提升其在自动驾驶汽车市场的份额。Waymo LLC、亚马逊旗下的Zoox以及其他业内企业目前都在积极扩大其自动驾驶出租车车队规模。安霸公司的芯片还应用于包括工业机器人市场在内的其他六个以上领域。
恩智浦
半导体行业观察 . 昨天 826
产品 | 爱普生推出紧凑型 TG1210SRN 和 TG1210STN 温度补偿晶体振荡器（TCXO）
在宽温度范围内实现高精度频率稳定性，体积较现有产品缩小 63%*¹，帮助客户设备节省空间 近年来，随着高精度定位系统（如 GNSS*²）、智能手表等可穿戴设备以及智能家居和工业传感器等物联网设备市场的不断扩大，对高精度、低功耗时钟器件的需求持续增长。与此同时，通信模块、工厂自动化（FA）设备以及数据中心时钟同步解决方案等应用领域，也越来越需要能够在高温环境下保持稳定频率特性的 TCXO 产品。 为了满足这些市场需求，爱普生开发并推出两款全新的小型高精度温度补偿晶体振荡器（TCXO）—— TG1210SRN 和 TG1210STN。TG1210SRN 和 TG1210STN 在 -40℃ 至 +105℃ 的宽工作温度范围内，可实现 ±0.5 × 10⁻⁶（Max.） 的高精度频率-温度特性。即使在温度快速变化等严苛环境下，产品依然能够保持稳定性能，从而确保可穿戴设备中集成的 GNSS 定位和通信功能可靠运行。 两款产品均采用 1.2 mm × 1.0 mm 的超小型封装，其体积较同类对比产品缩小 63%。更小的尺寸有助于客户进一步节省设备内部空间。此外，产品内置待机功能，可有效延长物联网设备和可穿戴设备的工作时间。 产品主要特点 ■ 宽温度范围下的高精度频率稳定性 · 工作温度范围：-40℃ ～ +105℃ · 频率稳定度：±0.5 × 10⁻⁶（Max.） ■ 超小型封装 · 尺寸：1.2 mm × 1.0 mm ■ TG1210SRN 供电电压范围：1.70V ～ 3.63V，可为通信模块及工业设备设计提供更大的灵活性； ■ TG1210STN 低电压工作范围：1.10V ～ 1.95V，特别适用于智能手表、移动设备等对低功耗要求较高的应用场景。 未来，爱普生将继续发挥其在高效、紧凑和精密技术方面的优势，持续提供满足各类电子设备及社会基础设施需求的晶体器件产品，为社会发展作出贡献。 除以上发布的产品外，爱普生还提供 1.6 mm × 1.2 mm 和 2.0 mm × 1.6 mm 等不同封装尺寸的产品型号。产品阵容不仅包括Clipped Sine Wave输出型号，还包括 CMOS 输出型号。 *1 同爱普生TG1612SLN 温补晶振做对比。 *2 “全球导航卫星系统”缩写，全球卫星定位系统之一。 *3 文中产品数据来源于爱普生实验室测试结果，因使用环境和设置的不同，与实际使用数据存在差异。
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爱普生电子元器件 . 昨天 728
市场周讯 | 日本熊本7.1级地震冲击九州半导体制造业；美国封杀中国产先进人形机器人和逆变器；深圳再添两个百亿级半导体项目
| 政策速览 1. 美国：美国联邦通信委员会（FCC）更新了其“受管制清单”（Covered List），新增两类设备——“先进机器人设备”（被定义为移动机器人，例如人形机器人和四足机器人）以及外国生产的联网电源逆变器。美国该机器人禁令预计将波及全球领先的类人机器人公司中国宇数科技，该公司占全球市场份额接近于五分之一。我国也是世界上最大的逆变器生产国，以阳光电源和华为为首。 2. 欧盟：欧盟将提供100亿欧元(114亿美元)的资金，资助企业建立7个人工智能巨型工厂，以缩小与美国的人工智能差距。欧盟委员会表示，希望公共融资能够吸引额外的200亿欧元(228亿美元)私人投资。企业现在可以竞标建造超级工厂的合同，这些工厂计划配备至少10万个尖端人工智能芯片，其性能大约是目前欧盟运行的数据中心性能的四倍。根据美国2025年的评估，欧洲在人工智能发展的关键领域远远落后于美国。根据6月份提交给欧洲议会的一份委员会报告，欧洲企业和公共当局将继续依赖美国人工智能提供商，这不利于在前沿工作的欧洲服务提供商。 3. 中国浙江：《浙江省人工智能赋能制造业数字化转型实施方案（2026—2030年）》印发，其中提出，推动新一代信息技术产业的应用赋能。聚焦集成电路、智能物联、高端软件，推动人工智能与信息技术产业深度融合。集成电路重点突破EDA智能化能力，推动计算光刻、辅助缺陷检测等场景落地。智能物联推动智能传感器与边缘AI融合，实现端侧实时决策，构建物联感知中台。高端软件聚焦多模态感知、时序预测与智能决策，构建覆盖需求设计、开发测试、运维管理的智能化工具链。 | 市场动态 4. 日本地震：2026年7月28日，日本熊本县发生7.1级地震，部分地区观测到日本地震烈度最高等级“震度7”。地震发生后，日本多家大型制造企业已经暂停九州地区部分工厂的生产，以评估强震造成的损失。例如，丰田汽车7月29日表示，公司位于日本南部的3家工厂将停产至7月31日；本田汽车也将会延长熊本摩托车工厂的停产时间，同样持续至7月31日，以维修在地震中受损的部分工厂；台积电熊本工厂（JASM）、索尼、瑞萨电子、东京电子、荏原制作所等半导体相关企业相继疏散员工、暂停生产或启动厂区检查。 5. TrendForce：随着NVIDIA 出货新一代Spectrum-X CPO交换机给部分合作伙伴、Broadcom的51.2T Bailly CPO交换机持续小量出货，象征共同封装光学（CPO）正式迈入量产阶段。CPO整合光学元件至交换机ASIC周边，达到降低功耗的效果，成为下一代高带宽交换机的核心发展方向。 6. 洛图科技：2026年上半年，中国耳机耳麦市场的全渠道销量为8797万副，同比下降15.9%；销额为204亿元，同比下降12.4%；均价为231.9元，同比增长4.1%。2000元以上超高端市场遭遇了断崖式下跌，销量的同比降幅超过了30%。在此轮下跌中，Apple、Sony、BOSE三大外资品牌受创最深。 7. 国家发展改革委：上半年，我国人工智能自主创新步伐加快，在全产业链多环节实现快速突破。国家发展改革委政策研究室主任、新闻发言人蒋毅表示：一是算力底座夯实，首个全国产10万卡人工智能超集群正式投用，截至6月底，全国智能算力规模达到去年同期的2.8倍。二是模型能力跃升，深度求索、月之暗面等本土企业先后发布多个万亿级参数开源大模型，国产大模型全球总下载量突破100亿次，国产模型与国产算力芯片加速适配。三是要素流动活跃，建成高质量数据集超过12万个，算力、模型、数据互促共进的良性循环加速形成。在各方面协同带动下，人工智能成为经济增长的澎湃动力源，相关行业保持30%以上的高增长。 