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存储 | 大模型带火的不只HBM，DDR、LPDDR和闪存也成焦点
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市场 | Yole：2031年半导体市场将达到4万亿美元
法国里昂/中国上海，2026年11月6日 – 国际半导体产业集团（ISIG）2026中国高管峰会近日在上海圆满落幕，吸引了来自产业链各环节的150余位企业高管和行业领袖。Yole Group集团副总裁兼亚洲区首席客户战略顾问Gary Huang应邀发表主题演讲，基于Yole Group最新市场数据，阐述了AI时代半导体价值格局的转变：随着市场规模不断攀上新高，存储、互连和供电正成为关键瓶颈，其战略地位与算力同步提升。 图1：Yole Group集团副总裁兼亚洲区首席客户战略顾问Gary Huang在ISIG 2026中国高管峰会上发表主题演讲。 价值增长远超数量增长，价格驱动半导体迈向万亿规模 Gary Huang在演讲中分享了Yole Group的最新市场预测：全球半导体器件市场规模预计将从2024年的约7000亿美元增长至2031年的近4万亿美元。在各应用领域中，电信与基础设施（AI数据中心）是增量增长的主要来源。 到2031年，半导体器件营收将较2024年激增400%以上，而出货量“仅”增长约60%。新增增长集中在先进逻辑芯片和高端存储等AI计算核心领域。这并非传统的周期性反弹。AI需求既具持续性，又在不断扩大，其体量正推动半导体行业在结构上迈上更高的规模台阶。 图2：2024–2031年全球半导体器件营收预测（按终端市场划分，单位：十亿美元）。来源：Yole Group，Semiconductor Device Monitor，2026年第三季度 存储领跑：三大市场，三种增长轨迹 根据Yole Group的演讲内容，三大半导体器件市场正处于截然不同的投资周期。 存储增长最快，增长率达+43.2%。存储历来占行业总营收的25–30%，但自2025年起迅速攀升，2026年与逻辑及处理器市场持平，并将成为营收规模最大的半导体市场，这一地位将持续至2031年。 逻辑及处理器市场同样增长强劲，增长率达+22.7%，但随着AI竞赛逐步分出胜负，增速将有所放缓，部分厂商将退出市场、进行合并或转变商业模式。 专用及分立器件的发展路径更为平稳，长期增长率保持在6%左右。 Yole Group的分析显示，AI驱动的需求正在重塑行业营收格局，存储将成为未来十年的主要增长引擎。总体来看，许多细分领域都在受益于AI浪潮，但真正实现价值跃升的是存储和处理器。 图3：半导体市场驱动因素概览（存储、处理器、专用及分立器件）。来源：Yole Group，Semiconductor Device Monitor，2026年第三季度。 互连：铜缆仍主导机架内部，光互连蓄势规模化 Gary Huang表示，凭借成本、供应和能效方面的优势，铜缆目前仍是AI纵向扩展网络（即在机架内连接加速器的短距离链路）的首选互连方案。超大规模云服务商正通过打造规模更大、功率更高的兆瓦级机柜，将铜缆推向其物理极限。在机架之外，光互连已是标准方案，目前主要采用可插拔光模块。 这一格局即将迎来显著变化。2025年至2031年间，用于横向扩展（机架间）应用的可插拔光模块市场将从148亿美元增长至889亿美元。共封装光学（CPO）的跃升空间更大，尤其是在纵向扩展应用中。CPO将光引擎直接集成在交换芯片或计算处理器（XPU）旁边。目前，CPO仍受制于高成本和尚不成熟的生态系统，但随着应用从交换机扩展至计算领域，其在纵向扩展领域的市场规模预计将从4400万美元增长至1060亿美元。 Gary Huang指出，要在芯片封装内部（Scale-in）以光代铜，性能仍需实现数量级的提升。此外，该技术还需在量产能力、上市时间和系统级可靠性方面经受检验。 能源：长期制约AI增长节奏的潜在因素 Gary Huang强调，限制AI增长的并不是需求，真正的制约在于支撑AI发展所需的基础设施。在所有压力点中，电力是长期最需密切关注的一环，因为发电和电网容量的建设周期远长于半导体产能的爬坡周期。 到2030年，AI数据中心的电力需求增速可能超过新增能源容量的上线速度。除了提升能源生产能力和改善电网之外，用能效更高的新一代硬件加快更新老旧数据中心，或许是在相同功耗范围内提供更多算力的现实路径。电力仍将是追踪AI增长节奏的关键长期指标。 “芯片产能可以按季度爬坡，电网却不能。”Gary Huang表示。 Yole Group Semiconductor Device Monitor（SDM）：按季度解读AI驱动的市场 图4：Yole Group前沿研究产品组合。来源：Yole Group，ISIG 2026中国峰会演讲。 Yole Group集团副总裁兼亚洲区首席客户战略顾问在演讲最后总结道：“Yole Group的专家分析师并不认为AI扩张会突然踩下刹车，但其增长将越来越依赖能源、基础设施与半导体生态系统之间的协同。这就需要及时的洞察，让我们能够在各类市场变化反映到营收数据之前，提前捕捉信号。”
半导体
芯查查资讯 . 16小时前 623
产品 | AMD 推出第六代 AMD EPYC 嵌入式处理器，延续 CPU 领先地位
AMD EPYC（霄龙）嵌入式 9006 系列 SP7 CPU 可提供领先性能，具备最多 256 颗核心、可扩展的 PCIe Gen 6 和 CXL 3.1 连接能力、先进安全功能，以及七年产品供货周期。 有何新消息？ AMD 宣布推出 AMD EPYC（霄龙）嵌入式 9006 系列 SP7 CPU，扩展其针对嵌入式客户需求和部署优化的 x86 处理器产品组合。依托高性能“Zen 6”核心架构，AMD EPYC 嵌入式 9006 CPU 集成最多 256 颗核心、可扩展的 PCIe® Gen 6 和 CXL® 3.1 连接能力，以及覆盖从安全启动到运行时的先进安全功能。其吞吐量最高可达上一代（第五代）AMD EPYC 9005 系列处理器的 1.8 倍1，可为半导体自动测试设备（ ATE ）、企业存储和网络防火墙应用提供扩展吞吐能力、应对日益严苛的工作负载所需的领先计算能力与高速连接。七年产品供货周期、用于固件签名的后量子密码技术支持以及持续的安全更新，有助于简化关键任务嵌入式应用的维护与长期支持。 为何重要？ 随着 AI 基础设施扩展和数据量增长，半导体 ATE 需要更快地验证内存和 I/O 设备，防火墙需要处理并保护更多网络流量，存储控制器则需要传输和处理更多数据。AMD EPYC 嵌入式 9006 处理器可提供满足这些日益增长的应用需求所需的高吞吐量、内存带宽与 I/O 性能。 AMD 发挥什么作用？ “随着 AI 基础设施不断发展，用于测试半导体、保护网络和管理企业数据的系统必须跟上步伐，否则就可能成为阻碍发展的瓶颈。凭借 AMD EPYC 嵌入式 9006 SP7 处理器，我们将数据中心级计算能力带入嵌入式系统，并帮助客户在其功耗预算内提升容量、完成更多任务，从而延续 AMD 在 CPU 领域的领先地位。结合嵌入式客户所需的长期供货与支持，这些处理器可为客户构建下一代产品奠定基础，助其在未来多年充满信心地部署产品。” —Salil Raje，AMD 高级副总裁兼自适应与嵌入式计算事业部总经理 新款 CPU 支持哪些应用？ EPYC 嵌入式 9006 CPU 可为半导体 ATE 系统提供计算支持，助力对新型内存和 I/O 设备开展量产规模验证。这些 CPU 可作为控制与编排引擎，管理内存和存储测试工作负载，以及面向高速 DDR5 RDIMM、新兴 MRDIMM 技术和支持 PCIe Gen 6 与 CXL 3.1 的交换芯片和设备的接口。此外，其可扩展的计算能力还支持并行运行更多测试。 随着 AI 基础设施的扩展带动网络流量增长，支持 400G/800G 网络的高端防火墙面临日益增长的吞吐量和安全处理需求。EPYC 嵌入式 9006 CPU 提供了控制平面引擎，可管理不断增加的安全策略和网络会话，用以处理新建流和流量异常，并提供安全处理所需的吞吐量，以及通往数据平面加速器的更高速连接。其为客户提供的防火墙吞吐量最高可达上一代的 1.3 倍2。 AI 数据的增长正在改变企业存储需求。AMD EPYC 嵌入式 9006 CPU 支持非易失性存储器快速接口（ NVM Express® ）连接、数据传输和存储处理，以管理 NVMe 设备。该系列处理器可加速压缩、缓存和 RAID 系统等数据密集型存储服务；在智能存储加速库（ ISA-L ）基准测试中，其性能较之上一代产品最高可提升至 1.5 倍3。这一基准测试用于衡量处理器执行存储服务中特定功能的速度。 EPYC 嵌入式 9006 CPU 可提供哪些能力？ 该系列处理器提供最多 256 颗核心和 512 个线程，吞吐量最高可达上一代的 1.8 倍1。为助力减少高要求工作负载中的瓶颈，其 I/O 带宽最高可达上一代的 1.5 倍4，内存带宽最高可达上一代的 2.7 倍5。16 个 DDR5 内存通道支持最高 8,000 MT/s（兆次传输/秒）的 RDIMM 速率，以及最高 12,800 MT/s 的 MRDIMM 速率。最多 96 条 PCIe Gen 6 通道以 64 GT/s 的速率运行；灵活的 PCIe Gen 6 和 CXL 3.1 支持则能为兼容的网络设备、存储设备、加速器、测试设备和内存扩展设备提供高速连接。 EPYC 嵌入式 9006 系列有何独特之处？ 该系列处理器提供七年产品供货周期，以满足嵌入式系统的长期部署需求。持续提供的嵌入式专用固件更新和软件支持，有助于简化关键任务嵌入式应用与系统的维护。该系列基于 EPYC 9006 服务器 CPU 架构打造，还能提供企业级可靠性、可用性和可维护性功能，帮助团队维护嵌入式基础设施；通过受支持的平台实现方案，还可提供遥测和预测性故障分析功能。 专用安全引擎提供先进的安全功能，形成互为补充的多层防护，覆盖从启动时建立信任到保护运行时操作、再到验证平台身份与完整性的全过程。各引擎使用独立资源，以减少攻击暴露面并增强韧性： AMD 信任根（ ART ）建立初始的不可变硅级信任根，并通过构建信任链来验证系统启动过程中的固件组件，从而实现安全启动。ART 还支持用于固件签名的后量子密码技术，帮助平台抵御未来的量子威胁，同时提供针对物理攻击和侧信道攻击的硬件保护。 AMD 安全处理器（ ASP ）担任启动编排器，并在运行期间提供包括可信执行环境在内的关键安全服务。它还提供安全调试功能，支持经授权的诊断和故障排查。在虚拟化环境中，ASP 还负责管理用于保护虚拟机内存的密钥。 Caliptra 是一种开源、不依赖特定供应商的硅级信任根，用于设备身份识别和证明，使远程实体能够验证设备身份，并确认平台正在运行预期的 BIOS 和固件。 客户如何评价？ “随着内存和 I/O 技术持续演进，我们的制造测试环境需要跟上不断提升的性能和带宽要求。AMD EPYC 嵌入式 9006 系列 SP7 CPU 结合三星 DDR5 RDIMM 和 MRDIMM、支持 PCIe Gen 6 的 PM1763 SSD，以及 CXL 3.2 CMM-D MD310，提供了可扩展的计算能力、内存带宽和高速 I/O 能力。我们期待与 AMD 展开合作，将这些能力带给我们的制造测试基础设施。”—— Jangseok（ JS ）Choi，三星电子内存产品规划团队副总裁 “我们的目标是为客户提供一个能够放心构建产品的平台。Lanner NCA-6145 搭载 AMD EPYC 嵌入式 9006 系列 SP7 CPU，旨在应对不断增长的网络与安全需求。我们与 AMD 的合作，将其处理器创新与我们在网络设备构建方面的经验相结合。最令我期待的是看到客户将利用这一平台打造怎样的产品——从应对当下最严峻的挑战，到为未来网络开创全新可能。” —— Fred Chang，Lanner 产品规划部门助理副总裁 “AMD EPYC 嵌入式 9006 处理器对于 Portwell 下一代测试与测量平台至关重要，可提供超深波形缓冲所需的海量内存容量与极高带宽。结合高速 PCIe Gen 6 连接能力，这些处理器可支持从多通道采集前端无缝、实时地采集数据，从而为客户的关键任务精密仪器提供必备的确定性性能与可靠性。”—— Oskar Wu，Portwell, Inc. 高级副总裁 “AMD EPYC 嵌入式 9006 SP7 系列引入 PCIe Gen 6 和 CXL 3.1 I/O 连接能力，单路可提供 96 条速率为 64 GT/s 的通道，使单个测试系统能够以全速并行验证大量 Gen 6 SSD。这正是高端存储测试所需要的能力。该处理器采用‘Zen 6’核心架构并具备最多 256 颗核心；与上一代相比，I/O 带宽最高提升至 1.5 倍，并使每个受测 SSD 都能使用专属计算与数据资源，从而显著缩短测试周期。我们正与 AMD 携手，利用 EPYC 嵌入式 9006 SP7 CPU 帮助客户更快地将下一代 PCIe Gen 6 存储设备推向市场。”—— YT Lee，IEI Integration Corp. 副总裁 EPYC 嵌入式 9006 处理器何时上市？ 客户可从 64 核至 256 核的多款 SKU 中进行选择，以获得适合特定工作负载和应用要求的性能、功耗、频率及缓存组合。128 核 SKU 处理器将于 11 月 15 日上市，其余 SKU 预计将于年底前开始出货。
嵌入式
芯查查资讯 . 17小时前 553
产品 | Microchip推出高速电容数字转换器，提升机器人触觉传感性能
要实现可靠的机器人操作，不能仅靠视觉感知，在处理柔软、易碎或形状不规则的物体时尤其如此。摄像头可以定位物体，而触觉传感能够提供接触信息，帮助判断抓握是否牢固，以及物体是否开始滑移。Microchip（微芯科技公司）推出ATFCD52高速电容数字转换器，可将精细网格二维电容传感器阵列的信号转换为高灵敏度的数字数据。外部处理器可利用相关数据计算法向力与剪切力，帮助机械人夹爪和人形机器人的灵巧手调整抓握与操作方式。 Microchip负责人机接口业务部的高级总监 Giovanni Fontana 表示：“机器人的视觉感知与环境理解能力持续提升，但感知物理接触并做出响应的能力仍然是一大核心难题。ATFCD52 旨在提供实时触觉数据，为开发更灵巧的机器人及推动物理AI发展奠定基础。” ATFCD52最高支持52通道，可配置32路发射（TX）线×20路接收（RX）线的阵列，支持构建高密度二维电容传感器阵列，采集整个接触面数据。该器件内置 20 路并行模拟前端，可同步采集全部接收通道的信号，根据传感器阵列规模，帧率最高可达 800 Hz。这种高速采集能力有助于让系统及时检测初始滑移，并在物体掉落或被夹坏前及时调整抓握力度。 为进一步提升性能，ATFCD52 可分辨小于 1 飞法（fF）的电容变化，以高灵敏度捕捉触觉传感器的微小形变。这种灵敏度对轻触检测尤为重要，因为此时的电容变化可能极其微小，在存在电磁噪声的环境中很难识别。在机器人系统中，伺服电机、功率器件和开关稳压器都会产生电气噪声，可能干扰这些微弱信号的识别。ATFCD52还采用跳频与过采样技术抑制干扰，支持在强电磁噪声环境下进行触觉感知。 在系统级处理方面，ATFCD52 可根据应用的性能要求，与Microchip的MCU、MPU或FPGA搭配使用。开发人员可选择适合本地化控制或更高吞吐量计算的处理架构，将这款电容数字转换器集成到更广泛的Microchip系统解决方案。除机器人应用外，ATFCD52 还可灵活应用于增强现实（AR）与游戏配件、数据采集手套、足底传感垫和电子皮肤等可穿戴传感场景。请访问官网，了解Microchip完整的传感器和触摸解决方案产品组合。 开发工具 ATFCD52配套提供 EV-ATFCD52开发板，帮助客户评估电容传感器设计、触觉传感器材料与叠层结构。ATFCD52配置器软件支持用户参数配置和实时数据记录，有助于加快评估与设计导入。 供货 ATFCD52高速电容数字转换器可从Microchip直接采购，也可联系 Microchip销售代表或全球授权分销商。
触觉传感器
芯查查资讯 . 17小时前 490
产品 | 全国产供应链、内置热失控判定算法，纳芯微推出车规级压力传感器芯片NSPAD3N
