Nitrur de gal·li
| Aquest article tracta sobre el compost químic. Si cerqueu el mineral, vegeu «nitrur de gal·li (mineral)». |
| Substància química | tipus d'entitat química |
|---|---|
| Massa molecular | 82,928648 Da |
| Estructura química | |
| Fórmula química | GaN |
| SMILES canònic | |
| Identificador InChI | Model 3D |
El nitrur de gal·li (GaN – anglès: gallium nitride) és un compost binari amb els elements gal·li i nitrogen. És un aliatge binari de semiconductors dels grups III / V de la taula periòdica, amb una banda prohibida directa que s'ha vingut usant en díodes emissors de llum (LEDs) des dels anys noranta. És un compost químic és un material molt dur que té una estructura cristal·lina wurtzita. Té especials aplicacions en optoelectrònica,[1][2] La seva àmplia banda prohibida de 3.4 eV [3] li proporciona propietats especials per a aplicacions en optoelectrònica, dispositius d'alta potència i dispositius d'alta freqüència. Per exemple el GaN és el subtrat que fa possible el làser Blau.
Cèl·lules solars
[modifica]La seva sensibilitat a la radiació ionitzant és baixa fent-lo un material adequat per a.[4] Pel fet que els transistors GaN poden funcionar a temperatures molt més altes i funcionar a voltatges més alts que els transistors d'arsenur de gal·li (GaAs) són ideals com amplificadors d'energia a freqüències de microones.
Síntesi
[modifica]Els cristalls de GaN poden créixer a partir d'una mescla fosa de Na/Ga sota pressió de 100 atm de N₂ a 750 °C.
Seguretat
[modifica]La pols de GaN irrita la pell, els ulls i els pulmons.[5] El GaN sòlid no és tòxic i biocompatible,[6] i per tant es pot usar en electrodes i implants electrònics en organismes vius.
Usos en medicina
[modifica]S'empra també com un agent de quimioteràpia que té a més efectes secundaris menys agressius que altres fàrmacs antineoplàstics pel fet que redueix les pèrdues de calci dels ossos durant el seu tractament.[7]
Referències
[modifica]- ↑ A. Di Carlo «Tuning Optical Properties of GaN‐Based Nanostructures by Charge Screening». Physica Status Solidi, 183, 1, 2001, pàg. 81-85. DOI: 10.1002/1521-396X(200101)183:1<81::AID-PSSA81>3.0.CO;2-N.
- ↑ Arakawa, Y. «Progress in GaN-based quantum dots for optoelectronics applications». IEEE, 8, 4, 2002, pàg. 823-832. DOI: 10.1109/JSTQE.2002.801675.
- ↑ «Ioffe Institute (GaN)». [Consulta: 2012].
- ↑ Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon and Smalley, Ken. «Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FET Characteristics under Long Term Stress», març 2011.
- ↑ Deodatta V. Shenai-Khatkhate, Randall J. Goyette Ronald L. Di Carlo Jr., Gregory Dripps «Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors». Journal of Crystal Growth, 272, 1–4, 2004, pàg. 816-821. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
- ↑ Shipman, Matt and Ivanisevic, Albena (24 October 2011). "Research Finds Gallium Nitride is Non-Toxic, Biocompatible – Holds Promise For Biomedical Implants". North Carolina State University
- ↑ Anales Médicos, Leiomiosarcoma duodenal e hipercalcemia,- Vol. 42, n.º 3 - Revista, Jul-Sep 1997 - Página 114
Enllaços externs
[modifica]- Ioffe data archive
- National Compound Semiconductor Roadmap Arxivat 2009-07-19 a Wayback Machine. page at ONR
| Identificadors |
|---|