8. 工信部：上半年，信息技术服务收入52907亿元，同比增长10.4%，占全行业收入的68.5%。其中，云计算、大数据服务共实现收入8877亿元，同比增长12.1%，占信息技术服务收入的16.8%；集成电路设计收入2365亿元，同比增长20.1%；电子商务平台技术服务收入6221亿元，同比增长5.5%。 9. SEMI：2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%，达到3573百万平方英寸，2025年同期为3327百万平方英寸。出货量较2026年第一季度记录的3275百万平方英寸环比增长9.1%。 10. 中国深圳：两大电子产业链龙头企业相继披露重大投资计划，项目双双落子深圳，合计规划投资规模超过200亿元，分别瞄准AI服务器电路板和半导体大尺寸硅片两大高成长赛道。臻鼎科技集团在深圳宝安举行鹏鼎控股第三园区动土典礼。该项目由臻鼎科技集团旗下核心上市主体——鹏鼎控股（深圳）股份有限公司投资，总投资超100亿元，将打造人工智能高阶类载板及柔性电路板智造基地。TCL中环发布公告，拟以控股子公司中环领先的子公司——深圳中环领先为主体，投资建设“集成电路用半导体大硅片深圳项目”，投资总额预计约为119.6亿元。 11. 国家统计局：上半年，人工智能与各领域加速融合，算力需求大幅增长，推动电子行业利润同比增长96.9%，拉动全部规模以上工业企业利润增长8.5个百分点，是规模以上工业企业利润较快增长的重要支撑。其中，服务器、高性能工作站相关领域中，计算机整机制造、计算机外围设备制造行业利润分别增长689.3%、305.8%；电子器件制造领域中，集成电路制造、半导体分立器件制造行业利润增长2579.5%、31.2%；电子元件及电子专用材料制造领域中，电子专用材料制造、电子电路制造行业利润增长209.7%、26.9%。 12. Counterpoint：全球智能手机 SoC 出货规模在 2026 年上半年出现 15% 的同比衰退。该机构预计全年衰退比例将达到 14%。 13. Omdia：球智能手机市场在 2026 年第 2 季度录得 2.72 亿部的出货量，同比下降 6%。 14. TrendForce：DRAM 内存市场在明年维持供给紧张格局，价格走势偏强；而 NAND 闪存供给将在 2027H2 趋向宽松，价格可能面临修正压力。 | 上游厂商动态 15. 高通：高通正在采取切实措施扩大未来的利润率，包括从9月1日起全面提高公司芯片的价格，预计的涨价幅度是双位数（即10%及以上），涵盖了公司全系列芯片产品，并寻求其他方法来简化公司的供应链。 16. Microchip：Microchip已签署最终协议收购Hailo。Hailo是一家提供加速边缘AI处理器、先进视觉处理解决方案、机器人处理器和综合AI软件流程的公司。 17. Lattice：莱迪思完成了对 AMI 的收购，打造了业界领先的数据中心 AI 与物理 AI 安全管理和控制平台。此次收购将莱迪思在低功耗 FPGA 领域的深厚积累与 AMI 市场领先的平台固件及基础设施可管理性技术相结合，显著扩展了莱迪思的技术能力、业务规模、客户群体以及可触达的市场空间。 18. 三星电机：三星电机向客户发布调价通知，自 2026 年 8 月 1 日起，部分 MLCC 产品在现价基础上调价 30%。 19. 原粒半导体：原粒半导体发文宣布，已于近日完成超7亿元A轮融资。继今年4月完成超5亿元Pre-A轮融资后，原粒半导体三个月内累计融资已超过12亿元。本轮融资由九安医疗、汤臣倍健、绿茵生态等上市公司，以及北洋海棠基金、仁爱基金等投资机构联合投资，武岳峰科创、英诺、一维创投等多家老股东持续加注。 20. 高通：在今年9月22日的骁龙峰会上，高通将推出两款骁龙旗舰移动平台，将采用新一代神经渲染技术。高通技术公司高级副总裁兼手机业务总经理Chris Patrick表示，由AI驱动的新一代神经渲染技术，融合神经网络处理、超级分辨率和帧生成等技术，正在重新定义游戏图形呈现方式。AI模型也正在改变游戏被开发、被创造以及被体验的方式。 21. 台积电：台积电正在开发一种与英特尔已有的先进芯片封装技术类似的产品，这表明这家全球领先的芯片制造商担心竞争对手的竞争。芯片封装是芯片生产的最后阶段，将不同硅片组装成一个单元并接线，使其能够作为一个整体工作并连接到计算机的其他部分。 22. 三星电子：目前正在与博通及其他主要客户就其他各类项目进行磋商，以持续拓展其在先进工艺节点上的芯片设计业务和产品组合。该公司预计，到2026年，其2nm项目将比2025年增长一倍以上。 23. NVIDIA：随着工程团队致力于开发越来越复杂的CPU、GPU和人工智能系统，现代芯片设计的复杂性也在不断增加。为应对这一挑战，英伟达正部署Vera应用于其下一代CPU和GPU开发的EDA工作流程。 24. 英特尔：由于AI服务器需求对DRAM容量的巨大压力，DDR5模块价格依然偏高，但仍有进一步上涨的空间。 有报道称英特尔将重启支持DDR4的CPU平台。供应链内部人士证实，小规模出货始于6月，预计9月将有显著的增量。 25. 澜起科技：澜起科技宣布，率先在业界试产CXL® 3.2内存扩展控制器 (MXC) 芯片。该产品面向人工智能、云计算、数据中心等场景的内存扩展与资源池化需求，旨在通过CXL技术助力客户构建更大容量、更高利用率、更加灵活的内存基础设施。 26. 盛群：台系MCU厂商盛群宣布，由于晶圆和封装成本上涨，今年将对全产品线进行价格调整，涨幅约10%~20%。 27. Skyworks&Qrovo：近日公布了合并后公司的预期高管领导团队，该任命将于待定交易成功完成后正式生效。Skyworks总裁兼首席执行官Phil Brace先生将出任合并后公司的首席执行官。 | 应用端动态 28. 小米：小米澎程技术发布会上，小米集团CEO雷军表示，小米澎程系列将搭载4nm座舱SoC芯片，4nm辅助驾驶计算芯片（NVIDIA DRIVE AGX Thor车载计算平台）。 29. 宇树科技：宇树科技（688836.SH）拟公开发行新股4044.6434万股，占发行后总股本的10%，发行后总股本40446.4340万股，全部为新股、不设老股转让。初步询价日为2026年8月5日，网上网下申购日为8月10日，中签缴款日为8月12日。公司设特别表决权安排，实控人王兴兴合计控制68.78%表决权。
半导体
芯查查资讯 . 2026-08-03 959
新品推荐 | ADI全集成FOC伺服电机驱动芯片TMC6460