纳芯微推出车规级MEMS绝压传感器芯片NSPAD3N，面向新能源汽车电池包安全监测。产品实现了晶圆制造、封装及校准的全国产供应链覆盖，满足AEC-Q100要求。NSPAD3N芯片内置两套热失控判定算法，支持低功耗压力监测与异常唤醒，可在主控休眠期间检测压力变化，帮助系统兼顾持续监测与低待机能耗。 随着电池安全要求持续提升，电池管理系统需要结合更多维度的信号，及时识别异常。当电芯异常排气时，释放的气体会引起电池包内压力变化。压力传感器通过捕捉这一信号，为热失控识别提供温度、电压之外的检测依据。这项监测需要覆盖行驶、充电及停车等不同状态，尤其在停车期间，系统需要在保持压力监测的同时，尽量降低待机能耗。 内置判定算法，减少主控运行负担 NSPAD3N集成压力采集与两套热失控判定算法，可在主控休眠期间按设定周期监测压力变化，并在满足判定条件时触发唤醒，通知主控进一步处理异常。采样与初步判定由传感器芯片完成，可减少主控周期性唤醒和数据处理的需求。 在85℃、每秒采样一次的条件下，NSPAD3N低功耗监测模式电流低于35μA，可降低停车期间持续压力监测的能耗。 可编程检测与量程定制，适配多元监测需求 电池包内气压受海拔、环境温度等多种因素影响，异常判定需要考虑正常工况下的压力波动。NSPAD3N支持可编程压力变化检测，可通过寄存器调整相关判定参数，也支持根据项目需求进行定制。开发者可基于内置算法，结合电池包设计与实测数据配置监测策略，减少算法开发工作。 芯片内置256字节FIFO，可保存共128个点的压力数据或温度数据，供主控读取历史压力记录，为监测策略调试和异常过程分析提供参考。 在测量性能方面，NSPAD3N支持40～400 kPa范围内定制量程、16位SPI输出及全温度补偿，25℃下测量精度为±1.5 kPa，并具备亚毫秒级响应能力。 图：NSPAD3N电池包监测模组架构示意图 小型化封装与特殊进气结构，兼顾系统集成与量产装配 NSPAD3N采用5.1 mm × 5.1 mm × 1.75 mm的DFN-8封装，配合8引脚设计与较少的外围器件需求，有助于简化PCB布局，为紧凑型电池监测模组节省空间。 产品采用特殊进气结构，进气孔避开MEMS敏感元件的正上方，在保持压力响应能力的同时，降低异物直接接触敏感元件造成物理损伤的风险。封装引脚支持焊接后的自动光学检测（AOI），便于检查焊点质量、识别焊接缺陷。 覆盖MEMS与信号调理，提供多样化压力传感方案 纳芯微压力传感产品包括MEMS压力传感器芯片和压力传感器信号调理ASIC。MEMS压力传感器芯片覆盖表压、绝压和差压三大类型，量程覆盖−100～500 kPa，并可根据应用需求定制；信号调理ASIC支持电容式、电阻式敏感元件，提供模拟、I²C、SPI、SENT、LIN及4～20 mA等多种输出形式，适配不同系统的压力检测与信号处理需求。 依托“MEMS＋ASIC＋封装＋校准”的全链路能力，纳芯微压力传感器为汽车电子、工业控制、医疗电子及白色家电等应用，提供从敏感芯片、信号调理到合封式产品的多样化产品方案。
MEMS
纳芯微电子 . 17小时前 581
产品 | 意法半导体GANSPIN产品家族新增100 V系列，助力实现紧凑、高效的电机控制
中国，2026年11月12日——意法半导体在GANSPIN产品家族中新增100 V型号，提供易于使用的氮化镓（GaN）功率级，助力打造紧凑、高效的电机驱动系统。 三款新器件的尺寸均为5mm×6.5mm，其中，GANSPIN1102的典型导通电阻RDS(on)为2.4mΩ；GANSPIN1102E则新增专用顶部散热选项，使设计人员在散热要求严苛的高功率密度设计中，能够更灵活地直接从封装顶部导出热量。第三款器件GANSPIN1105的典型导通电阻RDS(on)为5.5mΩ。 在包括人形机器人关节驱动在内的机器人应用中，GANSPIN1100系列可实现轻量化、节省空间的设计，并提供响应迅速、精准的运动控制。器件的引脚布局可以轻松实现双层PCB的紧凑布局，简化电路板设计，并有助于降低整体物料清单（BoM）成本。 高度集成度的驱动器、精准的时序控制以及出色的dv/dt抗扰能力，可提升工业伺服驱动器和执行器等设备的长期可靠性。该系列器件还可用于电动自行车、无人机和电动工具，其高效率有助于延长电池续航时间。 全新GANSPIN1100驱动器的连续输出电流能力最高可达60 A（具体取决于器件型号），在实现高功率密度的同时，节省电路板空间并降低物料清单（BoM）成本。每款器件均集成两个GaN晶体管、具有优化栅极电阻的栅极驱动器，以及VCC电容和自举电容。 新器件为高侧和低侧晶体管的开通与关断分别提供独立的栅极驱动输出，使设计人员能够精细调整开关时序，优化效率和电磁干扰（EMI）表现。短至20 ns的传播延迟和精确至1 ns的延迟匹配，支持高达5 MHz的开关频率，满足高性能电机控制需求。 此外，智能直通保护功能通过监测栅极驱动输出电压，实现接近零的死区时间，在防止上下管同时导通的同时，尽可能降低GaN器件的第三象限损耗。器件还具备输入互锁功能，以及动态自举开关，可在各种条件下保持高侧栅极驱动电压稳定，防止电容过充。VCC电源和自举电源均配备欠压锁定（UVLO）和过压锁定（OVLO）功能，再加上过温关断功能，共同构成完整的保护机制。 GANSPIN1102、GANSPIN1102E和GANSPIN1105采用厚度为1.12 mm的栅格阵列（LGA）封装，工作结温范围为−40 ℃至125 ℃。预计这些器件将于2026年底前上市。 在2026年11月10日至13日于慕尼黑举办的electronica 2026展会上，ST在展台上展示GANSPIN1102E驱动机械臂关节的演示。
氮化镓
芯查查资讯 . 17小时前 630
存储前沿洞察②｜聚焦G2.5层：德明利探索CXL+PCM内存扩展新路径
2026年云栖大会上，德明利分享了AI推理场景下的新G2.5存储层级，重点介绍了基于CXL引入PCM等新型介质，构建大容量、低时延内存扩展方案的技术思路。 《前沿技术创新》栏目第二篇，德明利研发团队将从AI服务器存储分层出发，进一步梳理G2.5层的形成逻辑，并重点解析PCM介质特性、CXL内存扩展路径，以及德明利围绕G2.5层推进的核心芯片与产品化布局。 一、G2.5层：弥补DRAM与SSD之间“性能断层” 从AI服务器存储分层看G2.5的位置 AI服务器里，数据按照“离计算核心的距离”分层存放：从GPU侧的HBM、主机侧的DRAM，到本地SSD及远端共享存储，越靠近计算核心，访问时延越低、性能越高，但单位容量成本也越高。 在大模型推理过程中，KV Cache也会沿着这一体系逐级分布：活跃、访问频率高的数据优先驻留在HBM中，超出HBM承载能力的部分进一步下沉至DRAM，而访问频率更低的温冷数据，则可以继续下沉至SSD及远端存储。 但现有分层并非连续平滑。G2层DRAM的访问时延处于纳秒级，而G3层NAND SSD则进入微秒级，从几十纳秒到几十微秒，时延相差约三个数量级。为此，行业在DRAM与SSD之间细分出G2.5扩展内存层，通过CXL等技术扩展内存容量，承接仍对时延较为敏感、但无需长期驻留高成本DRAM的数据。 为什么需要G2.5层？ G2.5层的出现，本质上来自AI推理对容量、成本和数据分层提出的新要求。 l KV Cache增长带来更大的内存容量压力 通用服务器的内存插槽数量是固定的，单纯依靠增加DRAM已难以持续满足内存扩展需求。于是，用成本低于DRAM、容量却更大的介质来补充对高性能内存容量的需求，正成为一种趋势。 l 全部采用DRAM的成本压力持续增加 DRAM虽然具备低时延优势，但单位容量成本较高，大规模扩容会进一步增加系统TCO。 l 并非所有数据都需要长期驻留DRAM AI负载本身存在明显的冷、温、热分层，KV Cache也具有一定的访问稀疏性。已有研究和生产实践表明，部分温数据可以从本地DRAM下沉至扩展内存层，在满足访问需求的同时降低对高成本DRAM容量的依赖。 由此，AI服务器的存储体系开始进一步“变厚”。按照数据从热到冷逐级下沉的逻辑，可进一步细分为： l G1：GPU HBM——承载模型权重及活跃KV Cache； l G2：System DRAM——承接从HBM溢出的内存数据； l G2.5：CXL扩展内存——位于DRAM与SSD之间，承载温KV、共享KV等仍需要较低时延访问的数据； l G3：本地SSD/Rack-local Storage——承载更大容量的温数据及KV复用； l G3.5：机架级或Pod级闪存层——进一步承载大规模上下文和KV Cache，NVIDIA CMX是代表性架构之一； l G4：远端共享存储——承载冷数据、长期共享及归档数据。 这其中，G2.5层解决的核心问题，是在DRAM与SSD之间增加一个新的容量和性能选择。 二、PCM：DRAM与NAND之间的新型存储介质 那么，G2.5层用什么介质来承载？DRAM性能高，但容量扩展成本较高；NAND具备容量和成本优势，但访问时延明显更高。位于两者之间的PCM，为这一新层级提供了新的介质选择。 PCM是什么？ PCM（Phase Change Memory，相变存储器） 是一种非易失性存储介质，通过相变材料在晶态与非晶态之间转换产生的电阻差异来记录数据。由于数据状态由材料本身的物相决定，即使断电后仍可保持，因此天然具备数据持久化能力。 为什么PCM适合G2.5层？ 从存储介质分层来看，存储介质一直在沿着"时延阶梯"演进，不同介质本质上是在时延、容量、成本和耐久度之间进行取舍。 相较NAND Flash，PCM具备更低的读写时延、更高的写入耐久度，并支持更细粒度的数据访问；相较DRAM，则具备非易失性，并在容量密度和单位容量成本方面形成新的扩展空间。 为什么PCM与G2.5层高度匹配？ 从量化指标来看，3D PCM相较NAND在访问速度、耐久度等关键维度具有数量级优势；相较DRAM，则在密度和单位容量成本方面形成差异。 因此，PCM并不是为了替代DRAM或NAND，而是在二者之间提供一种新的介质组合：比NAND更接近内存的性能，同时具备比DRAM更大的容量和成本扩展空间，并兼具数据持久化能力。这与G2.5层所需要的介质特征高度契合。 三、G2.5 存储层如何落地：CXL构建扩展内存 有了合适的介质，还需要解决另一个问题：如何让这部分新增容量以接近内存的方式进入计算系统？ CXL提供了这一技术路径。G2.5层的核心是“扩展内存层”，CXL建立在PCIe物理层之上，通过CXL.mem等协议提供内存语义访问，使CPU可以通过Load/Store方式访问扩展内存，而不再将其作为传统块存储设备处理。也正因此，G2.5不只是“增加一块更快的存储”，而是在系统中增加一个新的内存扩展层。 两种路径：从本地扩展到内存池化 在CXL框架里，G2.5层有三种典型构建方式： l 第一种是本地内存扩展 在保留本地RDIMM的基础上，通过CXL将扩展内存（CXL+DRAM或CXL+PCM模组）直接接入CPU，与本地RDIMM共同组成混合内存，这是更偏向单机扩容的路径。实际部署中，可以保留本地DRAM承载高频热数据，再通过CXL外挂PCM扩展更大的内存空间，用于承载容量更大、访问频率相对较低的温数据，从而在性能、容量与成本之间取得平衡。 l 第二种是内存池化 在本地扩展基础上进一步引入CXL Switch，将多份PCM或DRAM扩展内存组织成共享资源池，由不同CPU节点按需访问和分配，实现从单机容量扩展进一步走向跨主机共享与池化。相比本地扩展，这一路径可以进一步提升内存资源利用率和配置灵活性，但也需要Switch芯片、系统方案、资源调度及生态协同共同支持。 l 第三种是GPU直连扩展 如支持CXL 扩展的PCIe Switch 将CXL-PCM直连GPU，让GPU可以直接访问扩展内存，减少绕行CPU带来的转发开销与时延，适合大模型推理中GPU显存受限时，直接卸载KV Cache等温数据。 CXL + DRAM与CXL + PCM：两种介质路径 CXL解决的是“扩展内存如何接入系统”的问题，后端采用什么介质，则决定这一层在时延、容量、成本和持久化上的具体特征。目前主要存在CXL + DRAM与CXL + PCM两类技术组合： CXL+PCM的意义，并不是替代DRAM，而是与本地DRAM形成新的混合内存配置。 在实际内存部署中，可以保留部分RDIMM承载热数据，同时通过CXL扩展更大容量的PCM空间承载温数据，从而减少全部依靠DRAM扩容带来的成本压力。 一个有代表性的混配组合是：在1TB级内存需求下，保留4条128GB RDIMM承载热数据，再配置1条512GB的CXL-PCM扩展剩余容量，热数据留在DRAM中保证性能，温数据下沉至扩展内存，在容量和成本之间形成新的平衡。 同样，若保留相同的内存采购成本，将二分之一的DRAM成本替换为CXL内存盘，也可以获得更大的整体可用容量。而当DRAM插槽全部占满、单机容量触及上限时，CXL-PCM还能在槽位之外继续扩展——传统32条128GB RDIMM满配为4TB，采用4条128GB RDIMM加8条512GB CXL-PCM即可达到4.5TB，突破单机4TB上限，且预留28条RDIMM 槽位。 四、德明利推进G2.5层产品化布局 面向G2.5层，德明利正在推进Hima9560 CXL内存扩展主控及相关产品方案，通过CXL连接PCM介质，将持久化内存接入计算系统。 基于Hima9560的相关方案采用E3.S形态，容量覆盖512GB/1TB，读写时延为300+ns级，并支持Load/Store访问及数据持久化，满足AI推理场景下的大容量内存扩展需求。 围绕这一方向，德明利将进一步推进CXL+PCM模组、系统适配，及后续内存池化相关布局，从核心芯片、新型介质到系统方案，持续完善面向AI基础设施的分层存储能力。
TWSC . 18小时前 455
RTC芯片选型指南：工作原理、关键参数与应用场景详解
简要：RTC芯片选型通常按五个判断点：是否需要外置晶振、时间精度（ppm）、待机电流、封装尺寸、是否支持备份电池切换。先定精度与功耗预算，再决定内置晶振还是外置晶振方案——外置晶振灵活、成本低；内置晶振省外围、一致性好；带温补或TCXO的方案则用于宽温高精度场景。 实时时钟（RTC）用于在系统断电后依靠备用电池维持时间，具备日历、时间戳、闹钟/定时器等功能，广泛用于智能穿戴、工业控制、电力、智能家居和物联网。YXC扬兴科技RTC产品可对标PCF8563、DS1302、DS1307、RX8130、RX8111、RX8025、RX8900等主流型号，支持Pin-to-Pin兼容。以下对7款型号做精简选型说明。 型号 工作电压 典型功耗 精度/稳定性 接口 封装 晶振方案 YSN1302Z 2. 0V~5. 5V 0.3㎂ 需外部匹配晶体 三线SPI SOP-8 外接晶体 YSN1307 兼容3.3V/5V 0.3㎂ 需外部匹配晶体 I2C SOP-8 外接晶体 YSN8563 1. 2V~5. 5V 0.9㎂ 需外部匹配晶体 I2C SOP-8/TSSOP-8/MSOP-8 外接晶体 YSN8900 1.6V~5. 5V 0.55㎂ ±3.4ppm/±5ppm I2C 3225 温补+内置晶体 YSN8111 1.6V~5. 5V 0.25㎂ ±11.5ppm/±23ppm I2C 3225 内置晶体 YSN8130 1.2V~5. 5V 0.9㎂ ±5ppm/±23ppm I2C 3225 温补+内置晶体 YSN8025 1.6V~5. 5V 1.0㎂ ±3.4ppm I2C SOP-14 温补+内置晶体 •各型号应用场景： YXC YSN8563系列：具备日历、闹钟、定时及低压检测功能，适用于便携设备、工业控制及成本敏感型应用。 YXC YSN1302Z系列：支持闰年补偿与双电源切换，适用于PLC、工控网关、电表水表及传感器等场景。 YXC YSN1307系列：具备掉电检测功能，适合需要额外存储空间的嵌入式系统及数据记录仪。 YXC YSN8900系列：支持全温区高精度计时与温度传感，适用于工业HMI、电力分时计价及医疗合规等场景。 YXC YSN8111系列：具备极致低功耗与超薄封装优势，专为手表手环、TWS耳机及便携医疗设备打造。 YXC YSN8130系列：支持数字偏移校准与自动电源切换，适用于智能穿戴、扫地机器人及便携设备。 YXC YSN8025系列：具备温度补偿与全温区高精度特性，适用于电力系统、工业自动化及通信网络等场景。 •选型指南： 1、按精度选型 最高精度（±3.4ppm）：YSN8900、YSN8025（内置TCXO/温度补偿，全温区高精度）。 中高精度：YSN8130（±5ppm/±23ppm）、YSN8111（±11.5ppm/±23ppm）。 常规精度：YSN8563、YSN1302Z、YSN1307（精度取决于外接的32.768kHz晶体）。 2、按功耗选型 极致低功耗：YSN8111（0.25μA）> YSN1302Z（<0.3μA） > YSN8900（0.55μA）。 标准低功耗：YSN8563、YSN8130（0.9μA）、YSN8025（1.0μA）。 3、按封装与集成度选型 小尺寸内置晶体(免布线/免匹配)：YSN8900、YSN8111、YSN8130（3225封装，体积小，抗干扰强）。 经典外置晶体：YSN8563、YSN1302Z、YSN1307（SOP-8封装，成本低，设计灵活）；YSN8025（SOP-14封装）。