随着机器人、自动化设备、医疗设备和云台相机向小型化、高精度方向发展，电机驱动系统既要满足定位、响应、噪声和温升要求，又要尽量压缩PCB空间。传统伺服方案通常需要运动控制器、栅极驱动器、功率MOSFET、电流采样及反馈电路，硬件复杂，FOC算法开发和调试也会占用大量工程资源。 图：TMC6460外形与应用框图（来源：ADI，下同） 针对这些痛点，ADI推出全集成磁场定向控制（FOC）电机驱动芯片TMC6460，将运动控制、三相功率级、电流检测和多类型反馈接口于一体，为小型伺服系统提供更紧凑的驱控方案。 TMC6460主要特性 TMC6460是一款工作电压为36V的高性能FOC电机驱动芯片，适用于无刷直流（BLDC）电机、永磁同步电机（PMSM），以及直流伺服电机，连续输出电流能力最高为3A，电流检测范围最高为5A。 其最大的亮点在于其“全功能高度集成”，在其芯片内部，集成了FOC控制算法与运动控制内核（MCC）、三相功率驱动级（36V Half-Bridge）、电流采样与ADC接口、多类型反馈接口（编码器/Hall/SPI等）、通信接口（SPI/UART）等。 相比于需要MCU、预驱、驱动IC、采样电路等的传统离散设计方案，TMC6460可以显著减少外围BOM与PCB面积。加上尺寸为5mm✕7mm和4mm✕6mm的38引脚TQFN封装，特别适合空间受限的应用场景。 具体来看，其主要特性如下： 1. 内置功能强大的运动控制内核：在其芯片内部，集成了功能强大的运动控制内核，可以实现硬件级FOC控制，包括Clarke/Park变换、电流PI控制、速度与位置闭环，以及SVPWM调制。 所有实时关键运算均在硬件中完成，使控制环路频率可达200kHz。相较于基于MCU的软件FOC具有更低延迟、更高控制带宽、更稳定的动态响应等显著优势。特别适合低电感电机、空心杯电机等高速动态应用，可实现低噪声、高效率驱动。 2 . 内 置无损电流检测：TMC6460采用了基于MOS导通电阻的无损电流采样技术，因此，不需要外部采样电阻，也不会产生额外功耗，而且可以节省大量PCB面积。 另外，芯片内部集成了高精度放大器与ADC，可实现精准电流测量，并支持动态增益调整以兼顾大电流冲击与小电流精度。 3. 集成多传感器接口：TMC6460内置强大的反馈引擎，支持多种传感器类型，包括ABN增量编码器、数字/模拟霍尔传感器、SinCos绝对编码器，以及SPI/SSI/多摩川等绝对编码器。并且支持双反馈通道，实现电机端与负载端编码器组合，以及霍尔与编码器联合控制组合。 此外，内置多圈计数与速度测量模块，可实现高精度位置与速度闭环控制。 4. 成8点斜坡控制器： 在运动控制里，加减速曲线的规划很重要，太陡峭，电机会抖动；太平缓，电机效率就会低。而TMC6460内置了8点斜坡控制器，可以设置多点速度过渡，让电机运行更平稳。对于需要精确定位和快速加速的场景来说，这个功能很实用。 5. 完备保护与诊断： 为了确保工业级可靠性，TMC6460内置了多重保护机制，包括过流保护、过温保护（约165℃关断）、欠压/过压检测，以及短路保护功能。同时，芯片提供丰富的状态寄存器与诊断信息，支持实时监控电流、电压、温度等关键参数，便于系统调试与远程维护。 6. 高灵活性 ：TMC6460支持多种控制方式，包括SPI（支持菊花链）、UART（支持自动波特率和RTMI实时监控），以及单线PWM/模拟控制输入。这种灵活性，使其既可以作为智能驱动，也可以作为嵌入式控制节点，方便集成到各类系统架构中。 主要应用场景 TMC6460适用于机器人与自动化设备、SMT贴片机、摄影云台、安防PTZ摄像机、输液泵、注射泵及体外诊断设备。它并非单纯追求更大的电机功率，而是在36V、3A等级内，以硬件FOC和丰富反馈接口解决小型伺服系统空间有限、控制复杂和调试周期长的问题。 对于需要高转速、低噪声、快速定位和紧凑尺寸的开发者而言，TMC6460提供了从分立驱控架构转向单芯片方案的新选择。不过，接近最高输出电流运行时，仍需结合环境温度、PCB铜箔面积和散热条件进行降额评估。芯查查主页设有“新品“专栏，点击文末“阅读原文”查看更多新品内容~
芯片
芯查查资讯 . 2026-08-03 1 700
物理AI商业化路线图：先上车，再进厂，最后进家？
重点内容速览： 1. 什么是物理AI？ 2. 智能驾驶将会是最先落地的场景 3. 下一波规模化增量在工厂和仓库？ 2024年，黄仁勋开始在Hill & Valley Forum等场合提出“感知AI-生成式AI-代理AI-物理AI”的AI发展阶段框架。2025年1月的CES上，他以物理AI为主题作了系统阐述，提出AI的下一个前沿是理解物理定律、拥有身体的AI，随后他在后面的公开活动中持续强化这个概念。 如今，物理AI已经从NVIDIA主导的单一叙事，演变为半导体、机器人公司、云厂商等相关企业合力追逐的行业发展浪潮。2026年Computex台北展首次设立独立的“机器人与物理AI”展区，标志着这一赛道已经成为产业的核心议题。 那么，什么是物理AI，它与我们现在都在聊的AI有什么不一样？现实中，它又会在哪些场景落地，给半导体产业链带来了哪些机会，遇到了哪些挑战等等，芯查查会带您一起了解。 什么是物理AI? 物理AI（Physical AI）是指具备在真实物理环境中，感知、推理，和执行能力的智能系统。在产业落地中，它的典型载体主要包括三大方向，自动驾驶平台、人形机器人和工业自动化设备 一般来说，物理AI包含三个环节：通过摄像头、激光雷达等传感器采集物理世界中的数据进行感知；然后理解物体属性、空间关系与物理规模，进行推理；最后通过机械臂、机器人等执行器操作真实物体进行行动。与传统只在屏幕内运行的AI相比，物理AI打通了“数字世界”与“物理世界”的边界。 目前物理AI仍处于从“研发/演示”向“规模化产业落地”过渡的早期阶段。但已经有不少标志性的产品和平台问世。 NVIDIA Isaac GR00T N1：一款开源的人形机器人基础模型。最新可用版本为Isaac GR00TN1.7，基础模型参数规模为30亿参数,采用新的Cosmos-Reason2-2B作为视觉语言模型骨干。已能在Fourier GR-1、1X Neo等人形机器人上完成家用及工业场景的双臂操作任务，操作成功率比现有模仿学习模型提升约30%。预计今年年底前会推出Isaac GR00T N2版本。 NVIDIA Alpamayo ：面向自动驾驶的开放式推理VLA模型与开发套件，能够理解复杂驾驶情境，生成因果推理过程和行驶轨迹，推动自动驾驶从模块化感知与规划向具备情境理解和推理能力的端到端架构演进。 Google Gemini Robotics 2： 它包含视觉-语言-动作模型Gemini Robotics 2、具身推理模型Gemini Robotics ER2，以及在机器人本地运行的轻量VLA模型Gemini Robotics On-Device2这 3个模型。 此外，还有Figure AI自研的Helix VLA模型，以及国内的小米最新推出的具身智能基座模型 Xiaomi-Robotics-1、阿里巴巴依托千问大模型布局了QwenRobot世界模型、智元机器人等GO-1通用具身基座模型、自变量机器人的端到端大模型WALL-A等。 物理AI的发展，离不开数字AI能力向现实世界迁移。Transformer、多模态大模型和视觉语言模型，使AI能够同时理解图像、语言、空间关系和任务意图。视觉—语言—动作模型（VLA）又进一步把“看见什么、听懂什么、应该做什么”连接起来。例如Google DeepMind的Gemini Robotics 2的定位，就是将视觉信息和语言指令转化为机器人的电机控制指令。 但从“理解”到“执行”，仍然需要解决三大问题，即表征，数据和试错方式。 首先是 表征 。文本拥有天然的词元（Token），机器人面对的却是连续视频、点云、位置、力矩和动作轨迹，模型需要将复杂的三维环境编码成可理解、可预测的状态。 其次是 数据 。互联网上存在海量文本和图像，却很少有足够多、标准化且高质量的机器人操作数据。正常抓取可以反复采集，碰撞、跌倒、极端天气和设备故障等高价值数据，却往往代价高、风险大。 三是 试错方式 。聊天机器人答错一句话可以重新生成，汽车和机器人却不能在现实环境中无限试错。数字孪生、物理仿真、合成数据和强化学习的重要性因此上升，它们相当于为物理AI建立一个可以低成本重复训练的“虚拟世界”。 NVIDIA的Cosmos正是沿着这一方向布局。其世界基础模型可用于生成合成数据、理解物体交互和训练机器人策略。不过，世界模型目前仍不能完全替代真实测试。2026年一项针对23个模型、9600段生成视频的研究指出，现有模型在物体离开视野后，仍可能无法持续维护一致的世界状态。换句话说，画面逼真并不等于模型真正理解了物理规律。 智能驾驶将会是最先落地的场景 如果从广义物理AI看，智能汽车是目前规模较大、商业链条也较完整的载体之一。 一辆智能汽车已经具备典型的物理闭环：摄像头、毫米波雷达等感知道路环境，计算平台识别车辆、行人和车道，系统预测其他交通参与者的行为、规划行驶轨迹，再控制转向、制动和动力系统，并根据道路与车辆状态持续修正。 L2及L2+辅助驾驶已进入规模化应用，成为量产车标配或选配。部分限定区域的Robotaxi已进入真实运营：Waymo在美国多个城市提供付费服务，车队规模达到数千辆量级，每周完成约50万次付费行程；百度Apollo Go在中国多城及海外试点中累计完成数千万次行程，部分城市实现全无人商业运营；小马智行、文远知行等也在加速车队扩张。智能驾驶正从模块化系统向端到端模型演进，VLA和世界模型开始被用于场景理解、策略训练及安全验证。云端承担训练和数据闭环，车端承担低延迟推理与实时控制。 当然，“率先落地”不等于“已经完全成熟”。智能驾驶面对开放道路、极端天气和大量长尾场景，安全监管及事故责任认定也比工厂、仓库更加复杂。已经规模化的L2/L2+不能等同于面向所有道路和天气的通用L4。智能驾驶已经证明物理AI可以形成产品和商业闭环，但尚未解决开放世界中的全部问题。 下一波规模化增量在工厂和仓库？ 智能驾驶率先跑通部分闭环，并不意味着它会独占下一阶段的物理AI增量。相较于开放道路，工厂和仓库的任务边界更清晰、环境更结构化，也更容易衡量一台设备到底创造了多少价值。 道路、工位、设备及人员活动范围相对可控，适合率先部署上下料、零件分拣、视觉质检、物料搬运、设备巡检和危险重复作业。工厂已具备PLC、MES、工业以太网、机器视觉和工业机器人等自动化基础。物理AI不是完全从零建设，而是在现有系统中增加环境理解、任务泛化和自主决策能力。 仓储物流更容易形成数据和运营闭环。货架、通道及任务流程相对标准化，可依靠WMS、WES和AMR调度系统持续积累运行数据。搬运量、分拣效率、设备利用率、人工成本、故障停机时间和投资回收周期均可量化，因此比家庭机器人更容易证明商业价值。专业服务机器人中，运输与物流类已占相当比例，AMR车队在电商和制造物流中持续扩张。 人形机器人可能先“进厂”，再“进家”。家庭环境虽然为人设计，但房屋布局、物品类型、老人、儿童和宠物等变量很多，同时面临价格、续航、隐私及安全压力。相比之下，人形机器人在工厂和仓库可以使用现有的人类工具、通道、货架及工作站，任务范围也可以被明确限制。 Figure在宝马工厂完成长期试点，累计运行超千小时并处理数万件钣金件；Agility Digit已在多家客户设施累计数万小时运行；国内智元等企业已实现万台级出货并进入3C制造、仓储等场景验证。 需要强调的是，这些多数仍是限定任务的试点或早期商业部署，尚未达到通用人形机器人大规模量产的成熟度。人形机器人最先证明商业价值的地方，可能不是客厅，而是生产线和物流中心。 表：物理AI需要落地场景的优劣势对比（来源：芯查查） 结语 智能驾驶已经走在物理AI商业化前列；工厂和仓储物流更可能承接新一代物理AI的下一波规模化订单；家庭通用机器人仍需跨越可靠性、成本、安全、续航及数据等门槛。物理AI看似遥远，其实已经开始逐渐进入我们的生活当中了。 至于物理AI会给产业链带来哪些机会，参与的企业有哪些，以及遇到的挑战，请关注芯查查后续的文章。
原创
芯查查资讯 . 2026-08-03 539
涨价 | 高通CEO确认：9月1日起涨价超10%！
当地时间7月29日，高通公司公布了2026财年第三季度（截至6月28日）财报，虽然营收符合预期，但净利润却同比大跌25%。特别是随着苹果采用自研5G调制解调器逐步取代高通方案，这家移动通信芯片巨头正迎来一场深刻的结构性转型。 高通公司CEO克里斯蒂亚诺·安蒙（Cristiano Amon）坦言，来自苹果的收入正急剧下滑，预计今年在苹果新iPhone当中的基带芯片占比低于20%。但高通已提前布局数据中心、汽车与工业物联网等高速增长的新赛道，力图在2027财年前填补这一缺口。2029财年的非手机业务总收入目标是增长至400亿美元，其中，数据中心业务的营收目标则是150亿美元。 财报公布后，高通股价盘后一度跌超7%，在7月30日的常规交易时段，高通股价一度大跌超6%。 调整后净利同比下滑23% 按照美国通用会计准则（GAAP）计算，高通2026财年第三财季营收为99.47亿美元，处于公司指引区间上限，但较上年同期的103.6亿美元同比减少4%；GAAP净利润为20.02亿美元，较上年同期的26.66亿美元同比下滑25%；稀释后每股收益为1.87美元，较上年同期的2.43美元同比下滑23%。 