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扬兴科技 . 18小时前 504
详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 拓扑中的应用：死区时间控制及损耗优化方法
共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（Cascode SiC JFET，简称 CJFET）兼具高耐压、低导通损耗、开关速度快及栅极电荷低（0−12 V 栅极驱动）等优势，在 LLC 谐振变换器中极具应用潜力。然而，其关断时较高的电压变化率（dv/dt）易激发持续振铃，导致电压过冲、电磁干扰（EMI），极端情况下甚至引发振荡。尤其在高于谐振频率的工况下，初级侧开关电流往往较大（例如 750 V 器件可达 30 A 以上），该问题更为突出。 本手册为 CJFET 用于高频零电压开关（ZVS）应用提供了系统级设计指导。本文将重点介绍外部 Cds对死区时间要求的影响、使用外部 Cds降低功率损耗。 外部 Cds对死区时间要求的影响 为了维持 LLC 变换器初级侧开关的零电压导通（ZVS），在施加栅极驱动电压导通器件之前，必须将开关节点处的总电容完全放电。假设在关断瞬态期间开关电流保持恒定，ZVS所需的最小过渡时间Ttr由以下公式给出： （公式1） 其中， Coss(tr)为功率器件数据手册中规定的时间相关输出电容。如公式 1 所示，外加 Cds会增加所需的最小过渡时间。同样以 NTBT023N075CJ4 为例，根据公式 2 计算得出的有无外加 Cds时所需的最小 Ttr曲线如图 1 所示。为了维持ZVS，死区时间 Tdt必须长于该 Ttr。因此，该曲线给出了栅极控制器生成的 PWM 信号所需死区时间 Tdt的理论最小值。在实际设计中，还需要增加一定的裕量，以应对由以下因素引起的器件栅极信号时序偏移误差：栅极驱动路径延迟不一致、器件在导通与关断栅极电压下的阈值电压差异，以及导通/关断电阻不平衡等。这一裕量的设定是一项系统设计决策，需要综合考量栅极驱动路径的元器件选型、导通/关断栅极电压设置以及 PCB 布局布线等多种因素。 图 1. 不使用和使用不同外部 Cds时维持 ZVS 所需的最小死区时间 沿用上一节的示例，当开关电流为 10 A 且外加 220 pF 的 Cds以控制 dv/dt 时，约 35 ns 的过渡时间 Ttr即已足够。为给器件栅极处的时序容差留出裕量，本应用笔记的测试环境中采用了 75 ns 的死区时间 Tdt。 使用外部 Cds降低功率损耗 在许多应用中，LLC变换器需要工作在高于其谐振频率的开关频率下。在这些情况下，开关器件不仅需要关断励磁电流，还需要关断负载电流（折算到初级侧）。由于关断dv/dt随开关电流增大而升高，建议使用RC或纯电容缓冲电路来限制高电流关断工况下的dv/dt。 如果在 LLC 变换器中使用电容缓冲电路（C-snubber）并维持零电压导通（ZVS），则不会产生额外的开关损耗。相反，由于关断瞬态电流被分流至缓冲电路，它还有助于降低开关损耗。关断期间存储在缓冲电路中的能量，会在该开关再次导通前回馈至母线，因此缓冲电容不会产生额外的功率损耗。图 2 的实测波形清晰地说明了这种漏极电流的分流现象。 在关断瞬态期间，部分负载电流（原理图中的 ILoad）被上桥臂和下桥臂的缓冲电容 C1与 C2 分流（即Ics1和 Ics2）。由于这种电流分流，流入器件本身的电流（ IDUT）随之减小。因此，电压与电流的重叠面积减小，关断开关损耗也随之降低。 图2. 波形对比展示了利用缓冲电路实现的关断电流分流
安森美 . 18小时前 441
翻译笔电阻选型指南：抗浪涌、抗硫化、控温升三大特性如何取舍？
搭载AI 翻译、即时读词、绘本识别，翻译点读笔已经成为热门爆款刚需。赛道新品密集上新，市场新品迭代速度快，算法、光学识别、音质功能持续内卷，家长选购时，对耐用稳定的要求愈发严苛。 多数使用场景的考验：反复插拔充电线带来的浪涌静电、手心汗液持续侵蚀、功放长时间工作发热。故障容易集中爆发，不仅拉高返修、售后、物流成本，更会直接损耗品牌口碑，可靠性元器件方案，已经成为翻译点读产品突围的核心抓手。拉开品质差距的关键，藏在BOM清单里的电阻：抗浪涌、抗硫化、控温升，小小的元器件，是整机可靠性的关键。 行业共性痛点 普通电阻温漂大、批次一致性差，采集的读码反馈信号存在偏差，造成点读识别误判、漏读，出现识别卡顿、反复离线。 常规电阻脉冲耐受能力弱，反复热插拔数据线产生的静电与尖峰浪涌，极易击穿普通电阻，造成器件损伤开路，主控失去端口防护，随机死机、充电异常频发。 普通电阻功率余量不足，LED长时间点亮时温升超标，阻体加速老化；叠加手汗带来的潮湿含硫环境，普通电阻极易发生硫化，长期使用阻值持续漂移，埋下杂音、灯光失效隐患。 核心优势：多场景覆盖，精准解决痛点 针对翻译点读笔高密度狭小PCB布局难题，合科泰深耕被动元件领域，推出多款热门系列电阻，适配USB浪涌防护、信号采样识别、功放LED限流三大核心电路，满足终端产品抗静电脉冲、耐汗液硫化腐蚀、负载温升可控、长效稳定运行的需求。 RAT 抗浪涌厚膜电阻｜抵御瞬时脉冲冲击 RAT系列抗浪涌电阻专门应对瞬间脉冲冲击，拥有更强的脉冲耐受能力，覆盖0402~2512多尺寸。随意插拔USB数据线会产生尖峰浪涌电流，叠加人体静电ESD，很容易直接冲击电源回路，击穿主控，出现充电无响应、掉程序等问题。具备优秀的短时脉冲承受能力，可快速吸收插拔产生的尖峰能量，钳位异常电压，削弱浪涌与静电对后端芯片的冲击。 RCQ抗硫化厚膜电阻｜高湿腐蚀防护 RCQ系列抗硫化厚膜电阻，覆盖0201~2512多尺寸，采用特殊抗硫化保护层工艺。面对长期置于的密闭高湿、含硫环境，能够抵御硫化侵蚀，避免电极腐蚀失效。长期使用阻值稳定，大幅降低器件早期失效概率，提升整机使用时长和耐久度，漂移量可控。非常适合点读识别采样回路、靠近外壳的信号检测点位，持续保障识别信号稳定传输。 RHP高功率厚膜电阻｜高压分压采样专用 RHP系列高功率厚膜电阻，覆盖0201~2512多尺寸，具备充足功率余量与优秀热传导特性。面对功放回路波动电流、LED长时间常亮等高负载工况，可有效抑制温升，避免阻体过热老化。持续负载下性能稳定，降低杂音、灯光闪烁、器件烧毁等热失效风险，保障音频输出、灯光指示功能长效可靠。 精准选型建议 USB输入防护回路：前端防护选用RAT系列抗浪涌厚膜电阻，吸收插拔带来的浪涌尖峰与ESD静电，保护点读笔主控芯片； 信号识别采样回路：靠近外壳、易接触汗液的检测点位选用RCQ系列抗硫化厚膜电阻，抵御高湿含硫侵蚀，维持阻值稳定，保障读码信号采集精度； 功放、LED限流回路：音频与灯光支路选用RHP系列高功率厚膜电阻，预留充足功率余量，抑制工作温升，规避热老化引发的杂音、灯光异常故障。 最后结语 翻译点读笔硬件的比拼，最终落脚在真实使用场景下的长久稳定。合科泰依托成熟自动化产线，打造出RAT、RCQ、RHP系列电阻产品矩阵，一站式覆盖USB浪涌防护、信号采样识别、功放LED限流等电路需求，多封装规格适配点读笔紧凑高密度PCB布局。产品历经严苛可靠性测试，可应对热插拔脉冲冲击、手汗硫化腐蚀、持续负载温升等场景考验。依托稳定供货与专业技术支持，合科泰为早教硬件厂商提供高可靠电阻方案，助力夯实防护与信号控制性能，促进翻译点读产品品质升级。
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厂商投稿 . 18小时前 525
鼎芯SN74LVC1G07DCKR应用笔记：开漏缓冲器怎么落地
SOT-23-5封装的单路与门，常被当作 BOM 里最没有技术含量的那一行，随手一填就过。可真把它放到 5V 与 3.3V 混压的板子上、放到时钟门控或者上下电时序里，出问题的往往就是它。这篇笔记我将按照SN74LVC1G08DBVR产品数据手册逐项一一拆开，讲清它到底能干什么、不能干什么。 一、这颗器件到底在干什么？ 鼎芯SN74LVC1G08DBVR是一颗单路、两输入的正逻辑与门，输出 Y = A·B。五个引脚：1 脚 A、2 脚 B、3 脚 GND、4 脚 Y、5 脚 VCC。 型号里的 DBV 是 SOT-23-5 的封装代码，R 表示卷带包装，这一点在替换料时比型号本身更容易出错。 实际电路里它很少真的在“算逻辑”，多数是三类活：把两路条件相与做使能、把 5V 信号降成 3.3V、在部分断电的板卡上做隔离。 LVC 工艺给它的底子是 1.65V 到 5.5V 供电、输入可承受 5.5V、带 Ioff 断电保护，这也是它被大量用在混压接口处的原因。 二、几个会直接改板子的参数 门限决定它能不能直接接前级。3.0～3.6V 供电时 VIH 最小 2.0V、VIL 最大 0.8V；4.5～5.5V 供电时 VIH 最小 0.7×VCC、VIL 最大 0.3×VCC。 这套门限意味着 5V TTL 输出可以直接驱动它，而 1.8V 逻辑要算一算高电平还剩多少余量。 输出能力必须带条件读。3.0V 供电、拉/灌 24mA 时，VOH 最低 2.3V、VOL 最高 0.55V，高电平只剩约 0.7V 余量。 后级若要求 3.0V 以上的高电平，这 24mA 是带不动的；后级若要求 0.4V 以下的低电平，同样不能满负载用。 静态电流手册给的是上限 10µA，不是常被引用的 0.1µA 典型值。做低功耗预算只能用 10µA，不能用典型值。 输入停在 VCC−0.6V 这种中间电平时，还会额外产生最多 500µA 的 ΔICC，这是慢边沿电路最容易漏算的一笔。 延时按负载分档。3.3V、15pF 时最大 3.6ns；负载换成 50pF 就是 4.5ns；125℃ 还要放大到 6ns。 高速链路里拿 15pF 的数据做时序预算，余量很容易在设计后期被吃掉。 表 1 关键电气参数（摘自 LVC 1G08 系列数据手册口径） 参数 测试条件 数值 对设计的影响 VCC 推荐工作范围 1.65～5.5V 3.3V、5V 系统通用，1.8V 系统也能覆盖 VIH VCC=3.0～3.6V ≥2.0V 5V TTL 输出可直接驱动 VIL VCC=3.0～3.6V ≤0.8V 低电平抗扰余量约 0.8V VOH VCC=3.0V，IOH=−24mA ≥2.3V 重载时高电平余量只剩 0.7V VOL VCC=3.0V，IOL=24mA ≤0.55V 后级要求 0.4V 以下时不能满载 ICC VI=VCC/GND，IO=0 ≤10µA 低功耗预算取上限，不取典型值 ΔICC 单输入停在 VCC−0.6V ≤500µA 慢边沿、中间电平的隐形功耗 Ioff VCC=0V，输入或输出 5.5V ≤±10µA 防倒灌，但不是完全断开 tpd 3.3V，CL=15pF / 50pF ≤3.6ns / ≤4.5ns 125℃、50pF 时放大到 6ns Ci / Cpd 3.3V 4pF / 26pF（典型） 动态功耗 P≈Cpd·VCC²·f ESD HBM / CDM 2000V / 1000V 器件级指标，接口仍需外加保护 三、外围、布线与容易忽略的坑 去耦电容不能省。0.1µF 贴在第 5 脚和第 3 脚之间，走最短回路；五脚小封装最容易被“顺手省掉”，边沿电流只能从远处电源拉。 未使用的输入必须接固定电平。CMOS 输入悬空会停在中间电压，静态电流上升，噪声下还会自己翻转；空着的与门把两个输入都接到 VCC 或 GND。 边沿速率是有硬指标的。3.3V 系统不超过 10ns/V，5V 系统不超过 5ns/V，超了不只是“能不能工作”的问题。 穿越区功耗、输出抖动、后级误触发会一起出现，且往往只在某块板、某个批次上复现。 慢信号不要硬接。按键、长线、RC 滤波之后的信号，先用带施密特输入的门整形，再拿这颗做逻辑判断。 注意这颗器件的手册里并未标注输入端施密特特性，不能默认它有回差，按普通 CMOS 门限设计才稳妥。 输出侧加串阻。驱动长线或容性负载时，输出串 22～100Ω 抑制过冲和振铃，比事后加 TVS 更省事。 输入端的过冲也要压住。5.5V 耐压指的是稳态输入范围，绝对最大不过 6.5V，长线反射打上来的尖峰仍可能超标。 门控时钟要防毛刺。用与门做时钟使能，若使能信号在时钟高电平期间变化，输出会被切出一个窄脉冲。 敏感时钟建议用专用门控单元，或者先把使能同步到时钟域，再进与门。 热基本不用太管，但要知道量级。24mA、压差 0.7V 约 17mW，SOT-23-5 的 RθJA 约 208℃/W，结温升不到 4℃。 真正需要注意的是布局位置，别把它贴在 DC-DC、功率管或发热严重的器件旁边。 四、适用场景与不推荐场景 适合的用法比较集中：5V 转 3.3V 或 2.5V 的下变换接口；两路电源 PG 信号相与做上电时序；GPIO 与 PWM 相与做使能；热插拔板卡的部分断电隔离；几十毫安以内的 LED、蜂鸣器开关。 不适合的清单更值得记住。 第一，需要线与或开漏输出的场合。它是推挽输出，两路输出并在一条线上，一个拉高一个拉低就是短路。 第二，输入是缓慢变化量或机械触点。手册未标施密特，边沿会抖，逻辑判断不可靠。 第三，需要把 3.3V 升到 5V。输出上限就是 VCC，它只能向下变换，不能向上。 第四，驱动电流超过 24mA，或者需要三态输出隔离总线。 第五，长期电池待机要求静态电流进 1µA 级——手册上限是 10µA，典型值不能拿来投标。 第六，系统电压可能超过 5.5V，或者需要车规等级器件。 第七，需要确定延时的场合，比如拿门电路做延时，温漂和批次差异会让时间对不上。 五、同功能料的对比与替换 同封装、同功能的料不少，替换时只看“是不是 1G08”是不够的。 表 2 同类单路与门关键参数对比 型号 供电范围 驱动能力 tpd（3.3V/50pF） ICC 上限 Ioff 漏电 输入端 温度 封装 鼎芯 SN74LVC1G08DBVR 1.65～5.5V ±24mA @3.0V ≤4.5ns（125℃ 6ns） 10µA ±10µA 手册未标施密特 −40～125℃ SOT-23-5 Nexperia 74LVC1G08GV 1.65～5.5V ±24mA @3.0V ≤4.5ns（125℃ 6ns） 4µA ±2µA 全输入施密特 −40～125℃ SC-74A TI SN74AHC1G08DBVR 2.0～5.5V ±4mA @3.3V、±8mA @5V ≤14ns 10µA 无此指标 全输入施密特 −55～125℃ SOT-23-5 三点结论: 其一，同为 74LVC1G08 的器件一般可以贴片互换，门限与驱动基本一致，差异集中在静态电流、Ioff 漏电和输入端是否带施密特。 其二，AHC 系列虽然也是单路与门，但供电下限 2.0V、3.3V 时驱动仅 ±4mA、延时接近四倍，只能当慢速低驱动版本用。 其三，换料要核封装代码、编带方式、湿敏等级和丝印，同系列不同后缀常常对应完全不同的封装。 六、常见问题 问：3.3V 供电，输入接 5V 信号可以吗？输出能直接给 5V 器件吗？ 输入可以，5.5V 耐压；输出不行，高电平上限就是 VCC。这是单向向下变换，反过来不成立。 问：两个输出并起来能增大驱动吗？ 不能。推挽输出并联，一路拉高一路拉低时就是直通短路。 问：实测静态电流比 0.1µA 大不少，是坏了吗？ 0.1µA 是 25℃ 典型值，手册上限 10µA；输入停在中间电平还会再叠加最多 500µA，先查输入有没有悬空。 问：驱动 LED 的限流电阻怎么算？ R =（VCC − VF − VOL）/ I。10mA 级别时 VOL 约 0.3～0.4V，不能按 0 算，否则实测电流会偏大。 问：125℃ 环境下时序还够吗？ tpd 上限从 3.6ns 涨到 6ns（50pF 档 4.5ns 到 6ns），高温机型要按 125℃ 那一列做预算。 问：换批次或换料怎么验证？ 在板对比 tpd、VOH/VOL、ICC 三项，再确认输入端是否带施密特，基本能覆盖主要差异。 问：DBVR 之外的后缀怎么区分？ DBV 对应 SOT-23-5，DCK 一类的后缀通常是 SC70-5。供应商页面概述里提到两种封装，参数表只列了 SOT-23-5，下单前按封装代码核对。