剔除一次性项目后，Non-GAAP口径下，高通第三财季净利润为23.56亿美元，同比下降23%；每股收益为2.21美元，与上年同期的2.77美元相比降幅约20%。 高通公司总裁兼首席执行官Cristiano Amon表示：“尽管内存和供应环境充满挑战，我们第三财季业绩依然坚实执行了增长战略，季度收入处于指导水平的高端。” 内存涨价“反噬”手机基本盘 高通第三财及净利润大幅下滑25%的最核心原因，是内存等关键半导体芯片成本飙升，导致智能手机厂商成本压力增加而被迫涨价或减配，影响了终端需求。同时，对于高通来说，半导体制造、封装测试等整体供应链成本上涨，压缩了其利润率。 高通直言：“半导体行业的投入成本正在全面上涨，涵盖晶圆制造、组装、测试、先进封装、存储器和其他材料等各个环节。” 安蒙在财报电话会上表示：“在短期内，整个行业将继续受到前所未有的内存价格、更高的制造和投入成本，以及由整体数据中心需求驱动的供应链短缺的影响。” 财报显示，第三财季高通手机业务（QCT）营收仅50.9亿美元，同比下滑20%，内存价格暴涨导致手机整机成本上升、终端需求被压制。 安蒙在CNBC采访中进一步剖析了需求端的微妙变化：内存涨价推高了高端手机的整机成本，消费者正倾向于“在高端产品线里选择价位更低的型号，或是选择上代旧机型”，这直接侵蚀了高通在高端市场的利润空间。 高通首席财务官Akash Palkhiwala则量化了这一冲击：“安卓系统手机收入同比下滑20%，折合每股盈利损失超过1.50美元。” 9月1日起全面涨价：双位数涨幅对冲成本上升 面对手机业务所遭受的成本与利润的双重挤压，高通祭出了最直接的应对手段——“涨价”。 Palkhiwala在电话会上明确宣布：“我们正采取具体行动，将更高的投入成本反映在产品定价中……我们预计的涨价幅度是双位数（即10%及以上）的。” 安蒙随后在接受CNBC采访时也确认，高通正在采取切实措施扩大未来的利润率，包括从9月1日起全面提高公司芯片的价格，涵盖了公司全系列芯片产品，并寻求其他方法来简化公司的供应链。 安蒙强调：“成本提高了，价格自然也会提高。我们正经历着成本大幅上涨的局面。” 他进一步解释称，芯片的双位数百分比的涨价幅度与内存BOM（物料清单）成本的激增幅度相比“显得很小”，因此不认为这会从根本上改变高端机型的出货量。 高通管理层还预计，随着合同到期和产品周期更迭，提价带来的好处将逐步显现，未来几个季度毛利率将回归公司历史水平。 来自苹果的营收断崖式下滑：从“20%”到“远低于” 高通第三财季财报电话会议上释放的另一枚“重磅炸弹”，是苹果业务的加速剥离。 Palkhiwala表示：“我们现在预计，从第四财季开始，来自苹果产品收入的下降将加速，因为我们在苹果即将推出的新iPhone中的5G基带份额预计将大幅低于我们之前预估的20%。” 受此影响，预计从2026年9月到12月季度，高通来自苹果的收入将环比暴跌约50%。 当分析师追问高通是否会主动“断供”苹果时，安蒙回应称不应如此理解：“供应约束是其中的一部分，然后双方协商的结果是份额实质性低于20%。” 他进一步透露，2027财年来自苹果产品的收入也将低于此前给出的“略超20亿美元”的指引。 高通管理层对此并未表现恐慌，反而视其为业务结构优化的催化剂。Palkhiwala预计，2027财年非手机业务的收入增速将从2026财年的24%加速至超过60%，“这将在年内完全覆盖失去苹果5G基带订单的全部收入损失。” 汽车业务破纪录：23个季度双位数增长 在手机业务疲软的背景下，高通的多元化布局正在开花结果。 其中，汽车业务成为本季度最亮眼的明星。当季营收达到15.9亿美元，同比增长61%，创下历史新高，并实现连续23个季度双位数百分比的同比增长。 当地时间7月29日，高通公司和宝马集团宣布达成一项重要协议，高通将在未来十年内为宝马集团的下一代数字座舱、高级驾驶辅助系统和自动驾驶系统（ADAS/AD）提供计算芯片。 基于强劲的订单需求，高通将2026财年汽车业务年化营收目标从60亿美元上调至约70亿美元。 物联网业务（QCT IoT）同样实现增长，当季营收18.3亿美元，同比增长9%。 QCT非手机业务（含汽车与物联网）合计营收同比增长28%。 技术授权业务 (QTL)营收12.8亿美元，同比下降3%。 数据中心：从“取代苹果”到150亿美元的野心 高通在AI数据中心领域的布局，是高通管理层向市场描绘的“下一篇章”中最令人浮想联翩的部分。 安蒙在电话会上直言：“我们某种程度上用数据中心业务的增长取代了苹果业务的下滑。” 安蒙透露，2027财年高通数据中心营收目标为50亿美元。近期，高通赢得的两个定制芯片项目（每个收入超10亿美元）已开始晶圆生产，将在2026年12月季度开始产生实质性营收。 值得注意的是，今年6月，高通已经宣布Meta成为其AI数据中心处理器的首个超大规模客户。 高通创新的高带宽计算（HBC）解决方案更被寄予厚望。安蒙宣布HBC Gen 1已完成流片，计划于2027年年中推出，该方案通过将计算与高密度内存直接集成，有望在每瓦性能、内存效率等方面实现突破。 值得关注的是，高通不仅在硬件上发力，还试图从根本上颠覆AI软件生态。高通在7月29日还宣布完成了对AI软件基础设施企业Modular的收购，交易金额约39.2亿美元（全股票交易）。 安蒙表示，高通“有着超越增强自身AI软件能力的野心。我们希望改变当前行业对AI软件的处理方式——从封闭系统走向开放系统”。 阵痛过后，拐点将至？ 对于下一财季，高通给出了谨慎的业绩指引：预计营收介于97亿至105亿美元，Non-GAAP每股收益介于2.05至2.25美元，其中值低于华尔街普遍预期的2.35美元。 好消息是，高通预计，来自中国OEM厂商的手机业务收入已在2026财年第三财季（截至6月）触底，并预计在第四财季（截至9月）恢复两位数百分比的环比增长。与此同时，高通的汽车业务正在持续高速增长，数据中心业务也开始获得客户的订单。 安蒙强调，“我们已具备充分条件，能够实现我们在最近投资者日提出的愿景，到2029财年，非手机总收入将增长至400亿美元，这几乎是2024年11月提出的目标的两倍。短期内，预计非手机收入（包括数据中心）同比增长将从2026财年的24%加速到2027财年超过60%——这是我们增长战略执行的一个重要转折点。”
高通
芯智讯 . 2026-07-31 1841
产品 | 瑞萨电子推出的第三代MRDIMM，赋能下一代AI与HPC应用