SN74LVC1G07DCKR
鼎芯电子 . 18小时前 462
政策 | 美商务部推迟将Megaspeed列入实体清单；美议员推动针对中国的芯片限制措施
据《金融时报》报道，美国商务部已将“实体清单”的增补工作推迟了两个月。尽管有另外四个美国政府部门力主将总部位于新加坡的Megaspeed International公司列入贸易黑名单实体清单，但该公司目前仍未被纳入其中。据《金融时报》披露，美国国防部、国务院、能源部和财政部曾提议将Megaspeed列入清单。 据报道，有关Megaspeed及其他数十家公司的相关决策已被移交给参与相关谈判的高层官员处理。 延期不等于免责。截至2026年11月10日，Megaspeed仍面临多方面的审查。11月9日的一篇报道称，在英伟达（Nvidia）与调查人员取得联系后，美国商务部暂停了其调查，随后美国司法部接手了刑事调查。相关报道并未证实英伟达曾对这一决定施加不当影响。美国商务部表示其遵循了既定程序；英伟达则称，其沟通旨在提供信息并寻求指导。与此同时，新加坡内政部于11月10日证实，针对Megaspeed的调查仍在进行中；该部门同时否认曾对该公司前高管Alice Huang进行过调查。 Megaspeed在东南亚提供基于英伟达算力基础设施的访问服务。该公司否认存在违规芯片转移行为，并表示相关检查未发现任何违规情况。英伟达也为其合规审查工作进行了辩护。上述各方的声明，与有关部门确认调查仍在继续的事实并存。 美国议员推动针对中国的芯片限制措施 11月10日，美国议员再次呼吁加强对中国获取先进人工智能（AI）芯片的限制。 美国参议院民主党领袖查克·舒默（Chuck Schumer）周二呼吁国会通过三项法案：《人工智能监管法案》（AI Overwatch Act，旨在赋予美国国会对先进芯片出口的管控权）、《芯片安全法案》（Chip Security Act，要求企业追踪其芯片以打击走私），以及《Match法案》（Match Act，旨在推动美国盟友限制向中国出口更多的芯片制造设备）。 美国众议院“中国特别委员会”主席、共和党人约翰·穆勒纳尔（John Moolenaar）在一份声明中表示，应将芯片出口限制措施纳入美国年度国防授权法案。
半导体
合规观澜 . 昨天 945
原厂 | 存储大厂，重金“扫货”EUV光刻机
此前，光刻机巨头ASML向外界发出预警，称极紫外（EUV）光刻设备即将面临供应短缺。在这一背景下，全球头部存储厂商正积极锁定EUV设备的交付，试图在产能扩张与技术迭代的窗口期抢占先机。 据韩媒报道，近期存储大厂正竞相向ASML订购EUV光刻设备，三星电子动作尤为激进，相关投资规模上限或达到20万亿韩元（约合人民币992亿元）。 理解这笔巨额设备投资，需要先厘清EUV光刻与先进DRAM制造之间的技术绑定关系。DRAM的核心存储单元由一个晶体管和一个电容构成，长期以来的微缩路径依赖于光刻精度的提升。当制程推进到1β及以下节点时，电路间距已缩至十几纳米级别，传统DUV（深紫外）光刻的193纳米波长必须依赖多次曝光（如SAQP）来“拼”出精细图形，而每增加一次曝光，叠对误差便会累积一层。在字线间距与位线间距逼近DUV多重曝光的物理极限时，继续硬撑将导致良率无法满足量产要求。 EUV的13.5纳米波长比DUV精细约一个量级，能够在单次曝光中定义更细微的图形，从根本上规避了多重曝光带来的误差累积与工序复杂度。对于DRAM而言，随着存储单元电容的深宽比突破80:1，传统光刻已难以精确界定柱状结构，EUV的引入不仅是提升密度的手段，更是维持先进节点可制造性的前提。 在具体产能布局上，三星电子正全力推进平泽P4工厂的升级，计划在此增设HBM4单晶DRAM的生产线。与此同时，平泽P5工厂的扩建工程也在稳步推进，其首座晶圆厂预计将于2028年正式投产。据报道，三星已提前为P5工厂订购了光刻设备，预计在2027年上半年第一阶段洁净室完工后，这批设备即可迅速进场投入使用。 除了扩大现有产能，三星还意图通过更高阶的高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术拉开下一代DRAM的技术代差。High-NA EUV通过将数值孔径从0.33提升至0.55，进一步增强了分辨率能力。据悉，三星计划于2027年开始量产1D DRAM，随后在2028年迈入10nm以下的0a DRAM小规模生产阶段，High-NA EUV预计将在0a阶段引入。为了在昂贵的设备投资与量产良率之间取得平衡，三星目前正在评估仅在一到两层关键工艺中使用该技术。
存储
全球半导体观察 . 昨天 924
企业 | 增幅20%，粤芯三期集成电路增资至90亿元
工商信息显示，广州粤芯三期集成电路制造有限公司已于2026年11月6日完成注册资本变更登记，注册资本由75亿元调整至90亿元，本次增资额度15亿元，增幅20%。 该主体为粤芯半导体三期12英寸特色工艺产线对应的项目公司，本次增资引入地方国资产业资本投入，资金将用于产线建设、设备采购以及后续产能爬坡，是广州本土成熟制程晶圆代工扩产的重要资本动作。 粤芯半导体2017年落地广州黄埔，是粤港澳大湾区首家实现量产的12英寸晶圆制造企业，也被称作“广州第一芯”，填补了广东本土12英寸晶圆制造产能空白。 粤芯半导体主要面向外部芯片设计公司提供特色工艺代工服务，工艺节点覆盖180nm至55nm区间，重点布局模拟、功率、CIS图像传感器、硅光等方向，下游覆盖汽车电子、工业控制、消费电子、AI算力配套等领域。企业已于2026年10月登陆创业板 2019年9月，粤芯一期产线实现量产，后续二期、三期项目陆续推进建设，一、二期产线组成第一工厂，三期为第二工厂，一二三期合计规划月产能8万片12英寸晶圆。 广州粤芯三期集成电路制造有限公司成立于2022年9月，注册地址位于广州市黄埔区，经营范围包含集成电路芯片及产品制造、半导体分立器件制造等业务。 本次增资完成后，广州粤芯集成电路有限公司持股比例提升至83.33%，其余股东包含广州产投中鑫产业股权投资合伙企业、中鑫产投（广州）产业股权投资合伙企业、工融金投（北京）新兴产业股权投资基金合伙企业，出资主体为广州地方产业基金与工银资本旗下产业基金，本次增资不涉及国家集成电路大基金。 粤芯三期产线定位成熟特色工艺赛道，重点面向车规级、工业控制领域的模拟、功率、电源管理类芯片需求。按照规划，三期项目达产后新增月产能4万片，叠加粤芯已投产的一期、二期产线，整体形成月产能8万片的12英寸模拟特色工艺制造能力，持续补齐国内成熟模拟芯片代工产能。 后续粤芯还规划了四期项目，同样为12英寸数模混合特色工艺产线，规划月产能4万片，建成后公司整体规划月产能将达到12万片。
模拟
全球半导体观察 . 昨天 749
市场 | 平头哥、普冉股份拟赴港上市，超聚变上会在即
11月10日，半导体产业链资本化进程迎来一轮密集更新：阿里巴巴宣布分拆芯片子公司平头哥赴港独立上市，普冉股份筹划发行H股，芯德半导体正式登陆港交所主板，思锐智能科创板IPO获上交所受理。 从芯片设计、封装测试到半导体设备，多家企业同日推进IPO进程，覆盖半导体产业链多个关键环节，也让市场对后续半导体资产上市节奏的关注度进一步升温。 阿里分拆平头哥：申请赴港独立上市 11月10日晚间，阿里巴巴发布公告称，其全资芯片子公司平头哥已正式申请独立上市，计划登陆香港联交所主板。上市完成后，平头哥仍将作为阿里巴巴的子公司存在。公告信息显示，平头哥早在今年9月11日就已向港交所递交H股上市申请，目前具体IPO募资规模尚未最终敲定。 平头哥成立于2018年，由阿里达摩院的自研芯片团队与收购而来的中天微系统整合而成，是阿里推进云端一体化芯片布局的核心主体。作为国产算力领域的代表性企业，平头哥近年来自研进展频频引发市场关注：2025年9月，其自研芯片“PPU”在《新闻联播》中亮相；今年1月，“真武810E”AI芯片正式上线官网；至今年3月，平头哥宣布其GPU实现规模化量产。 阿里巴巴CEO吴泳铭透露，在阿里云的实际业务场景中，平头哥芯片有超过60%服务于外部商业化客户，已支持400多家企业客户的AI任务。截至2026年4月，真武系列AI芯片的累计出货量已达56万片。 对于此次分拆的考量，阿里在公告中表示，独立上市有助于提升平头哥在客户、供应商及潜在战略伙伴中的独立品牌形象，从而增强其商业竞争力。此外，分拆完成后，平头哥未来能够以独立身份更直接地进入股本及债务资本市场，并进一步增强其获取银行信用融资的能力，从而更有效地配置阿里集团的整体财务资源。 普冉股份：筹划发行H股赴港上市 11月10日，普冉股份发布公告，为深入推进公司全球化发展战略及海外业务布局需要，提升品牌影响力与核心竞争力，巩固行业领先地位，充分借助国际资本市场的资源与机制优势，优化资本结构，拓宽多元融资渠道，全面提升公司综合实力，公司正在筹划发行境外股份（H股）并在香港联合交易所有限公司上市事宜。 截至目前，公司正与相关中介机构就本次H股上市的具体推进工作进行商讨，相关细节尚未确定，本次H股上市不会导致公司控股股东、实际控制人发生变化。根据相关法律、法规及规范性文件的要求，待确定具体方案后，本次H股上市事宜尚需提交公司董事会和股东会审议，并经中国证券监督管理委员会、香港联交所和香港证券及期货事务监察委员会等监管机构的批准、核准或备案。 普冉股份成立于2016年，目前主要产品包括NOR Flash、EEPROM两大非易失性存储器芯片、MCU微控制器芯片及模拟产品。产品广泛应用于物联网、智能手机及周边、可穿戴、服务器、光模块、工业控制、汽车电子、安防等领域。 芯德半导体：正式挂牌港交所主板 11月10日，芯德半导体正式在港交所主板挂牌。芯德半导体是一家半导体封测服务提供商，主要从事开发封装设计、提供定制封装产品以及封装产品测试服务。 此次港股IPO，芯德半导体最终发售价为每股8.88港元；全球发售1.07亿股H股，约占发行后总股本的10.0%，发行后总股本约10.66亿股，募集资金净额约8.82亿港元，所得款项总额约9.46亿港元。 业绩方面，2023年至2025年，芯德半导体营业收入分别为5.09亿元、8.27亿元和10.12亿元。2026年前四个月，芯德半导体实现营业收入3.60亿元，同比增长17.4%。 从产品结构看，2025年，芯德半导体先进封装、传统封装分别实现收入7.37亿元和2.71亿元，占总收入的比例分别约为72.8%和26.8%。募资用途方面，根据招股书，本次全球发售所得款项净额约69.5%将用于兴建生产基地、建立新生产线及采购生产相关设备以提升制造能力；约17.6%将用于提升封装技术研发能力；约2.9%将用于提升商业化能力、扩展客户协作生态及海外销售网络；其余约10%将用作营运资金及其他一般公司用途。 思锐智能：科创板IPO获受理 11月10日，思锐智能科创板IPO获上交所受理，保荐机构为国泰海通。青岛思锐智能科技股份有限公司主要从事应用于集成电路、功率器件、科研及显示器件等领域的原子层沉积设备和离子注入设备的研发、生产和销售，并提供备品备件和相关技术服务。 公司产品主要包括原子层沉积设备和离子注入设备。原子层沉积设备包含Transform系列、TFS系列、P系列、空间ALD系列和Genesis系列等类型；离子注入设备包含高能离子注入系列、大束流离子注入系列、中束流离子注入系列、氢离子注入系列和SiC离子注入系列等类型。 公司产品主要应用于半导体制造环节的薄膜沉积及离子注入工序，是半导体前道核心生产设备，主要用于构建功能材料层及实现材料掺杂。随着半导体工艺制程的迭代和进步，原子层沉积设备及离子注入设备在先进工艺制程中的重要性不断提升。此外，在科研领域，公司原子层沉积设备能够满足半导体、光学、催化剂、电池等领域的前沿研究需求；在显示器件领域，公司原子层沉积设备在Micro OLED、Micro LED等细分领域亦得到广泛应用。 两家半导体产业链公司上会在即 在11月10日多家企业IPO动态集中释放之后，半导体及算力产业链还有两家公司即将迎来上会关键节点。 深交所网站披露，深交所上市审核委员会定于11月12日召开2026年第61次上市审核委员会审议会议，届时将审议超聚变数字技术股份有限公司的首发事项。超聚变成立于2021年9月，总部位于河南自贸试验区郑州片区，是一家算力基础设施与数智化服务提供商。此次IPO，超聚变计划募集资金80亿元，投向新一代算力基础设施研发及产业化项目（40.8亿元）、超聚变智慧制造园区及研发中心项目（20.3亿元）、面向智能算力、AI以及供电架构的关键技术研发项目（8.9亿元）以及补充流动资金（10亿元）。 上交所上市审核委员会定于2026年11月16日召开今年第58次上市审核委员会审议会议，届时将审议江苏神州半导体科技股份有限公司的科创板首发事项。神州半导体是一家深耕等离子体电源系统领域的供应商，其中芯片产线是公司主要布局领域。公司此次IPO拟募资总额21.83亿元，聘请的保荐机构和会所为国泰海通和容诚所。 结 语 从平头哥赴港、普冉股份筹谋“A+H”，到芯德半导体挂牌、思锐智能获受理，再到超聚变、神州半导体上会在即，半导体产业链的IPO节奏仍在延续，后续资本市场的进展值得持续关注。
平头哥
全球半导体观察 . 昨天 882
为什么平衡车的电机驱动所使用的MOS管，雪崩耐量与脉冲电流差了不行？
当下智能短途代步市场持续升温，用户对平衡车的耐用性、路况适应性、低故障率要求越来越高。以往依靠“大电流余量”堆参数的粗放选型方式，难以跟上产品迭代节奏。随着整机小型化、轻量化及高续航升级，驱动电路散热空间被压缩，工况冲击更集中，对MOS管的瞬时抗冲击能力和雪崩耐受能力提出了更高要求。高动态耐受、高稳定性的专用功率MOS管，正成为平衡车电机驱动的选型主流。 行业痛点 绝大多数平衡车 MOS管失效，并非持续电流过载，而是瞬时冲击击穿。 路面颠簸带来电机转速突变，产生高压尖峰；车轮堵转瞬间拉高回路电流；急刹时，电机感性负载释放强反向电动势，超出 MOS管常规耐压。 普通MOS管雪崩能量与脉冲电流余量不足，难以承受高压高压浪涌和瞬间大电流冲击。反复冲击会加速器件老化、内阻上升及发热加剧，最终击穿短路、整机断电甚至骑行失控。 核心优势：多场景覆盖，精准解决痛点 针对平衡车颠簸冲击、急刹反电动势及瞬时高压尖峰的严苛工况，合科泰推出多款热门MOS管，依托成熟功率器件工艺和严苛品控体系，适配不同功率档位平衡车电机驱动方案。 HKTD80N06｜大功率机型专属 这款型号为60V耐压、80A大电流型号，核心优势是大脉冲承载与高效散热。器件优化源漏极结构，导通电阻和损耗极低，搭配底部全覆盖焊盘设计，热阻低，散热效率显著提升，可有效化解高负荷工况下的积热问题。其具备优异的脉冲电流承载能力，并具有高雪崩耐受能量，能持续抵御颠簸、堵转带来的频繁电压电流尖峰冲击，耐高温和抗老化性能突出，适配大功率、长续航的双轮平衡车，可长期稳定高负荷运行。 HKTG48N10｜高耐压稳机型首选 这款型号主打超高耐压与稳定抗浪涌性能。器件耐压可达100V，可承受急刹车、颠簸产生的反向电动势尖峰，规避高压击穿风险。导通电阻低至6.8mΩ，开关损耗更低，工作稳定性更强；同样具备优质雪崩耐受能力，瞬时脉冲承压能力优异。该器件电路适配性更强、开关响应迅速，适配中小功率便携平衡车，适合复杂路况、高频启停的使用场景。 选型指南 平衡车电机MOS选型需摒弃“只看持续电流”的误区，优先锁定动态核心参数。 第一，重点核查单脉冲雪崩能量EAS，优先选择150mJ以上型号，抵御反向电动势冲击，避免瞬时击穿； 第二，关注脉冲电流IDM参数，保障设备堵转、急刹时的瞬时电流承载余量，杜绝过流烧毁； 第三，按设备功率精准匹配，同时需结合设备高温工作特性，预留充足电流降额余量，保障长期运行稳定。 最后结语 平衡车复杂工况决定了电机驱动MOS管选型的核心是抗冲击、稳耐受。雪崩耐量与脉冲电流是衡量器件工况适配性的关键，远比标称持续电流更具参考价值。合科泰具有成熟的产品矩阵，适配不同规格平衡车驱动设计，为整机提供高可靠电机驱动解决方案，助力设备提升运行稳定性、降低故障概率，契合平衡车高品质发展趋势。