2026 年 7 月 30 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出其第三代（Gen3）DDR5多路复用双列直插内存模块（MRDIMM）芯片组解决方案，可实现高达16,000兆次传输/秒（MT/s）速率的服务器级MRDIMM。该系列解决方案专为应对人工智能（AI）数据中心、云基础设施及加速计算工作负载等场景中，日益增长的内存带宽需求而设计。 瑞萨将于2026年8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的FMS 2026（存储与内存未来大会）上展示第三代MRDIMM内存接口组件（展位号#807），包括支持下一代MRDIMM性能的第三代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD，RRG5013x）和多路复用数据缓冲器（MDB，RRG5103x）。 随着AI模型规模持续扩大、计算工作负载的数据密集度不断攀升，系统架构师在确保与现有服务器平台兼容的同时，面临着提供更高内存带宽的严峻挑战。瑞萨第三代MRDIMM解决方案在沿用现有DDR5基础设施的基础上，较第二代方案可实现25%的内存带宽提升。这意味着服务器平台无需进行颠覆性的架构变更，即可释放更强的性能。 瑞萨持续提供经现场验证且可量产的MRDIMM平台，涵盖MRCD、MDB、电源管理IC（PMIC）、串行存在检测（SPD）集线器及温度传感器。这一平台化策略使客户能够在跨代升级中灵活扩展MRDIMM性能，同时保持设计的连续性并加速产品部署。 第三代MRDIMM基于成熟的第二代产品架构，在扩展性能的同时保留了标准DIMM的外形尺寸和系统兼容性。此外，第三代产品还增强了系统的可视性与稳健性，包括设备均衡自训练模式（DESTM）的质量指示状态，该功能使用户能够微调时序和接收端均衡训练，从而最大化裕量。 除性能提升外，瑞萨第三代MRDIMM解决方案在设计时充分考虑了系统级能效，旨在帮助客户在日益增长的带宽需求与系统层面的散热设计及功耗限制之间取得平衡。详细的功耗对比数据将在随附的产品文档中提供。 Amit Goel, Corporate Vice President, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering, AMD表示：“AMD长期以来一直致力于支持开放且基于标准的技术，这些技术推动了数据中心的创新，并随着AI和HPC工作负载的不断演进而提供了更高的灵活性。MRDIMM和瑞萨芯片组等下一代内存形态的创新，对于助力行业实现更高带宽、更高效率以及持续的平台可扩展性至关重要。” Sameer Kuppahalli, Vice President and General Manager, Memory Interface Division at Renesas表示：“AI训练和推理工作负载正在从根本上重塑数据中心基础设施的系统内存需求，为满足这些工作负载对内存容量及吞吐量的巨大需求，瑞萨始终走在行业前沿，推出了第三代MRDIMM芯片组组件。我们的客户正采用瑞萨完整的芯片组组件，持续突破内存吞吐量和容量的边界。” 瑞萨正与领先的CPU及平台合作伙伴紧密协作，推动第三代MRDIMM在未来服务器平台中的应用落地，进一步巩固MRDIMM作为下一代AI与云基础设施可扩展内存架构的地位。 供货信息 瑞萨第三代MRDIMM MRCD（RRG5013x）和MDB（RRG5103x）现已开始向包括主要DRAM供应商在内的特定客户提供样品，预计将于2027年下半年实现量产供货。
新品
芯查查资讯 . 2026-07-31 1547
产品 | 思特威子公司飞凌微宣布推出新一代车载视觉处理SoC M2
2026年7月30日，中国上海 — 技术先进的智能视觉处理芯片厂商飞凌微电子（Flyingchip®，思特威子公司，股票代码688213，以下简称“飞凌微”)近日宣布，正式推出新一代高性能车载视觉处理SoC——M2。 该芯片专为L2级辅助驾驶及舱内智能感知应用设计，采用台积电（TSMC）FinFET工艺，搭载自研FlyingMatrix™ NPU和FlyingSight™ AI-ISP，两者从底层架构上深度协同，在复杂多变的行车光照条件下为车载视觉系统提供高质量图像输入与实时AI推理。此外，M2内置四核Arm® Cortex®-A53处理器和双核Arm® Cortex®-R52+锁步安全岛，符合AEC-Q100 Grade 2车规标准和ASIL-B/D功能安全等级，可全面覆盖前视一体机、流媒体及电子后视镜、DMS/OMS（驾驶员/乘员监控系统）、高清环视系统及行泊一体等主流车载视觉应用场景，提供高能效、低延迟、安全可靠的系统级方案。 算力灵活分配，释放NPU极致能效 飞凌微M2搭载自研FlyingMatrix™ NPU，稠密算力可达10 TOPS，典型功耗低于3W。NPU内置丰富的视觉处理硬件加速算子与CV加速引擎，原生支持Transformer系列算子，兼容INT4/INT8/INT16混合精度，并具备4K@60fps H.264/H.265视频编解码能力，为图像检测、目标分类、像素级分割等视觉算法提供硬件级加速。由于不同场景下的负载差异极大，固定算力分配方式在应对动态负载时，始终存在性能与功耗的权衡困境，因此，算力灵活分配成为能效释放最大化的关键。 M2支持CPU与NPU各核心独立上下电，可根据负载动态调整功耗；并通过配置独立的高性能OCMEM（片上存储器）从根源上减少无效数据搬运，有效突破“内存墙”和“功耗墙”引发的性能瓶颈，确保算力资源始终服务于当前最亟须处理的任务。M2还可针对不同AI模型需求灵活部署，在不牺牲推理精度的前提下提升芯片利用率，从容应对车载场景中海量数据吞吐与高密度矩阵运算。 AI-ISP与高速接口协同，打造卓越车载成像 传统ISP在处理暗光、逆光、高动态范围等复杂光线场景时，往往难以兼顾图像细节与算法识别精度。M2集成自研FlyingSight™ AI-ISP，与NPU深度融合，将AI算法引入图像处理流水线的每一级节点，在极端光线场景下进行自适应优化，输出低噪声、高动态范围、色彩准确的图像。此外，M2配备4路MIPI-RX、2路MIPI-TX、千兆以太网、CAN、SDIO、eMMC等丰富接口，支持HDR高动态处理，以及RGGB、RGB-IR、Mono等多种色彩滤波阵列，配合M2最高8路输入和最大16MP@60fps图像处理能力，高效支撑前视、环视、舱内等多路摄像头同时工作，为车载视觉系统提供高质量的图像输入与快速响应能力。 车规级设计，全方位硬核保障 飞凌微M2从硬件安全、功能安全以及车规级设计等多个维度出发，为智能汽车提供更加安全可靠的计算平台。硬件安全方面，M2设有独立的AO（Always-On）子系统，在极低功耗场景下持续运行，其内置的HSM（硬件安全模块）支持加解密、数字签名验证、随机数生成以及安全启动，有效保障系统运行安全。功能安全方面，M2采用双域安全架构，集成双核锁步Arm® Cortex®-R52+安全岛，支持AUTOSAR CP生态系统，配套ECC纠错、MBIST存储器自测试、总线超时检测、错误中断及外部错误报告，帮助车载系统实现更完善的故障检测与安全响应。车规级设计方面，M2符合AEC-Q100 Grade 2车规标准和ISO 26262 ASIL-B/D功能安全等级，充分满足车载视觉应用对可靠性、功能安全与信息安全的严苛要求。 AI SoC+Sensor一体化方案，加速智慧汽车产业升级 得益于思特威在图像传感器领域深厚的技术积累以及视觉处理底层硬件的同源性，飞凌微M2能够灵活复用其经过市场验证的图像处理核心技术与硬件设计理念，从而构筑成熟且高效的计算架构。这不仅赋予了M2卓越的视觉信号处理性能，更使其在处理能力上与思特威全系车规级CIS天然适配，形成了从感知到计算的端到端技术协同优势。 基于这一独特优势，飞凌微通过AI SoC与Sensor的一体化系统级方案，打通从图像采集、预处理到AI推理的完整链路。相比传统组合方案，这种系统级整合简化了硬件选型设计与系统调试的复杂度，降低了BOM成本和开发门槛。此外，硬件之间的预验证与深度适配也大幅缩短了产品验证与测试周期，加速了高性能车载视觉方案从设计到量产的落地进程，为产业升级提供了强劲动力。 AI视觉处理SoC A2，机器人及工业视觉应用拓展 基于相同的自研FlyingMatrix™ NPU和FlyingSight™ AI-ISP两大核心技术平台，飞凌微同步推出面向机器人、工业视觉等领域的AI视觉处理SoC A2，展现了其在更广泛智能视觉领域中的应用潜力：NPU内置高效计算架构，能够灵活运行图像分割、动态避障、V-SLAM定位等复杂AI算法；AI-ISP则在强光、昏暗等复杂光线条件下，为环境感知、三维重建、物体识别等自主决策任务提供像素级实时图像优化。此外，A2支持最多四路摄像头同时直连接入，并配备1080p@90fps DPU（双目视觉深度加速引擎），为移动类机器人、工业RGBD相机等场景提供精确的空间感知能力和实时安全控制。 思特威副总裁兼飞凌微首席执行官邵科表示：“汽车产业当前处于‘数智化’转向‘普惠化’的重要阶段，轻量级端侧AI芯片正成为产业发展的重要载体。作为思特威旗下全资子公司品牌，飞凌微此次推出的M2系列车载视觉处理SoC立足于此，依托自研FlyingMatrix™ NPU和FlyingSight™ AI-ISP两大核心技术的深度融合，具备低功耗、高能效、高可靠的优势，并通过AI SoC+Sensor一体化的商业模式，为客户提供极具竞争优势的端侧视觉AI系统级方案，致力于让每一次针对环境感知的决策响应都更精准、更稳定、更及时，为智慧汽车产业构筑坚实的技术基石。”
图像传感器
芯查查资讯 . 2026-07-31 1470
企业 | Microchip宣布，收购AI芯片公司
Microchip Technology Incorporated今日宣布，已签署最终协议收购Hailo。Hailo是一家提供加速边缘AI处理器、先进视觉处理解决方案、机器人处理器和综合AI软件流程的公司。该交易预计将于本季度末（截至9月30日）完成，但需满足惯例成交条件并获得监管部门批准。交易条款未予披露，预计该交易不会对Microchip的财务业绩产生重大影响。 此次拟议收购预计将扩大 Microchip 的智能边缘系统处理产品组合，并增强其为机器人、高级视觉处理和智能边缘应用（包括无人机、机器人、智能相机、工业自动化和嵌入式人工智能系统）提供加速、节能的边缘人工智能解决方案的能力。 Hailo 在边缘 AI 加速器和片上视觉系统领域均展现了技术领先地位。其产品涵盖范围广泛，从支持本地 GenAI 和多模态工作负载的高性能边缘部署（专用边缘服务器）到小型独立摄像头内的低功耗视觉处理。随着 Hailo-8、Hailo-10 和 Hailo-15 的推出，Microchip 将获得一个支持传统计算机视觉的产品组合，同时为智能边缘系统增添先进的摄像头、ISP、DSP、视频编码和 AI 视频流处理功能。 Hailo 的收购带来了多款产品、超过 100 家现有客户以及超过 10,000 名用户的成熟开发者社区。其产品组合涵盖边缘 AI 加速器和视觉 SoC，支持包括 CNN、Transformer、LLM/VLM 工作负载、图像信号处理、DSP、H.264/H.265 编码和 AI 视频流处理在内的工作负载和功能。 “收购Hailo将加速Microchip在高性能边缘AI处理领域的扩张，”Microchip高级副总裁Mark Reiten表示。“Hailo的AI加速、先进视觉处理和软件生态系统与Microchip的嵌入式处理、FPGA、连接、安全、电源和模拟产品组合形成直接互补。我们将携手帮助客户构建功能更强大的智能边缘系统，并在性能、能效、可靠性和系统成本之间实现最佳平衡。” 此次交易还将为边缘人工智能的应用带来需求驱动引擎。Hailo 的 Raspberry Pi 生态系统、封闭式开发者专区、GitHub 活动和社区论坛构建了一个自我维持的渠道，可以将开发者的参与转化为合格的商机和客户线索。 Hailo首席执行官Orr Danon表示：“加入Microchip将使Hailo有机会借助全球嵌入式系统领导者Microchip扩大我们加速边缘AI技术的规模。Microchip的客户覆盖范围、渠道规模和广泛的技术组合将打造一个强大的平台，将先进的视觉处理和AI加速技术应用于更广泛的智能边缘应用。” 该协议进一步巩固了Microchip在边缘实现高效节能AI的战略。此前，Microchip通过收购Neuronix AI Labs扩展了其AI能力，为FPGA和SoC上的AI/ML工作负载增加了神经网络优化技术。此次交易将专用边缘AI处理器、视觉SoC和软件工具纳入Microchip的产品组合，从而增强其在边缘加速AI和高级视觉处理方面的支持能力。
边缘AI
芯查查资讯 . 2026-07-31 1 1323
NDD60N550U1-1G与VBFB165R08S参数对比报告