半导体
厂商投稿 . 昨天 637
MF7780：国产24位Σ-Δ ADC，AD7780的Pin-to-Pin替代方案
在桥式传感器信号调理领域，ADI的AD7780是绕不开的标杆。这颗2009年发布的24位Σ-Δ ADC，凭借片内振荡器、内置PGA、桥断电开关，把电子秤、压力传感器这类应用的BOM清单砍掉了大半。十几年来，它几乎是低端到中端称重系统的默认选型。 而现在，这颗料已拥有了国产替代——14引脚窄体SOIC，8.65mm×6mm，集成片上低噪声PGA、24位Σ-Δ调制器、数字滤波器、64 kHz内部时钟、桥传感器断电开关，这就是MF7780。 Pin-to-Pin兼容 MF7780的架构和AD7780高度一致：片上低噪声PGA、24位Σ-Δ调制器、数字滤波器、64 kHz内部时钟、桥传感器断电开关，全部集成在一颗芯片里。电源范围2.7 V~5.25 V，数字接口电源DVDD独立，SPI时序带Schmitt触发，抗干扰不差。 数据速率通过DFLT引脚硬切换：拉低是16.7 Hz，建立时间120 ms；拉高是10 Hz，建立时间300 ms。10 Hz档的阻带衰减超过-45 dB，同步提供50 Hz/60 Hz工频抑制。这个指标对付称重传感器的低频机械振动和电网干扰，绰绰有余。 PGA增益配置：MF7780的GAIN引脚提供128×和256×两档，而AD7780是1×和128×。对于桥式传感器这类输出通常只有几毫伏的应用，128×是最常用的档位；256×则给了更小幅值信号一些余量。而AD7780的1×档，更多是为外挂仪表放大器的方案预留的。 谁在关注这颗料？ MF7780的目标市场很清晰：电子秤、压力传感器、应变片测量、精密电子天平。 MF7780在引脚定义、封装尺寸、数字接口、核心功能上与AD7780保持了一致性，同时在INL线性度、默认增益配置等细节上做了针对性优化。对于正在寻找第二货源、或者新立项不想被单一颗料绑死的团队来说，MF7780值得放进BOM清单里试一试。
米德方格 . 昨天 714
贞光科技代理品牌 | 紫光同芯发布新一代国产车规安全芯片T97-615E
导读：作为紫光同芯的官方授权代理商，贞光科技致力于为车企及Tier1客户提供领先的紫光同芯安全芯片及全套解决方案。近日，2026紫光同芯合作伙伴大会在京顺利召开，大会聚焦智能汽车信息安全新趋势，并重磅发布了新一代车规安全芯片T97-615E。以下为大会核心内容分享： 近日，2026紫光同芯合作伙伴大会在京顺利举行。本次大会以“智启芯途 众行致远”为主题，汇聚政府领导、行业专家、头部车企、Tier1、晶圆制造企业等产业伙伴，携手探索如何在AI时代打造更加开放、高效、共赢的汽车芯生态。 大会期间，紫光同芯安全芯片负责人路倩发表《一芯全域，筑牢整车信息安全体系》主题演讲。立足智能汽车产业变革趋势，她深度解析了整车信息安全面临的新威胁、新要求与新路径，并发布了新一代车规级安全芯片T97-615E，以持续进阶的创新能力，助推智能汽车产业实现高质量发展。 一、 智能网联汽车：信息安全风险由潜在隐患变为常态化威胁 随着网联化、智能化技术不断发展，汽车已从单纯的代步工具演进为融合信息与网络能力的移动智能终端。联网场景不断丰富、数据资产价值日益提升的同时，信息安全风险也由潜在隐患变为常态化威胁。一旦爆发，不仅损害企业产品口碑，更直接威胁消费者的财产与生命安全。 路倩指出，当前整车领域主要面临五大攻击手段： 远程攻击：利用V2X、伪造广播、API劫持等方式跨越网络边界直接触达车辆系统，攻击入口呈指数级增加。 AI攻击：随着大模型和智能体上车，智能体攻击、大模型后门、训练数据投毒等新风险涌现，攻击目标从传统代码扩展到模型、数据和算法本身。 侧信道分析：攻击者通过时间、功耗、光等物理特征推断密钥和内部逻辑；叠加AI和量子计算技术，破解门槛大幅降低。 故障注入：激光、电磁等攻击精度提升数千倍，使攻击更为精确。 物理攻击：通过PCB、FIB、探针等手段对芯片及板级硬件进行探测、篡改和逆向分析，获取敏感信息。 与此同时，国内外机构与组织正加快完善和落地相关标准法规。信息安全正从“功能可用”走向“可管理、可审计、可追溯”，成为智能汽车量产上路的准入门槛与核心竞争力。 二、 应对系统性安全挑战：硬件级安全芯片是最优解 与过去相对封闭的车辆不同，智能汽车电子电气架构日益复杂，车云通信、车机交互等场景深度融合，数字钥匙、eSIM、OTA、座舱等多系统互联互通，任一节点的安全漏洞都可能引发系统性安全风险。整车信息安全已由单点防御工程演变为“云—管—端—数据—AI”深度协同的开放性、系统性安全问题。 实现整车信息安全面临三大挑战： 应用安全：需满足建立信任链可信根，保障敏感信息安全存储、运行安全不被监听、连接安全不被欺骗。 部署与实现：需适配不同SoC/MCU软硬件及车型项目，形成统一安全底座。 管理合规：需覆盖密钥全生命周期管控、多区域法规适配。 从行业实践看，单纯的软件解决方案存在安全边界受限、跨平台部署复杂、合规管理困难等问题。相较而言，基于安全芯片的硬件解决方案能够系统性破解上述难题： 以安全芯片作为可信根，构筑独立物理安全边界； 使用标准通信接口和统一SDK接入不同主控，即插即用，满足多方合规要求，实现多车型、多平台复用； 凭借物料标准化实现更高性价比，在降低安全风险的同时，减少适配成本和产线复杂度。 作为业内领先的芯片及解决方案提供商，紫光同芯深耕安全芯片领域二十余年，信息安全防护能力在跨行业、跨场景应用中持续沉淀，已交付数百亿套人联网安全芯片方案，支撑数十亿台设备实现物联网安全，赋能数千万辆汽车实现车联网安全。 三、 重磅发布：新一代车规安全芯片T97-615E 大会现场，基于这一技术理念与产业化经验的最新成果——新一代车规安全芯片T97-615E重磅发布。该产品面向T-BOX、数字钥匙、eSIM等车载安全场景，以更强算法、更多接口、更高性能回应密码算法升级、多接口并行、主控性能提升三大行业趋势。 更强算法：硬件原生支持NIST后量子密码算法及国密算法、AES/ECC经典密码算法，安全能力达国密二级、欧盟EUCC EAL5+等；协议层支持经典密码算法与PQC混合双栈运行；支持算法动态升级，助力未来汽车密码体系敏捷演进。 更多接口：同时支持7816和SPI多路接口，支持多接口并行接入、多主控并发应用场景，有效降低多芯片开发和制板成本，同一套硬件平台支撑多项目复用，大幅缩短产品导入周期。 更高性能：SPI通信速率、AES加密性能提升数倍，后量子密码算法性能优越，充分匹配车载实时交互、高频通信的业务需求，实现更快安全交互和更多安全吞吐。 “除此之外，T97-615E与上一代产品T97-315E/415E可实现Pin-to-Pin兼容，即插即用，无缝迭代升级。同时，公司还可提供芯片+OS+SDK全套解决方案以及全套合规认证资料，助力客户快速抢占市场先机。”路倩表示。 当前，智能汽车驶入发展快车道，信息安全是产业行稳致远的关键。面向未来，紫光同芯将持续探索安全芯片与前沿技术的创新融合，用芯护航智能汽车畅行无忧。 关于我们 作为紫光同芯授权代理商，贞光科技将依托紫光同芯领先的产品矩阵（如T97系列车规安全芯片等）与技术优势，为广大汽车电子客户提供专业的技术支持、样品申请及全方位的车联网安全解决方案。如需了解更多紫光同芯车规级芯片产品信息，欢迎随时与我们联系。
紫光同芯代理商 . 昨天 553
瑞萨电子推出集成电机控制、工业以太网与应用处理功能的全新RZ/T2N MPU，适用于机器人及工业设备
单芯片即可实现最多四轴电机控制、工业以太网及Linux应用处理 既可用作网络控制器，也可用作网络设备，支持从PLC到多轴伺服系统及工业机器人的各类应用 与传统多芯片配置相比，可减少电路板面积、降低系统复杂度，助力设备小型化并加快开发进程 将于2026年11月10日至13日在德国慕尼黑举办的electronica 2026上进行现场演示（瑞萨电子展位：C5馆479号展台） 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布推出RZ/T2N——一款可在单芯片上实现高精度实时电机控制、工业以太网和应用处理功能的64位微处理器（MPU）。凭借更少的元器件数量，工程师能够节省电路板空间、降低BOM成本、简化设计，并缩短各类工业应用的开发时间。由于RZ/T2N既可用作网络控制器，也可用作网络设备，工程师能够基于同一平台开发关节型机器人、多轴伺服系统及可编程逻辑控制器（PLC），并在不同产品间复用设计。 RZ/T2N配备两个用于应用处理的Arm® Cortex®-A55内核（最高1.2GHz），以及两个用于实时处理的Cortex®-R52内核（最高800MHz）。该产品支持EtherCAT®、PROFINET® RT/IRT和EtherNet/IP™等主流工业以太网协议，并结合时间敏感网络（TSN），可实现新一代时间同步工业网络通信。多轴伺服驱动器和PLC等设备以往需要多颗芯片来实现上述功能，而RZ/T2N将其集成于单芯片中，可实现更紧凑的设计。 最多支持四轴电机控制，专为机器人应用优化 每个Cortex®-R52内核均配备576KB带ECC的大容量紧耦合存储器（TCM），可最大限度地减少执行时间波动，实现高精度电机控制。RZ/T2N还集成了最多支持四轴的电机控制外设，可通过单芯片实现SCARA机器人和Delta机器人等工业机器人的电机控制。用于测量电机旋转角度等参数的编码器接口每轴提供两个通道，支持多摩川T-Format、HIPERFACE DSL®、A-format®、EnDat 2.2和BiSS C，以及最新的EnDat 3和BiSS Line协议。 实现灵活、高可靠性的工业网络 RZ/T2N配备三个千兆以太网MAC（GMAC）、一个以太网交换机和一个EtherCAT从站控制器（ESC），使设计人员无需外部通信IC，即可在控制器应用和设备应用中实现工业以太网。该产品还支持高可用性无缝冗余（HSR）、并行冗余协议（PRP）以及可靠性帧复制与消除（FRER）等冗余协议。在安全方面，该产品支持加密库、安全启动、安全固件更新和Arm TrustZone®，可构建高可靠性的网络和系统。 Hari Pendurty, Vice President of the EP Edge AI and Application Processors Business Division at Renesas表示：“工业设备设计人员必须在相互制约的需求之间取得平衡：一方面是功能和性能，另一方面是尺寸和成本。RZ/T2N通过将核心功能整合到单芯片上，解决了这一难题。结合我们可扩展的产品组合，RZ/T2N使客户能够灵活扩展设计，满足新一代工业自动化的需求。” 其他特性 全部存储器均具备ECC保护：CPU TCM和高速缓存、片上SRAM及DDR存储器 支持16位LPDDR4-1600存储器，具备实时解密/加密功能 RZ/T2x和RZ/N2x系列通用的Linux软件包和灵活配置软件包（FSP） 提供经过验证的各类工业以太网和编码器接口示例程序 提供基于瑞萨评估板的多轴电机控制解决方案示例程序 已在RZ/T2x和RZ/N2x系列上得到验证的功能安全软件解决方案，计划于2027年下半年推出 成功产品组合 瑞萨电子将RZ/T2N与自身多款产品相结合，推出“带以太网的多轴工业电机控制”和“采用FSoE且基于EtherCAT的多轴电机控制”解决方案。 供货信息 RZ/T2N及其评估板现已上市。
瑞萨电子 . 昨天 602
安世中国推出 ND3 半桥 IGBT 模块，以高可靠性赋能高压大功率应用
安世中国首款 IGBT 功率模块支持 175℃ 结温持续运行，兼具低损耗、高功率密度与面向恶劣工况的超高鲁棒性 行业领先的基础半导体器件与解决方案供应商安世中国今日推出面向 1200V 的 ND3 半桥 IGBT 模块系列，进一步扩充其高压功率器件产品组合。作为安世中国首款 IGBT 功率模块，该系列采用公司最新的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）沟槽栅先进场截止（FS）技术，提供 1200V 电压等级及 480A、600A、900A 三档电流，满足工业客户对高效高压功率转换与电机驱动日益增长的需求。 该产品系列为中速半桥模块，旗舰型号为 NT900T12D3M7，针对 1-20kHz 开关应用进行了优化，可在高达 175℃ 的结温下持续运行，并具备极低的导通压降 VCE(sat) 与开关损耗（Eon/Eoff），实现无振荡的平滑关断与开通，让大功率转换更加节能。模块在 150℃ 下可承受 8µs 短路，为关键任务留出充足安全裕量，配合面向恶劣工况的强化设计，保障长期可靠运行。优化的大电流承载与紧凑封装，帮助整机实现更高功率密度。该系列可广泛应用于通用变频器、工业伺服与电机驱动、光伏逆变器、有源电力滤波器（APF）、不间断电源（UPS），以及公交客车、重卡等商用、农业与工程车辆（CAV），覆盖高达 300kW 的大功率应用。 安世中国功率器件事业部总经理苑志辉表示：“传统工业电源市场，尤其是 300kW 级电机，正持续向更高效率升级，并加速工业系统的电气化进程。随着安世中国的 IGBT 产品组合扩展到 1200V 模块，我们已做好准备，全力支持工业客户应对不断增长的市场需求，从低压到高压系统，为客户提供更丰富的开关性能选择。” 安世中国的 ND3 半桥 IGBT 模块采用行业标准的 62mm × 122mm 封装，与 EconoDUAL3™ 平台引脚兼容，符合 IEC 质量标准，支持预涂导热界面材料（TIM）与压接引脚（Press-fit）。针对油气、矿山等腐蚀环境，该系列还提供经 H₂S 防护强化的超高鲁棒版本。 ND3 系列六款型号现已全面量产。如需获取数据手册、申请样品与 PLECS 仿真模型，请访问：www.nexperiastore.cn 或联系当地销售代表。 *EconoDUAL3™ 是英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）的注册商标。
安世中国 . 昨天 651
SN74LVC1G02DCKR应用笔记：单路或非门的参数与设计边界