N沟道功率MOSFET参数对比分析报告 一、产品概述 NDD60N550U1-1G：安森美（onsemi）N沟道功率MOSFET，耐压600V，导通电阻550mΩ典型值。特征包括100%雪崩测试、无铅、无卤素/BFR、符合RoHS。封装：IPAK (TO-251)。适用于通用开关电源应用。 VBFB165R08S：VBsemi N沟道650V超结（Super Junction）功率MOSFET，低FOM（Ron×Qg），低输入电容，雪崩能量认证。封装：TO-251。适用于服务器/通信电源、开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）、照明及工业应用（焊接、电机驱动、光伏逆变器等）。 二、绝对最大额定值对比 参数 符号 NDD60N550U1-1G VBFB165R08S 单位 漏-源电压 VDSS 600 650 V 栅-源电压 VGSS ±25 ±30 V 连续漏极电流 (Tc=25°C) ID 8.2 8 A 连续漏极电流 (Tc=100°C) ID 5.2 5 A 脉冲漏极电流 IDM 34 24 A 最大功率耗散 (Tc=25°C) PD 94 128 W 线性降额因子 - 未提供 1.7 W/°C 沟道/结温 TJ 150 150 °C 存储温度范围 Tstg -55 ~ +150 -55 ~ +150 °C 雪崩能量（单脉冲） EAS 54 (ID=4A) 185 mJ 峰值二极管恢复dv/dt dv/dt 15 5.1 V/ns 分析：VBFB165R08S 具有更高的耐压等级（650V vs 600V）和更高的单脉冲雪崩能量（185mJ vs 54mJ），在高压输入或存在电压尖峰的场合（如PFC）可靠性更优。两者连续电流能力相近，但NDD60N550U1-1G的脉冲电流能力更强（34A vs 24A）。VBFB165R08S的最大功率耗散更高（128W vs 94W），且提供了线性降额因子。 三、电特性参数对比 3.1 导通特性 参数 符号 NDD60N550U1-1G VBFB165R08S 单位 漏-源击穿电压 V(BR)DSS 600 (最小) 650 (最小) V 击穿电压温度系数 ΔV(BR)DSS/ΔTJ 540 1.08 mV/°C / V/°C 栅极阈值电压 VGS(th) 2 ~ 4 2.0 ~ 4.0 V 导通电阻 (VGS=10V) RDS(on) 0.55 (最大) 0.55 (典型) Ω 正向跨导 gfs 7.0 (典型 @4A) 8.7 (典型 @2.5A) S 分析：两款器件的标称RDS(on)值相同（0.55Ω），阈值电压范围也几乎一致。VBFB165R08S的跨导值略高。NDD60N550U1-1G提供了击穿电压的负温度系数具体值。 3.2 动态特性 参数 符号 NDD60N550U1-1G VBFB165R08S 单位 输入电容 Ciss 540 2600 pF 输出电容 Coss 33 81 pF 反向传输电容 Crss 1.6 9 pF 总栅极电荷 Qg 18 40 (典型) / 122 (最大) nC 栅-源电荷 Qgs 3.4 16 nC 栅-漏（米勒）电荷 Qgd 8.7 20 nC 平台电压 VGP 5.4 未提供 V 栅极电阻 Rg 5.5 0.3 ~ 1.4 Ω 分析：NDD60N550U1-1G 的动态特性优势非常明显，其输入电容（Ciss）和总栅极电荷（Qg）远低于VBFB165R08S，这意味着其栅极驱动功率需求低，开关速度潜力大，尤其适合高频开关应用。VBFB165R08S的Crss相对较高，米勒效应可能更显著。 3.3 开关时间 参数 符号 NDD60N550U1-1G VBFB165R08S 单位 开通延迟时间 td(on) 8 22 (典型) / 44 (最大) ns 上升时间 tr 14 24 (典型) / 48 (最大) ns 关断延迟时间 td(off) 20 71 (典型) / 142 (最大) ns 下降时间 tf 17 26 (典型) / 52 (最大) ns 分析：NDD60N550U1-1G 的开关时间参数全面优于VBFB165R08S，尤其是在关断延迟和下降时间方面优势巨大。这与其极低的栅极电荷（Qg）和栅极电阻（Rg）密切相关，使其在高频应用中能实现更低的开关损耗。 四、体二极管特性 参数 符号 NDD60N550U1-1G VBFB165R08S 单位 二极管正向压降 VSD 0.9典型/1.3最大 未提供 / 1.2最大 V 连续源极电流 IS 8.2 8 A 脉冲源极电流 ISM 未提供 24 A 反向恢复时间 trr 290 66 (典型) / 132 (最大) ns 反向恢复电荷 Qrr 2.6 6.4 (典型) / 12.8 (最大) μC 峰值反向恢复电流 IRRM 未提供 27 (典型) A 分析：VBFB165R08S 的反向恢复时间（trr）明显更短（典型值66ns vs 290ns），这对于硬开关或同步整流应用更为有利，可以减少二极管反向恢复带来的损耗和噪声。NDD60N550U1-1G的反向恢复电荷（Qrr）更低。 五、热特性 参数 符号 NDD60N550U1-1G VBFB165R08S 单位 结-壳热阻 RθJC 1.3 0.65 °C/W 结-环境热阻 (稳态) RθJA 47 (带散热垫) 62 °C/W 分析：VBFB165R08S 的结-壳热阻（RθJC）仅为0.65°C/W，显著低于NDD60N550U1-1G的1.3°C/W。这意味着在相同的结温升和功耗下，VBFB165R08S对散热器的要求更低，或在相同散热条件下能承受更高的功率，热性能更优。 六、总结与选型建议 NDD60N550U1-1G 优势 VBFB165R08S 优势 ◆ 显著更优的动态性能 ：极低的Qg(18nC)、Ciss(540pF)和开关时间 ◆ 更低的栅极驱动需求与损耗 ◆ 更高的脉冲电流能力（34A） ◆ 反向恢复电荷（Qrr）更低 ◆ 更高的电压等级（650V vs 600V），设计余量更充足 ◆ 更强的雪崩耐量（185mJ vs 54mJ），抗浪涌能力更可靠 ◆ 更优的热性能（RθJC=0.65°C/W），散热设计更轻松 ◆ 更短的反向恢复时间（trr），体二极管特性更适合硬开关 ◆ 更高的最大功率耗散（128W vs 94W） 选型建议 选择 NDD60N550U1-1G：当应用工作频率较高（如数百kHz），对开关损耗和驱动功率极其敏感，且对雪崩能量和电压裕量要求不苛刻时。其卓越的动态特性是其核心价值。 选择 VBFB165R08S：当应用需要更高的输入电压裕量（如用于230VAC或更高输入的系统），或工作环境中存在较大的感性负载、电压尖峰，需要更强的雪崩可靠性时。同时，其优异的热性能也使其在紧凑或散热受限的大功率场合更具优势。 备注：本报告基于 NDD60N550U1-1G（安森美 onsemi）和 VBFB165R08S（VBsemi）官方数据手册参数生成。所有参数值均来源于原厂数据手册，设计选型请以官方最新文档为准。VBFB165R08S的总栅极电荷（Qg）最大值较高，在实际高频驱动电路设计中需特别注意栅极驱动能力。
微碧
微碧半导体 . 2026-07-30 1 1456