鼎芯SN74LVC1G02DCKR是一颗五脚的单路二输入或非门，SC70-5 封装，体尺寸约2.0mm×1.25mm。它是单门，不是四门：一颗芯片只承担一个逻辑关系，用完即止，不存在另一个门被闲置、还得把输入接地的问题。它在板上的角色是"点状补齐"。系统里主控、电源、驱动都已经定了，缺的往往只是把两路条件合成一个信号的那一小块逻辑。用一颗单门占掉的布板面积和走线资源，比用一颗四门芯片或搭两颗三极管都要少。参数轮廓也支撑这一定位：供电 1.65~5.5V，输入可承受 5.5V，3V 时可给出±24mA，3.3V 下传输延时不超过 3.6ns，静态电流上限 10μA。这五项分别对应低压系统、跨压域接收、直接带小负载、时序预算和待机功耗五个具体需求，而不是泛泛的"通用逻辑"。本文按数据手册的推荐工作条件逐项拆开，说明哪些数字能直接抄进设计、哪些必须带着测试条件看，以及什么时候该换器件，大家对号入座即可。 一、这颗器件在板上的位置 器件为单路二输入正逻辑或非门，封装SC70-5（DCK），体尺寸约2.0mm×1.25mm；同型号也提供SOT23-5（DBV）版本。逻辑关系是Y=A+B的非：A、B任一路为高，输出即低；只有两路同时为低，输出才为高。真值表只有三行，没有第三种状态。 实际板上的用法集中在三类：两路故障信号合并为一路低有效告警、复位与使能的逻辑合成、跨压域信号的下转换。它不是通用逻辑胶合的首选，但在"少用一个器件、少占一处布板面积"的位置上，单门器件比四门芯片更合适。 二、核心参数：看清条件再抄进设计 表1 主要直流与开关参数（典型条件，完整数据见手册） 参数 1.65V 2.3V 3.3V 5V 推荐工作电压 1.65~5.5V（数据保持1.5V） 输入高电平VIH 0.65×VCC 1.7V 2.0V 0.7×VCC 输入低电平VIL 0.35×VCC 0.7V 0.8V 0.3×VCC 输出驱动 ±4mA ±8mA ±16/±24mA ±32mA VOH（满载） 1.2V@4mA 1.9V@8mA 2.3V@24mA 3.8V@32mA tpd（CL=15pF） ≤7.2ns ≤4.4ns ≤3.6ns ≤3.4ns 输入边沿上限 20ns/V — 10ns/V 5ns/V 鼎芯SN74LVC1G02DCKR的输入门槛不是固定值。3.3V供电时VIH约2.0V、VIL约0.8V；切到5V供电，VIH变成3.5V，此时3.3V逻辑的高电平已经不够识别。24mA是推荐工作条件下的保证值，不是能力上限，同一条目里的VOH只剩2.3V。后级若要求2.5V以上的高电平，就不能按满电流用。tpd 3.6ns的成立条件是3.3V、15pF、25℃。手册另外给出50pF负载、125℃时5ns。做时序预算要按后者，不能按前者。静态电流上限10µA，但ΔICC一栏是500µA：任一输入停在VCC−0.6V附近，电流会跳两个数量级。这是输入悬空或停在半高电平的真实代价。输入漏电为±5µA，Ioff漏电±10µA，输入电容4pF。前两项决定了它适合直接接在长线或外部连接器上的程度，后者影响前级驱动能力估算。 三、电路设计要点 外围器件：VCC脚配0.1µF去耦，紧贴引脚放置；电源纹波大时再并1µF。输入端不要串大电阻，输入电容4pF配合10k电阻就有约40ns的时间常数。 未用输入：必须接VCC或GND。CMOS栅极浮空会让输出处于不确定状态，静态电流也会上升。改板保留焊盘时，这一点同样适用。 布线：SC70-5焊盘小，两个输入尽量等长并远离输出走线。输出带24mA时边沿很陡，走线超过数厘米就串22~33Ω阻尼，抑制振铃与过冲。 散热：器件自身功耗在毫瓦级，DCK封装RθJA约278℃/W，正常工况的结温升可以忽略。真正需要看温度的是它旁边的大电流器件。 防自激与振荡：输出端不要直接挂大容性负载，超过约100pF时先串阻再进电容；输出反馈到输入构成环路的场合，先按相位裕度评估，不能指望逻辑门自己稳定。 断电与热插拔：Ioff特性使VCC=0时输入输出仍可带电压，双电源系统与部分断电场景不会经体二极管倒灌。这是它相对早期LCX系列的实际差别。 四、适用场景与不推荐场景 这里我们就是再啰嗦，直接将鼎芯SN74LVC1G02DCKR的适应场景和不应用的场景一一列出，大家可以看得更直观。 适用的场景 一：3.3V系统接收5V信号。输入耐压5.5V，输出跟随VCC，不需要额外的电平转换器件。 二：小电流负载。LED指示、蜂鸣器、光耦初级，24mA以内可以直接驱动，省掉一颗三极管和偏置电阻。 三：两路低有效信号合并。任一故障即拉低输出，比用分立器件搭逻辑更省面积，也更一致。 不适应的场景 一：大电流与感性负载。继电器、电机、白光LED都不适合。24mA是保证值，感性负载的反峰还会顶到钳位电流上限。 二：慢边沿输入。按键、RC延时、长电缆的边沿往往远超标称。手册对输入上升/下降时间有上限，超限会在中间电平停留，带来穿通电流和输出抖动，应换成带施密特输入的器件。 三：时钟分配与低抖动链路。单门器件批次间tpd存在离散，时钟扇出应选专用buffer，而不是拿逻辑门凑数。 四：车规与高可靠场景。商用级的−40~125℃不等于通过AEC-Q100，需要车规等级版本时应另选料号。 五：大扇出与长总线。单门输出带不动多负载，容性叠加后边沿退化明显，应改用缓冲器。 五、同功能器件对比 表2 常见同功能方案对比 方案 工作电压 输出驱动 tpd参考 封装 替换注意 SN74LVC1G02DCKR 1.65~5.5V ±24mA@3V 3.6ns@3.3V SC70-5 本文基准 74LVC1G02其他品牌 1.65~5.5V ±24mA@3V 同量级 TSSOP-5/SC70-5 核对封装与打标 AHC1G02 2.0~5.5V ±8mA 约8ns@5V SOT23-5等 低压不工作、驱动小 LVC1G32（或门） 1.65~5.5V ±24mA@3V 同量级 SC70-5 逻辑不同，不可互换 分立MOS/三极管 视器件 视器件 较慢 分立 成本低但离散性大 同属LVC工艺的各品牌之间，电气表基本按同一套JEDEC口径编写，替换风险主要在封装、丝印和批次tpd分布。采购换料时，让对方提供同条件（VCC、负载电容、温度）的手册页，比对比型号名称更可靠。只看型号前缀相同就换料，是常见的事故来源。脚位顺序为1=A、2=B、3=GND、4=Y、5=VCC，DBV与DCK一致。但SC70-5的焊盘明显小于SOT23-5，两种封装不能互贴，改板必须改焊盘。用AHC替代LVC时要先看低压场景：AHC最低工作电压2.0V，1.8V系统直接不工作，驱动也从24mA降到8mA。 六、常见问题 1. 输出高电平只有2.3V，后级识别不到？ 那是24mA满载下的保证值。降负载电流、抬高VCC或加一级缓冲，三者选一。 2. 静态电流比预期大？ 先查输入是否悬空或停在中间电平，这一项的代价是500µA；再查输出是否对地短路。 3. 上电瞬间有毛刺？ VCC上升慢、去耦不足时常见。确保0.1µF贴脚，必要时加电压监测复位。 4. 5V系统里，3.3V输入算高电平吗？ 不算。VCC=5V时VIH为3.5V。这类场合应让VCC=3.3V，利用输入5.5V耐压做下转换。 5. 两颗并联能增大驱动吗？ 不建议。延时差会让两个输出之间产生环流。需要更大电流时用MOS或专用驱动。 6. 丝印和资料对不上，是假货吗？ DCK封装打标为缩写码，不同批次会变化。应核对批次与来料渠道，不以单一丝印作为判断依据。 以上参数取自该型号公开数据手册的推荐工作条件与电气特性表。实际设计请以最新版本手册和到手批次为准，不同批次的tpd分布需要用实测确认。
鼎芯
鼎芯电子 . 昨天 441
实测8米清晰拾音！KL-2510让IPC摄像头彻底告别回音与噪音
IPC 摄像头做对讲的工程师都碰到过同一组投诉：门口喇叭一说话，录像里全是自己的回音；楼下过车、风一吹，人声被盖住；人站在门口三米开外喊话，录进去只剩嗡嗡声。这三个问题在摄像头面板上是天生的——喇叭、麦克风、拾音目标全挤在同一小块面板和同一段距离里。KL-2510 把这三件事一起收进了 22×16mm，这篇只谈它在 IPC 场景里的适配。 一、先把口径说清楚 "8 米"怎么来的：规格书标称拾音范围 10cm–800cm，模组上 T1/T2 参数电阻拆留出四档工作参数，其中超远距离档为 0.5–8 米——8 米是规格书标称值，非本文实测数据。 "实测"：为产品方口径。规格书未附实测报告，实际拾音效果与固件档位、安装环境、麦克风摆位有关，建议以样机实测为准。本文只从规格书技术侧回答"KL-2510 适配 IPC 摄像头"这一问题。 二、标题里的三件事，各靠什么实现 标题里的说法 模组实现 关键指标 在 IPC 场景里解决什么 清晰拾音（8 米） AI ENC 拾音降噪 + T1/T2 四档距离参数 拾音 10cm–800cm（超远档 0.5–8m）；降噪 45dB–90dB（AI 固件，最佳状态） 门口远场拾音，人在 3–8 米外也能拾到人声 告别回音 模组内置 AEC，参考信号一路进 11 脚 消除高达 100dB 喇叭回音，可消除回音空间延迟 100mS 喇叭与麦挤在同一面板，全双工对讲不破功 告别噪音 AI ENC 拾音时压制非人声 规格书点名噪源见下 风吹、车噪、敲击等室外常见噪声 降噪压制的噪声类型，规格书原文点名：风扇声、空调声、拍打敲击声、汽车鸣笛声、金属器件掉落声、拍打麦克风本身、风对麦克风直接吹——风噪和车噪正好是室外 IPC 的日常。 三、IPC 的四个老难题，逐条对账 难题一：喇叭和麦克风挤在同一面板。 传统解法是压低喇叭音量换通话稳定，代价是门口听不清。KL-2510 的解法不是压音量，是消回音——AEC 指标 100dB、延迟覆盖 100mS，喇叭可以正常开大，全双工保持流畅。参考信号取点决定成败：模拟模式从功放后端取（常规 C1、R1 可不设）；不确定幅度时预留 C1/R1/R2；USB 模式下 14 脚直连 11 脚，一根线闭环。 难题二：室外风噪、鸣笛压不住。 传统模拟前端只有一级固定增益，噪声和人声一起进。KL-2510 的 AI ENC 在拾取时压制，且压制的正是规格书点名的那批室外噪声。 难题三：拾音距离一换场景就不够用。 车库入口、庭院门口、前台柜台，人到麦的距离差好几倍，传统方案换距离=换麦克风或改增益。KL-2510 的 T1/T2 拆留组合给四档：中距离 0.5–2 米（默认）、近距离 0.1–0.2 米、远距离 0.5–5 米、超远距离 0.5–8 米——同一颗模组，产线改电阻就能换档，不动 PCB。 难题四：IPC 主板接口形态不统一。 有的板子只有模拟 audio in/out，有的只有 USB，两套方案两套 BOM。KL-2510 模拟进出和 USB 免驱（Win/安卓/Linux 桌面）双通道都在模组里，见下一节。 四、接口兼容：你的 IPC 板子怎么接 主板形态 怎么接 AEC 参考取法 只有 USB 口（成品/半成品均可） 1/2/3/4 脚接 USB，免驱接入 14 脚 USPKOUT 直连 11 脚 AEC_IN 模拟 audio in + audio out 12 脚 MICOUT 接板子 LINE_IN/MIC_IN 功放后端取参考，注意 C1/R1/R2 匹配 要接功放推门口喇叭 14 脚（USB 模式）/ 12 脚输出后接功放 功放输入端小信号直连，或预留阻容 输出是 1Vrms 量级低阻抗输出（最大 1.07Vrms），直接推小信号 ADC 口会削顶，R1（1K–10K）+ C1（1nF）+ R2（5.1K）分压该加就加。 五、装到 IPC 上，实际要接的脚 用途 脚位 说明 供电 1（+5V）、4（GND） 4.5–5.25V；USB 模式可由 USB 供电 接麦克风 9/10（模拟电容麦，默认） 数字 PDM 麦则用 6/7（CLK/DAT），按固件 取对讲人声 12（MICOUT） 降噪消回音后的音频 喂 AEC 参考 11（AEC_IN） 三种取点见上节 USB 模式专用 2/3（D-/D+）、14（USPKOUT） 纯 USB 主板才需要 物理排布：底边 1→7、顶边 8→14 两排半孔，脚间距 2.54mm（尺寸图标注，6×2.54＋2×3.38＝22.0mm 与板长自洽），焊盘 1.524×0.762mm，SMT 直嵌摄像头主板，不需要连接器。 六、上机前先过这四关 ⚠️ 供电关：4.5–5.25V 单电源，静态 65–80mA，IPC 板上 5V 轨要把这份电流算进去 ⚠️ 档位关：超远档 8 米靠 T1/T2 全拆实现，出厂默认是中距离 0.5–2 米——没拆电阻就宣称 8 米，是指标对不上；拆留组合下单前和产线对清楚 取点关：AEC 参考信号取功放输入端还是输出前端，三种接法按板子形态选定，选错一路 100dB 不成立 麦型关：模拟麦走 9/10、数字麦走 6/7，由固件决定，订购时对清楚固件版本；数字麦若用 5 脚 3V3 供电，限 30mA 以内且不能短路，否则损坏模组稳压 LDO 结语 IPC 摄像头的回音、噪音、远场拾音三个问题，传统上要靠压音量、加增益、换麦克风分头解决，且互相打架；KL-2510 用模组内置的 AI ENC（45–90dB）+ AEC（100dB / 100mS）+ 四档拾音（最远 8 米标称）一次收口，对外只剩 14 个半孔。同系列规格书还覆盖可视门铃、门禁对讲、车载通话、会议设备、录音监控等场景。 再次说明：文中"8 米""45–90dB""100dB"均为规格书标称值，实际效果与固件、环境、摆位相关，建议以样机实测为准。 本文整理自 KL-2510 多功能语音处理模组规格书（Rev 1.0，2025/10/20，定制专用版本）。实际设计请以最新版规格书与官方技术支持为准。
AI降噪 回音消除 硬件模块
德宇AI语音 . 昨天 560
Xplore Developer Hub上线：基于Renesas 365统一开发平台的应用软件构建模块，加速方案探索到设计实现
开发人员现可在单一的端到端云开发环境中，利用售价低至12美元的RA MCU硬件，并通过模拟、电源和连接模块扩展功能，快速构建面向特定应用的解决方案 引导式开发支持涵盖100多个专为终端应用设计、以用例为导向的软件构建模块，以及来自瑞萨及其广泛合作伙伴生态系统的扩展模块和工具 将于2026年11月10-13日在德国慕尼黑electronica 2026展会（C5馆479号展位）进行现场演示 瑞萨电子宣布，其旨在通过Renesas 365简化电子系统开发的数字化战略迈出了关键一步。瑞萨及其合作伙伴提供的低成本RA微控制器（MCU）开发板（售价低至12美元）、扩展模块、应用软件和开发工具，首次可直接通过Renesas 365平台获取。开发人员可通过云端集成开发平台中提供的“Xplore Developer Hub Integrated with Renesas 365”，借助引导式教程和实验，构建低成本原型。 Xplore Developer Hub专为正在探索早期项目构想，或需在紧迫时间内开发成本敏感型应用的工程师而设计。它将必要的硬件、软件和工具整合在一起以简化开发流程，让Renesas 365的各项能力切实落地。借助Xplore Hub Integrated with Renesas 365，工程师可在同一环境中为开发板配置扩展模块、利用软件构建模块和工具构建应用，并对设计进行评估。 Renesas 365, Powered by Altium是一个开放、智能的电子系统开发平台，使工程师能够在单一环境中完成从解决方案探索到系统开发及生命周期管理的全过程。用户可通过网页浏览器在Renesas 365中访问该开发者中心。 “嵌入式系统开发面临的最大挑战之一，是如何弥合系统探索与实际实现之间的鸿沟。”Gaurang Shah, Senior Vice President and General Manager, Embedded Processing Product Group at Renesas表示，“Xplore Developer Hub让Renesas 365的愿景成为现实。硬件、面向应用的软件构建模块、文档和开发工具全部汇聚于一个统一且智能互联的平台中，工程师从构想到可运行原型所需的时间，可由数周缩短至数小时。” 专为终端应用设计的软件构建模块 软件构建模块是面向应用的软件模块，源自真实的嵌入式用例，并针对瑞萨硬件和外设进行了优化。开发人员无需从底层器件软件入手，也无需摸索新的工具、SDK和框架，软件构建模块即可提供经过验证、契合常见应用和子系统需求的功能。通过将瑞萨技术封装为易用、面向应用的构建模块，开发人员能够更快上手、减少软件返工并加速开发。这使工程团队可以减少学习基础架构的时间，将更多精力投入到打造差异化应用功能上，从而提升产品价值。 Xplore Developer Hub提供100多个原生集成于Renesas 365的软件构建模块，开发人员可在设计和构建应用的同一环境中轻松查找并部署这些模块。每个软件构建模块均提供经过验证的功能，可在多种产品和应用中通用。例如，为NFC或BLE连接功能编写的代码，可复用于资产追踪设备、智能门锁乃至家用电器等各类产品。这种复用能够显著减少工程返工，帮助客户加快产品上市。 解决方案探索与应用驱动型开发 Xplore Developer Hub是首个基于Renesas 365构建的实践型原型开发体验，借助低成本RA MCU开发板，将该平台带给广大开发者。工程师可基于真实用例和应用探索解决方案，而无需逐一搜索单个元器件和功能。他们可以选择RA MCU开发板，添加模拟、电源和连接扩展模块，并在不离开设计环境的情况下评估自己的构想。演示、教程和实践实验均围绕智能家居、工业、消费电子和物联网系统等具体应用打造，引导用户从评估快速迈向可运行的原型。 依托Renesas 365的协作式嵌入式开发环境 由于Xplore Developer Hub在Renesas 365内部运行并与其原生集成，开发人员可直接在其云端互联的工作空间中开展工作，组织内的各相关方也可实时协作。工程师无需任何安装，即可在单一环境中访问开发板、软件资源、IDE和设计工作流，并在团队之间共享进度。这种互联体验让团队能够基于彼此的成果持续推进，加快开发速度。 在德国慕尼黑electronica 2026展会瑞萨展位（C5馆479号展位）上，瑞萨将现场演示Renesas 365中全新的开发者中心。 供货信息 Xplore Developer Hub现已面向RA系列新老用户开放。Renesas 365平台未来将陆续增加对更多MCU和MPU产品家族、扩展模块以及AI引导式开发工作流的支持。
瑞萨电子 . 昨天 399
液冷算力服务器电阻选型：脉冲耐受、抗振、阻值稳定性该怎么选？
算力集群频频偶发宕机、算力报错？别只盯着GPU和SiC！随着 800V HVDC高压电源普及，AI服务器电源走向高频高压化，整机工况持续升级：高压上电瞬间浪涌幅值更高、ESD冲击能量更强，密闭机房高温叠加硫尘、潮气持续侵蚀器件，液冷机架冷热交替温差大、长期伴随结构振动。 电阻分布在电源输入、热插拔、采样反馈、分压监测等关键链路，很多宕机问题并非功率芯片故障，不起眼的电阻参数漂移、脉冲损坏、电极腐蚀，就是极易被忽视的隐形雷区。一套分层电阻方案，补齐算力硬件容易忽略的无源器件可靠性短板，为算力集群7×24小时不间断稳定运行兜底。 行业核心痛点 通用型电阻防护、耐环境能力有限，很难适配新一代AI服务器长年连续运行的严苛要求： 其一，AI 服务器整机功耗不断攀升，电源模块、GPU卡热插拔操作频繁，上电瞬间产生的浪涌电流与静电冲击，极易击穿后端GPU和电源芯片； 其二，普通电阻电极发生硫化，阻值缓慢漂移甚至开路，带来随机性宕机、算力校验异常，密闭机房长期处于高温环境，空气中的硫离子、粉尘、湿气持续侵蚀元器件。 其三，常规电阻温漂大、抗振性能不足，采样信号失真，高端液冷AI服务器内部冷热交替温差大，机架堆叠带来持续结构振动，直接造成电源环路控制异常。 核心优势：多场景覆盖，精准解决痛点 针对AI服务器全场景需求，合科泰深耕被动元件领域，推出多款热门电阻，满足终端产品精准电流采集、低温漂信号反馈、抗脉冲冲击、粉尘硫化环境长期稳定运行的需求。 RAT 抗浪涌厚膜电阻｜电源热插拔回路第一道防护 RAT系列抗浪涌厚膜电阻拥有更强的脉冲耐受能力，覆盖0402~2512多尺寸。器件能够快速泄放、吸收上电瞬间浪涌电流与ESD静电冲击能量，有效抑制电压尖峰，削弱瞬时脉冲对后端器件的冲击，为整机电源链路搭建第一道可靠防护屏障。在高频操作场景下，持续守护昂贵GPU、主控IC以及电源管理芯片，适配高密度AI算力集群长期频繁热插拔工况。 RCQ抗硫化厚膜电阻｜高湿腐蚀硫化防护 RCQ系列抗硫化厚膜电阻，覆盖0201~2512多尺寸，采用特殊抗硫化保护层工艺。防护层可长效阻隔空气中硫离子、粉尘污染物侵蚀内部电极，大幅延缓硫化反应发生，能够抑制阻值缓慢漂移、阻值跳变等失效问题。针对高硫高湿环境，解决电阻硫化带来的偶发、信号采样异常等棘手问题，阻值长期一致性好，匹配数据中心7×24小时不间断运行、长年稳定服役的高可靠要求。 RAG 车规级厚膜电阻｜液冷服务器高精度采样首选 RAG 系列车规级厚膜电阻，覆盖01005~2512多尺寸，具备宽温低漂、抗振动、长期阻值稳定的特性，采样精度优异。器件可在大温差、持续振动条件下维持采样信号精准稳定，保障电源反馈、电流电压采样回路闭环可靠，规避环路异常、功率失控与算力板故障，满足国产高端算力硬件的高可靠采样需求。 选型建议 RAT系列抗浪涌厚膜电阻 适配电源入口、热插拔回路、静电防护节点，设计时预留充足脉冲功率裕量。 RCQ系列抗硫化厚膜电阻 适配普通机房、沿海高腐蚀数据中心主板、信号回路的采样与分压电阻，规避硫化失效风险。 RAG 系列车规级厚膜电阻 适配高端液冷AI服务器、高密度算力卡、振动工况严苛的采样电路，保障宽温、抗振场景下采样精度。 最后结语 算力竞争的底层，比拼的是供应链交付能力与底层元器件可靠性。合科泰打造RAT、RCQ、RAG系列电阻产品矩阵，一站式覆盖AI服务器浪涌防护、抗腐蚀长效运行、车规级高精度采样等核心电路选型需求，丰富封装规格适配各类PCB布局。全系列产品经过严苛可靠性验证，从容应对800V高压HVDC上电冲击、机房硫尘腐蚀、液冷冷热交变与机架振动等复杂算力工况。依托稳定供货保障与专业技术支持，合科泰为算力厂商提供高可靠电阻BOM配套方案，助力客户简化选型、缩短验证周期，夯实整机硬件稳定性底座，赋能国产AI算力基础设施稳健落地。
半导体
厂商投稿 . 昨天 609
YXC晶振如何赋能云台相机：低抖动时钟方案实现稳定高清与精准随行
简要：YXC晶振为云台相机提供低抖动时钟方案：±10ppm 频差、fs级相位抖动、−40℃~+85℃ 全温区稳定，从时钟源头保障画面稳定高清与云台精准随行。 在航拍测绘、电力巡检、安防侦查、农业勘探等领域，无人机云台相机是无人机的核心视觉载荷，直接决定设备的作业精度与画面质量。区别于普通手持相机，无人机云台相机处于高空振动、温差骤变、高速移动的复杂工况中，不仅需要云台增稳抵消机身抖动，更依赖稳定的时钟时序保障图像采集、传输、防抖运算的精准运行。 一、无人机云台相机工作核心与痛点 无人机云台相机不仅负责“拍照”，还要完成图像采集、处理、编码、存储和输出。云台相机的成像清晰度、画面稳定性、传输实时性，本质都取决于时钟晶振的稳定性。晶振作为云台相机硬件的 “时序中心”，是解决画面卡顿、图像撕裂、延时过高、云台抖动漂移问题的核心元器件。 1. 云台主控 MCU 控制电路（核心控制） 云台主控负责三轴角度调节、姿态闭环运算、防抖算法运行，是整机控制核心。需要精准基准时钟保障算法高效运行，避免云台动作滞后、角度偏移。 •常用频点：8MHz、16MHz •适配产品：无源晶振YSX211SL （2.0*1.6mm) •常温频率偏差：±10ppm •总频差：±20ppm •工作温度：-40℃～+85℃ 2. CMOS 图像采集 & ISP 图像处理电路（成像核心） 相机感光芯片、图像处理芯片依靠固定时序逐点采集画面、渲染色彩、修正畸变，时序精度直接决定成像质量，是高清航拍的关键。 •常用频点：24MHz、27MHz、37.125MHz •适配产品：高精度有源晶振YSO110TR •频率误差（25℃）：±10ppm •全温总频差：±30ppm •工作电压：1.8V ~ 3.3V（宽电压兼容） •工作温度：-40℃ ~ +85℃（工业级） •封装尺寸：1612 / 2016 / 2520 / 3225 / 5032 / 7050 二、YXC 晶振赋能无人机云台相机的核心优势 1.高精度｜低至±10 ppm @ 25℃ 常温频率偏差低至±10 ppm，全温总频差可达±30 ppm，为无人机的视觉图像采集与数据处理提供稳定的参考时钟。 2.低抖动丨≤0.7ps 在12 kHz～20 MHz带宽下，相位抖动不超过0.7 ps，精准匹配高清图像采集时序，从硬件底层解决画面卡顿、撕裂、模糊问题，大幅提升航拍、巡检画面精度。 3.小体积丨低至1612 覆盖 3225、2016、1612等超小封装，适配消费级、工业级轻量化无人机的紧凑 PCB 设计，不占用设备空间，助力整机轻量化、小型化升级。 4.宽电压丨1.8-3.3V 支持1.8V～3.3V连续工作电压，可灵活适配无人机图像处理模块的不同供电需求。 5.国产稳定替代，交付可控 全系列产品国产化自研自产，性能对标国际一线品牌，参数可定制、交期稳定、性价比突出，适配无人机企业降本增效、国产化替代升级需求。 三、总结 无人机云台相机的核心竞争力，归根结底是稳定的增稳控制 + 高清的成像传输能力，而精准稳定的时钟时序，是实现所有功能的底层基础。 YXC 扬兴科技深耕无人机视觉载荷时钟领域，从源头解决设备抖动、画质差、传输不稳等行业痛点，全面赋能消费航拍、工业巡检、安防测绘等各类无人机设备高效稳定作业。
有源晶振,无源晶振,低抖动晶振,云台相机
扬兴科技 . 昨天 392
Melexis推出新一代高性价比MeLiBu®（UART over CAN）多像素智能RGB LED驱动解决方案
全球微电子工程公司迈来芯宣布推出MLX81132可编程24通道MeLiBu®（UART over CAN）LED驱动芯片，面向高像素动态车载内饰氛围灯应用。该芯片兼具高通道密度、本地运算处理能力，并支持10BASE-T1S端点通信，可帮助整车厂与一级供应商推进复杂RGB动态氛围灯照明系统的规模化落地，有助于降低仪表台、车门、座椅、中控和顶棚等场景下的单颗RGB驱动的硬件成本。 动态光效已成为现代智能座舱体验的核心组成部分，并从基础装饰照明扩展至个性化设定、品牌视觉识别及人车交互等功能。但随之而来的挑战是单车搭载的RGB LED光源数量可达到数百甚至上千颗，给系统成本、整车控制架构、算力负荷及总线通信性能带来极大压力。 MLX81132采用集中式智能控制架构，针对上述挑战提供有效解决方案。芯片内置24路恒流LED输出通道，配合2分时复用技术，使单颗器件最多可驱动48路独立单色LED或16颗RGB像素单元。与将每颗RGB灯珠内置独立驱动电路的smart RGB LED方案相比，MLX81132实现了多像素共享运算与驱动资源，有助于在LED颗数增加时显著缩减所需芯片的硅片面积，直接解决复杂动态灯光部署的核心瓶颈——单颗RGB驱动成本过高。 该芯片采用5V供电设计，单路LED驱动电流最高可配置至80mA，搭载16位PWM高精度调光，可实现色彩与亮度的平滑渐变。针对峰值电流需求更高的应用，芯片支持通道并联输出，进一步拓宽在内饰照明项目中的适配范围。 本地分布式智能，支撑高端RGB光效迭代 MLX81132核心集成16位可编程MCU，配置64KB Flash、8KB RAM，为整车厂与一级供应商提供充足算力裕度，可直接在驱动芯片内实现自研照明功能。颜色控制、混色计算等逻辑就近在LED端执行，减少整车其他控制器的灯光处理负载。 每一路LED均可独立控制和诊断，支持开路、短路、温度监测。校准参数本地存储与运算，单颗LED独立温度补偿，保障了照明系统光色、亮度的一致性。该架构也为客户在不同供应商的RGB LED物料选型上提供了更大的灵活性。 从局部模块延伸至整车级灯效联动 作为新一代MeLiBu®（UART over CAN）2.0产品体系成员，MLX81132支持最高可达4 Mbit/s的可调数据传输速率，既为响应迅速、高动态的灯光效果提供了必要带宽，又支持总线上单芯片独立寻址。此外，与传统smart RGB LED普遍采用菊花链串行逐点传输数据不同，MeLiBu®（UART over CAN）的总线拓扑架构，更适用于分布式照明节点之间微秒级的同步刷新。 MLX81132集成12位差分ADC，同时配备SPI、I²C外设接口，支持可配置故障安全策略与实时状态监测功能。产品严格按照ISO 26262功能安全标准开发，最高可满足ASIL B等级的安全系统应用，适用于动态流水灯带、轮廓氛围灯、仪表背光、门板透光饰条、星空顶棚，以及当下热门的瀑布流迎宾灯光等创新的座舱照明方案。 迈来芯产品线总监Michael Bender表示：“动态灯光现已成为覆盖整车的人机交互界面，但RGB LED像素数量的持续增加会迅速推高系统成本与架构复杂度。MLX81132将多像素的LED控制能力集中在单颗芯片内，不再为每一个发光点重复配置驱动电路。这为客户打造整车一体化内饰照明方案提供高灵活的硬件基础，同时显著降低整体物料清单（BOM）成本。” MLX81132是迈来芯新一代MeLiBu®（UART over CAN）LED驱动产品线的首款量产成员。这款面向座舱内饰的器件支持Flash在线可编程，客户可自主开发并调试内置MCU的应用软件。后续迈来芯还将陆续推出免代码（Code-free）版本，以及面向车身外饰照明的MeLiBu®（UART over CAN）系列驱动芯片。 目前，MLX81132样品已开放申请。
Melexis . 昨天 441
Genio物联网平台赋能边缘AI，大联大诠鼎集团携手联发科技共同推动极致运算与多媒体应用
大联大控股旗下诠鼎集团携手全球领先无晶圆厂半导体公司联发科技（MediaTek），成功举办“Mediatek Genio：极致运算与多媒体，释放人工智能的全部潜能”线上研讨会。本次研讨会聚焦联发科技面向边缘AI+IoT的物联网芯片平台Genio Gen2 SoC系列，分享其产品布局、技术参数、配套服务、系统支持，以及新一代Genio Pro产品与端侧AI监控落地方案。 随着AI大模型加速向终端下沉，机器人、工业物联网、智慧零售等行业对端侧算力、多媒体编解码、多系统兼容以及长期稳定供货的需求持续走高，兼顾算力能效、软硬件生态与供应链保障，已经成为嵌入式设备产品实现商业化落地的关键。本次研讨会，介绍了联发科技推出的智能物联网平台系列Genio Pro、Genio700、Genio520等多个产品线，覆盖从高性能到主流级的各类边缘计算设备。该平台以AI算力为核心，支持生成式AI、机器视觉等应用，同时具备多媒体处理能力和多种连接功能，面向机器人、工业物联网、智能家居、智慧零售等领域，为设备制造商提供芯片、软件及开发支持。 研讨会上，大联大诠鼎集团资深经理蔡志文（Casper Tsai）首先介绍了联发科技IoT Genio平台概况。他表示，该平台的核心特性在于并非定向针对特定应用开发，适配性强，可覆盖全场景需求，同时支持多元操作系统，涵盖Android、Yocto、Ubuntu的操作系统。支持Microsoft MDEP，整合NVIDIA TAO Toolkit，匹配不同开发需求。在供应保障上，提供10年长期供货承诺，满足工控客户稳定供应链需求，同步提供工业级、商业级两类产品供客户选型。 Genio系列产品规划方面，一代产品已量产多年，含入门级350、中端G510/G700、高端1200，除350外均配备HDMI接口，350供货期2029年届满。二代产品配置升级，统一取消HDMI接口更换为eDP接口，搭载联发科技第八代NPU，720算力10.5TOPS、420算力7.2TOPS、360主打低价格。 Genio系列采用6nm制程，功耗低于5W，多媒体技术支持多路高分辨率影像输入、4K 60帧编解码和屏幕显示，提供Wi-Fi 7、5G RedCap相关参考方案，模块尺寸为45mm×45mm规格。 他提到，针对内存供货难题，520产品线新增降规版本Genio 420，支持LP4X/LP5双内存，价格接近360，供客户按需选择。 关于操作系统更新，Android系统常规提供7年更新，1200系列已达7年，700/510系列更新至2029年，新推出型号从对应版本起更新7版。Linux系统不受CPU限制跟随版本迭代，特殊ISP中间件需单独与联发科技签署合约，由原厂逐案协调开放。 Genio Pro 5100为今年年底首发产品，采用3nm制程，AI算力50TOPS以上，支持8K编解码、三屏4K输出、16路摄像头接入，功耗约8W。生产配套支持65mm×50mm 12层高密板PCB，代工厂工艺不足可对接指定合作模块厂提供生产工艺支持。 随后，大联大诠鼎集团经理陈信宏（Apollo Chen）进行端侧AI监控方案演示。他介绍，该方案所有AI运算在本地端侧完成无需上传云端，实现从传统物件侦测到主动事件理解的监控能力升级。功能模块包含设备管理、实时监控、自然语言问答、异常事件记录四大模块，支撑用户完成监控与事件管理。 他说，端侧AI监控方案覆盖人员跌倒侦测、区域入侵告警、泳池安全、停车场识别等9类典型场景。其核心价值不是把画面排得更多，而是协助操作者从画面找到值得注意的事件，让监控能看见，也能解释，跳出传统监控仅做画面采集的局限，明确了端侧AI应用的核心方向。 方案技术优势在于，所有AI运算均直接在开发板上执行，无需云端传输，可降低网络依赖并提升响应速度。它不只是单纯辨识画面中有多少人，而是能够进一步分析每个人的身体姿态与动作，让监控系统具备更完整的人体行为理解能力。 本次研讨会搭建起原厂、分销商与终端开发者之间的高效沟通桥梁，通过产品解析结合真实案例演示，帮助研发团队直观掌握Genio平台技术要点，为行业端侧AI项目快速落地提供切实可行的参考路径。 作为全球领先电子元器件分销商，大联大诠鼎集团凭借多年的渠道经验，不仅是零件供应商，更是客户的技术战略伙伴。为迎战全球化布局，自2026年起，原品佳、诠鼎、友尚三大集团整合为全新的诠鼎集团，深度聚合三方优势资源，实现资源更集中、服务更全面、供应链韧性更强的综合效益。通过整合数字化供应链管理与专业技术支持优势：在开发端，协助解决技术难题，加速产品上市；在量产端，提供精准的库存管理与实时交付服务，致力于为客户优化营运成本、应对市场变局，并提供稳定、及时的交付承诺。 本次研讨会全程通过大联大旗下平台“诠鼎大大芯”进行直播，无需注册登录即可观看，“诠鼎大大芯”平台每月举办多场研讨会，分享市场最新技术趋势与热门应用实例。欢迎业界同仁随时回顾精彩内容，深入了解Mediatek Genio智能物联网平台系列及应用。
大联大诠鼎集团 . 昨天 420
安森美EliteSiC M4进一步提升功率密度，应对持续增长的电力需求
基于沟槽架构的第四代碳化硅平台降低损耗，助力AI、电动汽车和能源应用实现更紧凑的电源系统 摘要 安森美（onsemi）推出基于沟槽架构的第四代碳化硅平台EliteSiC™ M4。与上一代相比，该平台有助于将功率密度提升达30%，损耗降低达35%。EliteSiC M4进一步提升导通和开关性能，有助于实现更高效率、更高功率密度的AI数据中心、电动汽车及能源基础设施系统。 新闻要点： EliteSiC™ M4以更高的功率密度和更低的损耗，助力客户提升性能和效率，同时优化系统尺寸与热管理 延续安森美在碳化硅领域经过验证的领先优势，全球搭载安森美碳化硅产品的车辆已经过实际上路验证，累计行驶里程超过160亿英里 EliteSiC™ M4 750 V汽车牵引裸片现已供货，更多电压规格预计于2027年推出，最高可达1200 V 中国上海，2026年11月11日——安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）今日推出EliteSiC™ M4第四代碳化硅（SiC）平台，旨在为下一代电源系统树立新的性能标杆。EliteSiC M4凭借业界领先的导通和开关性能，为客户提供更大的设计自由度，可将功率密度和效率提升达30%，损耗降低达35%，从而赋能更高效率、更高功率密度的电动汽车、AI数据中心和工业应用系统。 “电力需求的增长速度超过相关物理基础设施的扩展速度。下一代电源系统需要在更小空间内，以更高效率输送更多电力，”安森美电源解决方案事业群总裁Achyut Shah表示，“全球搭载安森美碳化硅产品的车辆已经过实际上路验证，累计行驶里程超过160亿英里。EliteSiC M4在这一可靠性基础上，进一步提供客户所需的性能，帮助他们重新优化功率、效率、尺寸与成本之间的权衡。” 在现实工况约束下，实现更高功率输出 AI、电气化和能源基础设施的发展，给电源系统设计人员带来了一个共同挑战：在显著提升功率的同时，避免系统尺寸、能量损耗和冷却需求同比例增加。EliteSiC M4解决了这一挑战，无需大幅改变现有系统条件，也能提升功率和效率，为客户扩展AI基础设施、电动汽车和工业系统提供更大的灵活性。 在主要目标市场中，EliteSiC M4将这些技术进步转化为明确的系统级优势： AI数据中心：提升算力规模，而无需同比例扩展电力基础设施。更高功率密度的电力转换可帮助数据中心从每一兆瓦电力中获得更多算力，在最大限度提升容量的同时，减少单位算力所需的配套基础设施。 电动汽车：释放电驱动系统的更高性能。更紧凑、更高效的牵引逆变器可帮助汽车制造商增加车辆续航里程。 能源基础设施：充分利用每一单位能源。更高效率、更高功率密度的电力转换有助于降低光伏、储能及其他高压系统的转换损耗。 “随着车辆功率不断提高，如何兼顾牵引逆变器的效率、热性能、功率密度和可靠性，也成为越来越大的设计挑战，”舍弗勒集团（Schaeffler AG）电机控制业务副总裁Harald Hartel表示，“更高的效率和功率密度可以为我们提供更大的设计灵活性，从而针对续航里程、热性能和空间布局进一步优化牵引逆变器。随着电动化动力总成的要求不断提高，这些因素也日益重要。” 面向更高功率密度和效率的新架构 EliteSiC M4提升导通和开关性能，同时不牺牲可靠性。与上一代相比，主要改进包括： 比导通电阻（RSP）改善：比导通电阻降低20%至50%，同时支持更快的开关速度 开关损耗更低：开关品质因数在硬开关条件下提升67%，在软开关条件下提升50%，从而支持紧凑型电源设计 广泛的封装灵活性：支持现有封装，包括顶部冷却表面贴装封装和大功率模块 面向严苛应用的高可靠性：该平台面向严苛运行环境设计，支持185°C及以上温度的认证要求，可用于高压汽车和航天应用 供货 用于汽车牵引逆变器的EliteSiC M4 750 V裸片：现已供货。 更多电压规格预计于2027年陆续推出，最高可达1200 V。
安森美 . 昨天 406
产品 | AiP73LXX系列：20V/300mA低功耗线性稳压器
AiP73LXX属于中微爱芯AiP73系列，是一款20V/300mA低功耗线性稳压器，可输出1.5V～5.0V范围内的固定电压，采用 SOT89-3/SOT223/SOT23-3等多个封装，集成过流保护与短路保护，具备低功耗、低压差、低温漂等特点。 应用优势 Application advantages · 耐压恰到好处：输入电压高达20V，输出电流300mA（Pd≤600mW），覆盖便携计算机、低压音响、电池供电设备等常见负载。 · PIN对PIN替代：AiP73系列电路均可实现同脚位替代。可根据不同耐压（20V/30V/40V/100V）和电流（300mA~1000mA）需求灵活选型，覆盖绝大多数使用场景。 · μA级低功耗：静态电流典型约1.8μA，适合电池供电、待机供电、MCU/传感器等低功耗场景。 · 精度与纹波表现兼顾：输出电压精度±1%；PSRR 100Hz约60dB、1kHz约40dB，给MCU、音频前级、小信号电路更干净的电源。 · 外围极简、低成本：典型应用仅需输入、输出两颗电容，推荐1μF～10μF，BOM简单、布局清爽，成本低。 主要特点 Main features · 工作电压：高达20V · 输出电流：300mA（Pd≤600mW） · 电压差： 1300mV@300mA 400mV@100mA 800mV@200mA · 输出电压：1.5V～5.0V范围内固定电压 · 输出电压精度：±1% · 静态电流：μA级，典型约1.8μA · PSRR：100Hz约60dB；1kHz约40dB · 保护功能：过流保护、短路保护 · 温度漂移：≤100 ppm/℃ · 工作环境温度：-40℃～125℃ · 封装形式：SOT89-3/SOT223/SOT23-3 引脚排列图及引脚说明 Pin arrangement diagram and pin description 典型应用与外围元件 Typical Applications and Peripheral Components AiP73LXX典型应用如下： AiP73LXX典型应用外围简洁：VIN接输入电源，VOUT输出稳定电压，GND接地；输入电容C1、输出电容C2推荐10μF，也可在1μF～10μF之间选择，并尽量靠近芯片引脚。 应用领域 Application fields 结语 Conclusion AiP73系列以20V~100V宽耐压、300mA~1000mA全电流档位覆盖，为用户提供全面的选择空间。其μA级静态电流、高精度输出、优良PSRR及可靠的过流与短路保护功能，在各类低压供电场景中展现出高可靠性与高性能。AiP73LXX作为该系列中20V/300mA的代表，为便携与低压设备提供稳定、纯净的电源保障。 如需了解更多产品资讯，请联系我司授权代理商或销售工程师。 【AiP73系列命名规则说明】
线性稳压器
中微爱芯官网 . 昨天 378
产品 | 中微爱芯发布八款车规级缓冲器与总线驱动器芯片，助力汽车电子升级
中微爱芯推出八款全新AiP74HC/LVC/AHCT系列车规级缓冲器与总线驱动器芯片： AiP74HC125-Q1（SOP封装）——带三态输出的4路缓冲器/线驱动器 AiP74HC125-Q1（TSSOP封装）——带三态输出的4路缓冲器/线驱动器 AiP74HC541-Q1——带三态输出的8路缓冲器/线驱动器 AiP74LVC244-Q1——带三态输出的8路缓冲器/线驱动器 AiP74LVC2G125-Q1——带三态输出的2路缓冲器/线驱动器 AiP74AHCT2G125-Q1——带三态输出的2路缓冲器/线驱动器 AiP74LVC2G17-Q1——2路施密特缓冲器 AiP74LVC1G07-Q1——单路缓冲器（开漏） 八款车规芯片涵盖单路、2路、4路及8路多规格缓冲器与总线驱动器，集成三态输出与施密特触发等丰富功能。全系产品均严格通过AEC-Q100 Grade 1车规认证，完美匹配车载电子中数字信号整形、消抖、高速信号传输、电平域转换等多场景需求，专为高标准的汽车电子应用打造。 八款型号速览 应用优势 Application advantages 严苛车规可靠认证：全系电路均通过AEC-Q100 Grade 1车规认证，工作温度覆盖-40℃~125℃，可承受车载高低温交变工况，满足整车级可靠性要求。 超低功耗：采用低压CMOS工艺，兼容车载3.3V/5V主流数字系统；微安级超低静态功耗大幅降低待机损耗，完美适配车载电池供电场景。 封装多样，适配小型化趋势：提供SOT和TSSOP封装，兼容常规及高密度小型化电路板设计。 高兼容性：参数性能指标可直接对标国外主流品牌，是车载电子领域国产化替代的可靠选择。 系列产品 Product families 1、AiP74HC125-Q1带三态输出的4路缓冲器/线驱动器 【主要特点】 工作电压：2V~6V 全电压兼容5V输入 输入内置钳位二极管：输入内置钳位二极管，配合限流电阻即可将输入接口连接到超过 VCC 的电压 CMOS低功耗：静态电流<8uA 传输延时（典型值）：9ns ESD-HBM：2000V（AEC-Q100-002） ESD-CDM：所有引脚750V（AEC-Q100-011） LATCH-UP：±100mA，Ta=125℃（AEC-Q100-004） 工作温度范围：-40℃~+125℃ 封装形式：SOP14/TSSOP14 【功能框图及引脚排列图】 2、AiP74HC541-Q1带三态输出的8路缓冲器/线驱动器 【主要特点】 工作电压：2V~6V 全电压兼容5V输入 CMOS低功耗：静态电流<8uA 传输延时（典型值）：10ns ESD-HBM：2000V（AEC-Q100-002） ESD-CDM：所有引脚750V（AEC-Q100-011） LATCH-UP：±100mA，Ta=125℃（AEC-Q100-004） 工作温度范围：-40℃~+125℃ 封装形式：TSSOP20 【功能框图及引脚排列图】 3、AiP74LVC244-Q1 车规级带三态输出的8路缓冲器/线驱动器 【主要特点】 宽工作电压：1.2V~5.5V 全电压兼容5V输入 CMOS低功耗：静态电流<10uA 传输延时（典型值）：2.5ns ESD-HBM：2000V（AEC-Q100-002） ESD-CDM：所有引脚750V（AEC-Q100-011） LATCH-UP：±100mA，Ta=125℃（AEC-Q100-004） 工作温度范围：-40℃~+125℃ 封装形式：TSSOP20 【功能框图及引脚排列图】 4、AiP74LVC2G125-Q1 带三态输出的2路缓冲器/线驱动器 【主要特点】 工作电压：1.65V~5.5V 全电压兼容5V输入 ±24mA输出驱动（VCC=3.0V） CMOS低功耗：静态电流<4uA 传输延时（典型值）：5.7ns ESD-HBM：2000V（AEC-Q100-002） ESD-CDM：所有引脚750V（AEC-Q100-011） LATCH-UP：±100mA，Ta=125℃（AEC-Q100-004） 工作温度范围：-40℃~+125℃ 封装形式：TSSOP8 【功能框图及引脚排列图】 5、AiP74AHCT2G125-Q1带三态控制的2路缓冲器/线驱动器 【主要特点】 工作电压：4.5V~5.5V 全电压兼容5V输入 CMOS低功耗：静态电流<10uA 传输延时（典型值）：6.5ns ESD-HBM：2000V（AEC-Q100-002） ESD-CDM：所有引脚750V（AEC-Q100-011） LATCH-UP：±100mA，Ta=125℃（AEC-Q100-004） 工作温度范围：-40℃~+125℃ 封装形式：VSSOP8 【功能框图及引脚排列图】 6、AiP74LVC2G17-Q1 2路施密特缓冲器 【主要特点】 宽工作电压：1.65V~5.5V 全电压兼容5V输入 施密特触发输入：可将缓慢变化的输入信号转换为陡峭、稳定的输出信号 ±24mA输出驱动（VCC=3.0V） CMOS低功耗：静态电流<4uA 传输延时（典型值）：7ns ESD-HBM：2000V（AEC-Q100-002） ESD-CDM：所有引脚750V（AEC-Q100-011） LATCH-UP：±100mA，Ta=125℃（AEC-Q100-004） 工作温度范围：-40℃~+125℃ 封装形式：SOT363 【功能框图及引脚排列图】 7、AiP74LVC1G07-Q1单路缓冲器（开漏） 【主要特点】 宽工作电压：1.65V~5.5V 全电压兼容5V输入 开漏输出结构：可将多个开漏输出连接在一起，实现低电平有效的或门功能或高电平有效的与门功能 ±24mA输出驱动（VCC=3.0V） CMOS低功耗：静态电流<4uA 传输延时（典型值）：9ns 工作温度范围：-40℃~+125℃ ESD-HBM：2000V（AEC-Q100-002） ESD-CDM：所有引脚750V（AEC-Q100-011） LATCH-UP：±100mA，Ta=125℃（AEC-Q100-004） 封装形式：SOT23-5/SOT353 【功能框图及引脚排列图】 结语 Conclusion 在汽车电子智能化与电动化趋势下，对核心逻辑器件的可靠性与性能提出了更高的要求。中微爱芯此次推出的八款AiP74HC/LVC/AHCT系列车规级缓冲器与总线驱动器，历经车规级严苛验证，不仅从容应对复杂车载工况，更在低功耗、宽电压兼容及小型化封装上表现出色。 无锡中微爱芯深耕通用逻辑电路赛道，旗下逻辑电路累计出货量已突破50亿颗。面向汽车电子市场，公司后续将持续扩充多电压域、多功能车规逻辑电路产品矩阵，同步布局车规运算放大器、电压比较器、模拟开关等产品线；依托稳定量产交付能力、高性价比产品与全流程配套技术服务，全力助推国内汽车电子产业链自主可控、国产替代落地。 如需了解更多产品资讯，请联系我司授权代理商或销售工程师。 中微爱芯已发布已通过AEC-Q100车规认证产品清单
车规芯片
中微爱芯官网 . 昨天 378
产品 | 超低功耗、超高带宽、防掉电倒灌：AiP7222——2路二选一高速USB2.0模拟开关
在消费电子、工业控制与车载系统中，单USB接口复用已成为节省PCB空间、降低系统成本的主流方案。AiP7222是中微爱芯推出的一款2路二选一高速USB2.0模拟开关电路，支持480Mbps全速传输，集成掉电防倒灌保护，可适应1.8V~5.5V宽电压供电，完美解决USB扩展时的信号质量与可靠性难题。 应用优势 Application advantages 宽电压范围：电路支持1.8V~5.5V宽电压供电 低导通电阻：导通电阻典型值7Ω，通道间导通电阻典型值0.35Ω 全电压摆幅：轨对轨模拟开关，输入电压0V~VCC 超低功耗：CMOS超低功耗，静态电流<1μA 掉电防倒灌：掉电漏电流<2μA 低传输延时：传输延时典型值0.25ns，信号同步性优异 低通道串扰：通道串扰低至-40dB@240MHz，有效抑制干扰 高速USB带宽：-3dB带宽达500MHz 主要特点 Main features 电源电压范围：1.8V～5.5V 导通电阻典型6Ω 轨对轨模拟开关 传输延时典型值0.25ns 通道串扰：-40dB@240MHz CMOS低功耗 掉电（VCC=0V）防倒灌功能 工作温度范围：-40℃～+125℃ 封装形式：MSOP10/QFN10 功能框图 Functional block diagram 引脚排列图 Pin Arrangement Diagram 典型应用图 Typical Application Diagram 应用领域 Application fields 消费电子：在手机、平板、笔记本电脑、电视盒子等设备中，实现单USB口的外设自动切换功能；USB扩展坞，实现单USB口连接如鼠标键盘U盘等多设备的功能 汽车电子：车机系统的外设切换，实现在U盘、手机、CarPlay之间切换，无需多通道设计；车载OBD接口复用，实现调试与用户功能的隔离 工业控制与互联网：可广泛应用于物联网网关、工控机、USB数据采集卡等工业自动化设备的接口扩展 结语 Conclusion 在多接口复用与高速传输场景中，信号完整性与切换可靠性是核心诉求。AiP7222以“高带宽轨对轨、低导通电阻、掉电防倒灌”的核心优势，完美解决USB接口复用中，信号失真、电流倒灌和功耗问题。以精简架构实现高性能高速信号切换，消费电子、是工业控制、物联网等场景接口互联的可靠首选，为系统高速稳定通信保驾护航。
模拟开关
中微爱芯官网 . 昨天 336